问题:
开发板上的Nand Flash型号是K9F1G08U0B,芯片手册上写读出的数据应该是 EC F1 00 95 40,
但我读出的是 EC 40 00 EC 40
关于NAND FLASH ID、读、写都不正确的问题。
在移植的过程中发现对FLASH ID、读、写都不正确,开始以为是UBOOT对FLASH的操作有问题,但后来发现写入的数据总是32位往里写入。导致每次写入的数据都不对,坏块标记位总是不对。在仔细检查后发现对rNFDATA的定义不对,在2440 DATASHEET中说明数据位都为8位,但我却使用#define rNFADDR (*(volatile unsigned int *)0x4e00000c)定义为32位(int在arm中为32位,short ... 为16位,char 为8位)正确的定义应该如下:#define rNFADDR (*(volatile unsigned char *)0x4e00000c)注意:这里必须使用volatile,应为该地址为寄存器,需要每次更新其中数据,不然编译器会读取内存中已有的数据而不去真正的寄存器更新数据。
1. 硬件特性:
【Flash的硬件实现机制】
Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内存,不论是以前的SDRAM,DDR SDRAM,还是现在的DDR2,DDR3等,都是断电后,数据就没了。
Flash的内部存储是MOSFET,里面有个悬浮门(Floating Gate),是真正存储数据的单元。
在Flash之前,紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM,就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。
图1.典型的Flash内存单元的物理结构
数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少,取决于图中的外部门(external gate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示,以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。
【SLC和MLC的实现机制】
Nand Flash按照内部存储数据单元的电压的不同层次,也就是单个内存单元中,是存储1位数据,还是多位数据,可以分为SLC和MLC:
1. SLC,Single Level Cell:
单个存储单元,只存储一位数据,表示成1或0.
就是上面介绍的,对于数据的表示,单个存储单元中内部所存储电荷的电压,和某个特定的阈值电压Vth,相比,如果大于此Vth值,就是表示1,反之,小于Vth,就表示0.
对于nand Flash的数据的写入1,就是控制External Gate去充电,使得存储的电荷够多,超过阈值Vth,就表示1了。而对于写入0,就是将其放电,电荷减少到小于Vth,就表示0了。
关于为何Nand Flash不能从0变成1,我的理解是,物理上来说,是可以实现每一位的,从0变成1的,但是实际上,对于实际的物理实现,出于效率的考虑,如果对于,每一个存储单元都能单独控制,即,0变成1就是,对每一个存储单元单独去充电,所需要的硬件实现就很复杂和昂贵,同时,所进行对块擦除的操作,也就无法实现之前的,一闪而过的速度了,也就失去了Flash的众多特性了。
2. MLC,Multi Level Cell:
与SLC相对应,就是单个存储单元,可以存储多个位,比如2位,4位等。其实现机制,说起来比较简单,就是,通过控制内部电荷的多少,分成多个阈值,通过控制里面的电荷多少,而达到我们所需要的存储成不同的数据。比如,假设输入电压是Vin=4V(实际没有这样的电压,此处只是为了举例方便),那么,可以设计出2的2次方=4个阈值, 1/4的Vin=1V,2/4的Vin=2V,3/4的Vin=3V,Vin=4V,分别表示2位数据00,01,10,11,对于写入数据,就是充电,通过控制内部的电荷的多少,对应表示不同的数据。
对于读取,则是通过对应的内部的电流(与Vth成反比),然后通过一系列解码电路完成读取,解析出所存储的数据。这些具体的物理实现,都是有足够精确的设备和技术,才能实现精确的数据写入和读出的。
单个存储单元可以存储2位数据的,称作2的2次方=4 Level Cell,而不是2 Level Cell,这点,之前差点搞晕了。。。,同理,对于新出的单个存储单元可以存储4位数据的,称作 2的4次方=16 Level Cell。
【关于如何识别SLC还是MLC】
Nand Flash设计中,有个命令叫做Read ID,读取ID,意思是读取芯片的ID,就像大家的身份证一样,这里读取的ID中,是读取好几个字节,一般最少是4个,新的芯片,支持5个甚至更多,从这些字节中,可以解析出很多相关的信息,比如此Nand Flash内部是几个芯片(chip)所组成的,每个chip包含了几片(Plane),每一片中的页大小,块大小,等等。在这些信息中,其中有一个,就是识别此flash是SLC还是MLC。下面这个就是最常见的Nand Flash的datasheet中所规定的,第3个字节,3rd byte,所表示的信息,其中就有SLC/MLC的识别信息:
| Description | I/O7 | I/O6 | I/O5 I/O4 | I/O3 I/O2 | I/O1 I/O0 |
Internal Chip Number | 1 2 4 8 |
|
|
|
| 0 0 0 1 1 0 1 1 |
Cell Type | 2 Level Cell 4 Level Cell 8 Level Cell 16 Level Cell |
|
|
| 0 0 0 1 1 0 1 1 |
|
Number of Simultaneously Programmed Pages | 1 2 4 8 |
|
| 0 0 0 1 1 0 1 1 |
|
