EEPROM和FLASH的区别

最新推荐文章于 2024-06-24 09:48:49 发布
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分类专栏： 计算机基础 文章标签： EEPROM flash
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本文链接：https://blog.csdn.net/liuzilong100/article/details/50313539
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本文介绍了EEPROM和Flash的主要区别，指出EEPROM结构复杂，成本高，适合小量数据存储；而Flash结构简单，存储密度高，适用于大数据量操作。在嵌入式系统中，常见做法是用Flash模拟EEPROM，通过MCU的寄存器操作实现数据非易失性存储。
摘要由CSDN通过智能技术生成

EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，至于它的父辈ROM，PROM，EPROM的概念和渊源，在这不做说明。

Flash      ：闪存，全称 Flash Memory，是传统EEPROM的升级产品，博主yuanlulu将它与EEPROM的关系比作“白           马”与“马“，我喜欢这个比喻，也很贴切。


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FLASH和EEPROM的区别
qq_31885403的博客
10-02 1429
但是CPU的起动代码通常EEPROM搞不定，而且CPU通常还有操作系统，可以存在EEPROM（BOOT）+FPASH（system）的模式，但是一眼看去，不如把FLASH分区，把2部分东西都装下。擦写次数为100万次。FLASH通常还有就是存单板信息，厂家信息，PCB信息，MAC地址这些，配置信息这些基本的东西，通常是在工厂烧入，然后焊接在单板上，就跟你在单板打丝印一样，就是个标识。FLASH在写新的数据前必须先擦除，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节，换句话说，只能成块的读写，特别是写。
EEPROM与FLASH区别
12-01
EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。 EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的 Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。
EEPROM和flash的区别
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yuanlulu的博客
01-25 10万+
<br />之前对各种存储器一直不太清楚，今天总结一下。<br /><br />存储器分为两大类：ram和rom。<br /><br />ram就不讲了，今天主要讨论rom。<br /><br />rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照
EEPROM与FLASH
聪聪的成长之路
06-24 1351
Flash是一种非易失性存储器技术，广泛用于各种电子设备中，如计算机、手机、相机等。非易失性意味着即使断电，存储的数据也不会丢失。Flash分为NOR Flash和NAND Flash：NOR Flash容量小价格高，可以上电使用，通过总线与CPU连接，也可以片内执行，可用于设备启动；NAND Flash容量大，价格便宜，必须初始化才能使用，通过NandFlash控制器与CPU通信。2.特性非易失性：断电后数据不丢失。可擦除和重写：Flash存储器可以多次擦除和写入数据。高密度和低成本。
flash和eeprom的区别
h1580824951的专栏
01-13 987
1.flash按页操作，需要上锁解锁，操作麻烦，制造成本低， eeprom按字节操作，不需要锁，操作简单，制造成本高 2.用途： flash一般用于固件等不需要经常操作的数据的存储 eeprom一般用于运行时需要经常操作的用户数据的存储 参考： eeprom与flash的联系和区别详解-电子发烧友网 ...
EEPROM 和 FLASH的区别
第22条军规 @ 硬件园
05-19 1063
EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元
控制芯片中 EEPROM 与 FLASH 的区别
chengbozhe的专栏
09-27 7752
掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的少量参数保存在EEPROM中，其擦除次数较Flash多，Flash用来做程序和一些掉电保护和不需修改的数据。 Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)，而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)
EEPROM和flash区别
最新发布
09-11
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦可编程只读存储器）和Flash存储器都是非易失性存储技术，它们能够在断电后保持数据。尽管两者有相似之处，但它们在设计和使用上有一些主要的...
rom,ram,eeprom,flash区别.pdf
11-24
标题中的“rom,ram,eeprom,flash区别.pdf”是指一份文档，主要讲解了四种不同类型的半导体存储器：ROM（只读存储器）、RAM（随机访问存储器）、EEPROM（电可擦可编程只读存储器）和Flash存储器。这些存储器在计算机...
FLASH模拟EEPROM实验.zip_STM32F103 flash_flash 模拟eeprom_flash模拟eepro
07-14
首先，我们需要理解Flash和EEPROM的区别。Flash是一种快速编程和擦除的非易失性存储器，适合存放程序代码，但其擦写次数有限，频繁的写操作会影响其寿命。而EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only ...
FLASH、EEPROM、FRAM的详细特征对比.docx
06-15
在电子存储技术中，Flash、EEPROM和FRAM（铁电随机存取存储器）是三种常见的非易失性存储器，它们各自有着独特的特性和应用场景。以下是对这些存储技术的详细特征对比： 1. Flash： - **擦写方式**：Flash存储器...
FLASH与EEPROM的区别
huxiaotianxia的专栏
05-15 1766
1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。  2、从功能方面比较，EEP
EEPROM 与FLASH的区别
crjmail的博客
10-24 755
FLASH和EEPROM的最大区别 FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作， 二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同， FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器， EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。 当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多， 所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH...
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