6.25:K60电源管理V5_最简版本蓄水池

本文链接：https://blog.csdn.net/lihaoyubiss/article/details/125509655

本文详细介绍了电源管理芯片EG2104在H桥电机驱动电路中的应用，重点解析了自举电路的工作原理和关键参数。通过电路分析，指出自举电容的作用是确保高端MOS管的Vgs大于阈值Vth，以维持导通状态。同时，文章提及了电阻和二极管在MOS管栅极驱动中的作用，以及电容选型和耐流值对电路稳定性的影响，并提出了因输出电压不足可能导致的解决方案，包括更换驱动芯片或MOS管。

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可理解为一个buck电路
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EG2104 MOS 管驱动芯片

经典电路设计（来源于数据手册）

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引脚功能（来源于数据手册）

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IN和SD作为输入控制，可共同控制电机的转动状态。在本电路中，SD始终接高电平，由IN控制mos管的导通和截止。
VB和VS主要用于形成自举电路（下文详解）
HO和LO接到MOS管栅极，分别用于控制高端和低端MOS的导通与截止
HO=VB/VS，LO=Vcc/GND（根据控制端的状态输出）

自举电路

该芯片在Vcc和VB脚之间接了一个二极管，在VB和VS之间接了一个电容。这便构成了一个自举电路。

问题解析

由于负载（电机）相对于高端和低端的位置不同，而MOS的开启条件为Vgs>Vth，这便会导致想要高端MOS导通，则其栅极对地所需的电压较大。
因为低端MOS源极接地，想要导通只需要令其栅极电压大于开启电压Vth。而高端MOS源极接到负载，如果高端MOS导通，那么其源极电压将上升到H桥驱动电压，此时如果栅极对地电压不变，那么Vgs可能小于Vth，又关断。因此想要使高端MOS导通，必须想办法使其Vgs始终大于或一段时间内大于Vth（即栅极电压保持大于电源电压+Vth）
在本电路中，Vth=1.8v

工作过程

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1.当低端MOS管QC2导通时，B点电压为0，5V电压—>DE1二极管—>自举电路CE1—>QC2，通过这条回路对电容充电，电容两端电压约等于5V（有个二极管的压降）
2.当IN状态切换时，低端MOS管QC2关断的瞬间，B点电压仍为0，由于电容两端存储了电压5V，所以Vgs>Vth，高端MOS管QC1能导通
3.随着高端MOS管QC1导通，B点电压抬高到约等于24V，由于电容两端存储了电压5V，A点电压被抬高后比B点电压仍然高出5V，相当于QC1的栅极G比源极S高了5V，QC1能一直导通。此时A点电压变为24V+5V，实现了电压抬升，自举完成。

注意：因为此时电容在持续放电，压差会逐渐减小。最后，电容正极对地电压（即高端MOS栅极对地电压）会一直下降，那么高端MOS的栅源电压便降到Vth附近时，高端MOS仍然会关断。因此想要使高端MOS连续导通，必须令自举电容不断充放电

自举二极管主要是用来当电容放电时，防止回流到VCC，损坏电路