6.25:K60电源管理V5_最简版本蓄水池
可理解为一个buck电路
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EG2104 MOS 管驱动芯片
经典电路设计(来源于数据手册)
引脚功能(来源于数据手册)
- IN和SD作为输入控制,可共同控制电机的转动状态。在本电路中,SD始终接高电平,由IN控制mos管的导通和截止。
- VB和VS主要用于形成自举电路(下文详解)
- HO和LO接到MOS管栅极,分别用于控制高端和低端MOS的导通与截止
- HO=VB/VS,LO=Vcc/GND(根据控制端的状态输出)
自举电路
该芯片在Vcc和VB脚之间接了一个二极管,在VB和VS之间接了一个电容。这便构成了一个自举电路。
问题解析
由于负载(电机)相对于高端和低端的位置不同,而MOS的开启条件为Vgs>Vth,这便会导致想要高端MOS导通,则其栅极对地所需的电压较大。
因为低端MOS源极接地,想要导通只需要令其栅极电压大于开启电压Vth。而高端MOS源极接到负载,如果高端MOS导通,那么其源极电压将上升到H桥驱动电压,此时如果栅极对地电压不变,那么Vgs可能小于Vth,又关断。因此想要使高端MOS导通,必须想办法使其Vgs始终大于或一段时间内大于Vth(即栅极电压保持大于电源电压+Vth)
在本电路中,Vth=1.8v
工作过程
1.当低端MOS管QC2导通时,B点电压为0,5V电压—>DE1二极管—>自举电路CE1—>QC2,通过这条回路对电容充电,电容两端电压约等于5V(有个二极管的压降)
2.当IN状态切换时,低端MOS管QC2关断的瞬间,B点电压仍为0,由于电容两端存储了电压5V,所以Vgs>Vth,高端MOS管QC1能导通
3.随着高端MOS管QC1导通,B点电压抬高到约等于24V,由于电容两端存储了电压5V,A点电压被抬高后比B点电压仍然高出5V,相当于QC1的栅极G比源极S高了5V,QC1能一直导通。此时A点电压变为24V+5V,实现了电压抬升,自举完成。
注意:因为此时电容在持续放电,压差会逐渐减小。最后,电容正极对地电压(即高端MOS栅极对地电压)会一直下降,那么高端MOS的栅源电压便降到Vth附近时,高端MOS仍然会关断。因此想要使高端MOS连续导通,必须令自举电容不断充放电
自举二极管主要是用来当电容放电时,防止回流到VCC,损坏电路
RQ1、RQ2、 1N4148w DQ1、DQ2
- MOS管栅极串联的电阻主要用于限流和抑制振荡
- 在栅极串联电阻上反向并联一个二极管是为了加快MOS管的关断
NCE0117K DQX2
为了使低端MOS关闭的时候,也能给后面电感的电流一个回流的路径
DQX1没啥作用(应该
PS40U100CT D2 大电容二极管
注意事项
注意半桥mos管的耐流值
备赛时电容爆炸可能就是在电机启动加速时会有一个尖峰电流,击穿了电容爆炸
更改方案
方案一:替换EG2104mos管驱动芯片。EG2104输出电压最高为5V,不能使当前mos管完全导通(米勒平台)
方案二:替换mos管