|
Interleave Program Between multiple chips | Not Support Support |
| 0 1 |
|
|
|
Cache Program | Not Support Support | 0 1 |
|
|
|
|
表1.Nand Flash 第3个ID的含义
【Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构】
Nand flash的内部组织结构,此处还是用图来解释,比较容易理解:
图2.Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构
上图是K9K8G08U0A的datasheet中的描述。
简单解释就是:
1.一个nand flash由很多个块(Block)组成,块的大小一般是128KB,256KB,512KB,此处是128KB。
2.每个块里面又包含了很多页(page)。每个页的大小,对于现在常见的nand flash多数是2KB,更新的nand flash是4KB,这类的,页大小大于2KB的nand flash,被称作big block,对应的发读写命令地址,一共5个周期(cycle),而老的nand flash,页大小是256B,512B,这类的nand flash被称作small block,。地址周期只有4个。
而块,也是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。
3.每一个页,对应还有一块区域,叫做空闲区域(spare area)/冗余区域(redundant area),而Linux系统中,一般叫做OOB(Out Of Band),这个区域,是最初基于Nand Flash的硬件特性:数据在读写时候相对容易错误,所以为了保证数据的正确性,必须要有对应的检测和纠错机制,此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC(Error Code Correction, 或者 Error Checking and Correcting),所以设计了多余的区域,用于放置数据的校验值。
页是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位。
【Nand Flash数据存储单元的整体架构】
简单说就是,常见的nand flash,内部只有一个chip,每个chip只有一个plane。
而有些复杂的,容量更大的nand flash,内部有多个chip,每个chip有多个plane。这类的nand flash,往往也有更加高级的功能,比如下面要介绍的Multi Plane Program和Interleave Page Program等。
比如,型号为K9K8G08U0A这个芯片(chip),内部有两个K9F4G08U0A,每个K9F4G08U0A包含了2个Plane,每个Plane是1Gb,所以K9F4G08U0A的大小是1Gb×2=2Gb=256MB,因此,K9K8G08U0A内部有2个K9F4G08U0A,即4个Plane,总大小是4×256MB=1GB。
而型号是K9WAG08U1A的nand flash,内部包含了2个K9K8G08U0A,所以,总容量是K9K8G08U0A的两倍=1GB×2=2GB,类似地K9NBG08U5A,内部包含了4个K9K8G08U0A,总大小就是4×1GB=4GB。
【Flash名称的由来】
Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB。。,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory。中文有的翻译为 (快速)闪存。
【Flash相对于普通设备的特殊性】
1. 上面提到过的,Flash最小操作单位,有些特殊。
一般设备,比如硬盘/内存,读取和写入都是以bit位为单位,读取一个bit的值,将某个值写入对应的地址的位,都是可以按位操作的。
但是Flash由于物理特性,使得内部存储的数据,只能从1变成0,这点,可以从前面的内部实现机制了解到,只是方便统一充电,不方便单独的存储单元去放电,所以才说,只能从1变成0,也就是释放电荷。
所以,总结一下Flash的特殊性如下:
| 普通设备(硬盘/内存等) | Flash |
读取/写入的叫法 | 读取/写入 | 读取/编程(Program)① |
读取/写入的最小单位 | Bit/位 | Page/页 |
擦除(Erase)操作的最小单位 | Bit/位 | Block/块 ② |
擦除操作的含义 | 将数据删除/全部写入0 | 将整个块都擦除成全是1,也就是里面的数据都是0xFF ③ |
对于写操作 | 直接写即可 | 在写数据之前,要先擦除,然后再写 |
表2.Flash和普通设备相比所具有的特殊性
注:
① 之所以将写操作叫做编程,是因为,flash 和之前的EPROM,EEPROM继承发展而来,而之前的EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),往里面写入数据,就叫做编程Program,之所以这么称呼,是因为其对数据的写入,是需要用电去擦除/写入的,就叫做编程。
② 对于目前常见的页大小是2K/4K的Nand Flash,其块的大小有128KB/256KB/512KB等。而对于Nor Flash,常见的块大小有64K/32K等。
③在写数据之前,要先擦除,内部就都变成0xFF了,然后才能写入数据,也就是将对应位由1变成0。
Samsung nand flash ID spec
三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力,对于pure nand flash、OneNAND(带controller的nand flash模块)以及nand的驱动都有很深层的开发。后面说的nand都会基于Samsung的产品,包括驱动。三星的pure nand flash(就是不带其他模块只是nand flash存储芯片)的命名规则如下:
