LTspice introduction - 14 结型场效应晶体管的伏安特性

最新推荐文章于 2024-11-26 11:34:33 发布
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本文介绍了一个使用LTspice进行JFET(结型场效应晶体管)的直流扫描仿真的例子。通过定义不同的电压范围，展示了如何设置并运行仿真，以获取JFET的转移特性曲线。 
Version 4
SHEET 1 2612 1528
WIRE 2128 1152 1984 1152
WIRE 1984 1200 1984 1152
WIRE 2128 1216 2128 1152
WIRE 1920 1248 1840 1248
WIRE 1840 1264 1840 1248
WIRE 1920 1264 1920 1248
WIRE 1936 1264 1920 1264
WIRE 1840 1360 1840 1344
WIRE 1984 1360 1984 1296
WIRE 2128 1360 2128 1296
FLAG 2128 1360 0
FLAG 1984 1360 0
FLAG 1840 1360 0
SYMBOL voltage 2128 1200 R0
SYMATTR InstName V1
SYMATTR Value 0.
SYMBOL njf 1936 1200 R0
SYMATTR InstName J1
SYMATTR Value 2N3819
SYMBOL voltage 1840 1248 R0
WINDOW 123 0 0 Left 2
WINDOW 39 0 0 Left 2
SYMATTR InstName V2
SYMATTR Value 0
TEXT 1824 1408 Left 2 !.dc V1 0 15 10m V2 -5 0 100mV
TEXT 1992 1448 Top 1 ;This example schematic is supplied for informational/educational purposes only.

将以上内容保存成2V-I-Curve_JFET_DC_sweep.asc文件，用LTspice打开，然后执行Run进行仿真，结果如下：


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LTspice introduction - 13 场效应晶体管的伏安特性
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05-02 1084
Version 4 SHEET 1 2612 1528 WIRE 2128 1152 1984 1152 WIRE 1984 1200 1984 1152 WIRE 2128 1216 2128 1152 WIRE 1920 1248 1840 1248 WIRE 1840 1264 1840 1248 WIRE 1920 1264 1920 1248 WIRE 1936 1264 1920 12
二极管的伏安特性解释
07-12
伏安特性是指加在二极管两端的电压u与流过=极管的电流，之间的关系，即，I=f（U）。2CP12（普通型硅=极管）和2AP9（普通型锗二极管）的伏安特。 （1）正向特性 二极管伏妄特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线 死区，对应的电压称为死区电压。硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0. 2V. 当正向电压超过某一数值后， 内电场就被大大削弱，正向电流迅速增大，二极管导通，这一区域称为正向导通区。二极管一旦正向导通后，只要正向电压稍有变化，就会使正向电流变化较大，二极管的正向特性曲线很陡。因此，二极管正向导通时，管子上的正向压降不大，正向压降的变化很小，一般硅管为o. 7V左右，锗管为0. 3V左右。因此，在使用二极管时，如果外加电压较大，一般要在电路中串接限流电阻，以免产生过大电流烧坏二极管。 （2）反向特性 二极管伏妄特性曲线的第三象限称为反向特性，它表示外加反向电压时二极管的工作情况
LTspice introduction - 16 电阻的伏安特性
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05-02 1890
Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE 112 32 -80 32 WIRE -80 96 -80 32 WIRE 112 112 112 32 WIRE 112 192 112 176 WIRE -80 240 -80 176 WIRE 112 240 112 192 WIRE 112 240 -80 240 WIRE 112 272 112 240 FLAG 112 27
LTspice introduction - 12 二极管的伏安特性
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05-02 2428
Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE 112 32 -80 32 WIRE -80 96 -80 32 WIRE 112 112 112 32 WIRE -80 240 -80 176 WIRE 112 240 112 176 WIRE 112 240 -80 240 WIRE 112 272 112 240 FLAG 112 272 0 SYMBOL voltage -8
LTSPICE cmosedu-models.txt
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LTSPICE cmosedu-models.txt
基于Matlab的晶体管I-V特性分析
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基于Matlab的晶体管I-V特性分析，是电子工程领域内对晶体管电流-电压（I-V）关系的研究。晶体管作为一种半导体器件，是现代电子电路和集成电路设计中不可或缺的组件。其I-V特性，即电流随电压变化的关系，对电子电器...
