EOS测试及设计

Electrical Over Stress，电源过压过应力； 

过压或过流产生大量热能烧毁元器件；

一般指雷击浪涌，其实ESD也属于该范畴；

产生原因：雷击，电源浪涌、接口的热插拔、开关器件的电源尖峰等；

测试方法：

采用专用的EOS测试仪器，模拟各种典型雷击波形：

eg:典型雷击电流曲线--10/350us波形；

10us：冲击脉冲到达90%电流峰值的时间；

350us：电流降到半峰值电流的时间；

测试步骤：

1.电源->EOS测试设备->板卡；浪涌直接串进电源中供给板卡；

2. EOS测试设备->板卡中间的电线套上电流传感器（eg  1：10的霍尔传感器），在板卡电源前端的TVS位置接示波器电压探头；

3.EOS测试界面设置从30V往上每隔10V为一档，一档测3~5次，观察示波器显示的残压和电流（用Trigger，哪个波形明显Tri哪个）；

4.当残压到达板卡测试电源通路中某个IC SPEC中规定的最大耐压值时，基本就要打穿了；

想看极限值可以加压看击穿曲线（残压到peak后迅速下降，电源供电端的电流会突增，板卡某个器件会很烫）；

想保板卡就可以停止实验了。

改进措施：

拿到测试数据后可知道哪个电源的抗EOS效果较差，之后可以通过使用压敏电阻或采用更大功率和泄放电流的TVS管来改善，后者可以使钳位电压变低。

eg:指标中该IC耐压值为18.9V，使用小功率TVS，当EOS为100V时残压会到这个值；换了大功率TVS后，抗EOS压值会到120V。

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TVS钳位电压Vc的新认识：EOS测试时发现，外界电压超过TVS Vc时，只能保证TVS两端的电压不再升高了（此时IPP会随着浪涌电压线性增大），但进入后部电路中的电压并不能被钳位在Vc，会随着外部浪涌电压值线性增大。如果外部电压>Vc且持续时间过长，TVS管很容易烧坏。