1. Memory (K )
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,
SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
1 : SLC 1 Chip XD Card
2 : SLC 2 Chip XD Card
4 : SLC 4 Chip XD Card
A : SLC + Muxed I/ F Chip
B : Muxed I/ F Chip
D : SLC Dual SM
E : SLC DUAL (S/ B)
F : SLC Normal
G : MLC Normal
H : MLC QDP
J : Non-Muxed One Nand
K : SLC Die Stack
L : MLC DDP
M : MLC DSP
N : SLC DSP
Q : 4CHIP SM
R : SLC 4DIE STACK (S/ B)
S : SLC Single SM
T : SLC SINGLE (S/ B)
U : 2 STACK MSP
V : 4 STACK MSP
W : SLC 4 Die Stack
4~5. Density ( BIT )
12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M
32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M
64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G
2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G
AG : 16G BG : 32G CG : 64G
DG : 128G 00 : NONE
6~7. organization
00 : NONE 08 : x8
16 : x16
8. Vcc
A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V)
C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)
E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V)
Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V
U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V)
W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE
9. Mode
0 : Normal
1 : Dual nCE & Dual R/ nB
4 : Quad nCE & Single R/ nB
5 : Quad nCE & Quad R/ nB
9 : 1st block OTP
A : Mask Option 1
L : Low grade
10. Generation
M : 1st Generation
A : 2nd Generation
B : 3rd Generation
C : 4th Generation
D : 5th Generation
11. " ─ "
12. Package
A : COB B : TBGA
C : CHIP BIZ D : 63-TBGA
E : TSOP1 (Lead-Free, 1217)
F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA
H : TBGA (Lead-Free)
I : ULGA (Lead-Free) J : FBGA (Lead-Free)
K : TSOP1 (1217) L : LGA
M : TLGA N : TLGA2
P : TSOP1 (Lead-Free)
Q : TSOP2 (Lead-Free)
R : TSOP2-R S : SMART MEDIA
T : TSOP2 U : COB (MMC)
V : WSOP W : WAFER
Y : TSOP1
13. Temp
C : Commercial I : Industrial
S : SmartMedia
B : SmartMedia BLUE
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)
3 : Wafer Level 3
14. Bad Block
A : Apple Bad Block
B : Include Bad Block
D : Daisychain Sample
K : Sandisk Bin
L : 1~5 Bad Block
N : ini. 0 blk, add. 10 blk
S : All Good Block
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
15. NAND-Reserved
0 : Reserved
16. Packing Type
- Common to all products, except of Mask ROM
- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)
实例分析 K9F5608U0D + s3c2410
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
以上4次情况可以基本完成对NAND的操作,但是这里要注意的是,在linux写入和读出时,必须是出NAND中的每一页的第0个字节读取,而不能随便从其中间的位置读取,而这一部分是MTD中有明确的方法