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LTspice是一款由Linear Technology公司开发的高性能SPICE模拟器，广泛用于电子电路的模拟与仿真。它支持各种电子元件的模拟，适用于复杂的模拟电路分析和开关电源设计。Matlab则是一款由MathWorks公司开发的高性能...
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LTspice是一款用于电路仿真和模拟的软件工具，常被电子工程师和爱好者用于电路设计、测试和验证。本教程旨在引导读者从安装LTspice软件开始，逐步了解并掌握其基本使用方法，直至能够独立进行电路仿真。 首先，...
LTspice introduction - 15 NPN型三极管的伏安特性
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Version 4 SHEET 1 2612 1528 WIRE 2128 1152 1984 1152 WIRE 1984 1200 1984 1152 WIRE 2128 1216 2128 1152 WIRE 1920 1248 1840 1248 WIRE 1840 1264 1840 1248 WIRE 1840 1360 1840 1344 WIRE 1984 1360 1984 12
在 LTSpice 中测量晶体管电流放大倍数
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09-10 2297
随着基极电流增加， 电流增益降低，  这一点， 与单个三极管基本上是相同的。选择一个 2N3904 NPN 型晶体管模型，  使用一个线性上升电压源， 从0V线性上升到10V，  通过 R1 给三极管提供基极电流，  这样就可以获得一个上升的基极电流，  通过测量 基极电流和集电极电流，  就可以计算出三极管在不同的基极电流下的电流增益了。天， 在面包板上测试了NPN三极管以及级联达林顿三极管的电流增益， 下面通过 LTspice 仿真软件来对三极管以及级联达林顿三极管的电流增益进行仿真。
LTSpice仿真场效应管(FET)的方法
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用LTspice仿真 JFET、MOSFET 的电路
LTSPICE仿真电路：（二十上）齐纳二极管一些特性仿真
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齐纳二极管
LTspice中对于JFET晶体管的特性测试
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11-26 874
下面测试一下晶体管在零偏置下的漏极和源极之间的伏安特性， 将晶体管的栅极通过电阻接地。漏极电压设置为一个从0V线性增加到10V的电压，  测量漏极电流。这个结果， 与实际测量的结果还是有比较大的区别， 与器件数据手册给定的曲线比较接近。将晶体管的漏极电压设定为 恒定的 12V。测量场效应管的漏极电流变化。反向电压大约 -3V的时候， 漏极电流降低到 0mA。本在 LTspice中搭建一个基于 JFET的振荡器，  结果后来电路始终无法工作，  那就算了，  后面再通过实际电路进行测试吧。
LTspice电路分析——直流分析
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直流分析是指分析和计算直流电压源和直流电流源作用于电路时电路的工作状态；包括。
测试几个LTspice 模型的精度
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本文对于 LTspice 仿真软件中的典型器件进行测试。反过来测试期间的基本特性。
在 LTspice 中搭建 达林顿振荡器
TSINGHUAJOKING
09-10 1256
信号的波形于使用普通的 晶体管的波形非常相似， 这说明改电路在达林顿管的情况下， 工作机制是相同的。蓝色曲线是基极信号波形，  相比于普通晶体管来说， 达林顿管对应的基极导通电压比较大， 在1.38V左右。绿色曲线是集电极波形， 对应的晶体管饱和时的电压比较高， 在0.75V 左右。下面， 在 LTspice 仿真环境中，  利用两个 晶体管组成的达林顿三极管， 搭建这个对称多谐振荡器。文在LTspice 搭建了 达林顿三极管多谐振荡电路， 可以看到它的工作模式与普通的晶体管是相同的。
LTspice基础教程-022.从MOS管提取参数生成spice模型
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03-28 2万+
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双极型晶体管和场效应管的比较，写出一篇论文
最新发布
11-04
<think>我们被要求撰写一篇关于双极型晶体管和场效应管比较的论文。因此，我们需要搜索这两种器件的基本原理、特性、优缺点以及应用场景，然后进行对比分析。 由于需要撰写论文，我们需要结构化的内容，通常包括引言、基本原理、特性对比、优缺点分析、应用领域比较和结论等部分。 我们将按照论文的基本结构来组织内容，但注意避免使用步骤词汇，而是以自然的方式分段。同时，我们需要在每个部分中整合搜索到的信息。 注意：由于我们是通过搜索工具获取信息，以下内容将基于可靠来源（如电子工程教科书、专业网站）整合而成。 论文大纲建议： 1. 引言：介绍晶体管的重要性以及两种晶体管的概况。 2. 双极型晶体管（BJT）的基本原理与特性 3. 场效应管（FET）的基本原理与特性（包括JFET和MOSFET） 4. BJT与FET的比较（包括结构、工作原理、输入输出特性、参数、优缺点等） 5. 应用领域比较 6. 结论 下面我们将按照这个结构生成论文内容。注意，由于篇幅限制，这里只提供论文的核心内容框架和关键点，实际撰写时需进一步扩展。 注意：在论文中，如果需要使用公式，按照要求格式书写。 </think>### 论文框架：双极型晶体管与场效应管的比较研究 #### 1. 基本原理差异 **双极型晶体管（BJT）** 基于少数载流子和多数载流子的共同作用，电流由电子和空穴共同传导。工作方程遵循： $$I_C = \beta I_B + I_{CEO}$$ 其中 $\beta$ 为电流放大系数。 **场效应管（FET）** 通过栅极电压控制沟道导电性，仅由多数载流子导电（如N沟道的电子）。漏极电流表达式为： $$I_D = \mu_n C_{ox} \frac{W}{L} \left( (V_{GS} - V_{th})V_{DS} - \frac{1}{2}V_{DS}^2 \right)$$ 适用于饱和区。 --- #### 2. 关键特性对比 | **参数** | **BJT** | **FET** | |--------------------|-----------------------------|-----------------------------| | **输入阻抗** | 低（$10^2 - 10^3 \Omega$） | 高（$10^9 - 10^{15} \Omega$） | | **噪声特性** | 热噪声较高 | 低噪声，适合高频应用 | | **开关速度** | 受存储电荷限制 | 更快的开关响应（尤其MOSFET）| | **温度稳定性** | 负温度系数易热失控 | 正温度系数，热稳定性好 | --- #### 3. 应用场景分析 **BJT适用领域** - 模拟放大电路（如音频放大器） - 高电流驱动场景（功率$\geq 10W$） - 低成本线性稳压器 **FET核心优势** - 数字集成电路（CMOS技术） - 高频射频前端（LNA设计） - 低功耗便携设备（静态电流$<1\mu A$） --- #### 4. 制造工艺与成本 - **BJT**：兼容标准硅工艺，但需隔离扩散层，成本中等 - **MOSFET**：支持高集成度，纳米级光刻技术实现$7nm$节点 - **GaN FET**：新兴宽禁带器件，适用于高压高速场景 --- #### 5. 最新发展趋势 - **SiC MOSFET**：取代IGBT在新能源领域的应用 - **异质结BJT（HBT）**：5G毫米波功率放大器核心 - **神经形态计算**：FeFET忆阻器件实现存算一体 --- ### 论文撰写建议 1. **结构设计** 引言（器件发展史）→ 物理机制对比 → 特性参数表格 → 典型电路案例 → 前沿技术展望 2. **数据支撑** 引用IEEE文献验证参数：如BJT的$f_T$可达$300GHz$（SiGe工艺），而GaN HEMT的$f_{max}>1THz$ 3. **仿真验证** 使用LTspice对比共射放大器与共源放大器频响特性： ```spice * BJT放大器示例 Q1 N1 N2 0 BC547 Vcc N3 0 12V Rc N3 N1 1k ... * MOSFET放大器示例 M1 DRAIN GATE SOURCE 0 IRF530 Vdd DRAIN 0 24V Rd DRAIN OUT 470 ... ``` ---
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