超高压IGBT模块XNG1500AL33BE，英飞凌FZ825R33HE4D, FZ1400R33HE4, FZ1500R33HE3, FZ1000R33HL3和FZ1000RR33HE3的优质替代

XNG1500AL33BE-J11，是深圳芯能半导体技术有限公司推出对超高压3300V IGBT模块。

该模块凭借其卓越的电气性能和可靠性，可以完美替代Infineon的FZ825R33HE4D, FZ1400R33HE4, FZ1500R33HE3, FZ1000R33HL3和FZ1000R33HE3等型号。

核心特点

• 低Vcesat：XNG1500AL33BE-J11拥有极低的饱和压降，确保在高效导通状态下的最小能量损耗，提升系统整体效率。
• 高鲁棒性：该模块在各种苛刻条件下表现出色，具备卓越的抗电流冲击和耐温性能，确保在各种复杂应用中的稳定运行。
• 工作结温：工作结温150℃，进一步增强了模块在高温环境下的可靠性和耐久性。

应用领域

XNG1500AL33BE-J11设计用于各种高需求的应用场景，包括但不限于：

• 智能电网：为电力系统提供高效、稳定的电力传输和转换。
• 静止无功发生器（SVG）：在电力补偿和电能质量管理中发挥关键作用。
• 牵引系统：为电力机车和高速列车提供强劲的动力支持。
• 电机驱动：在工业电机控制中实现高效的电力转换和传输。

关键性能参数

• 电压：Vce = 3300V
• 电流：Ic = 1500A
• 饱和压降：Vcesat, Tvj=25℃时为2.45V
• 最高结温：150℃

可靠性和替代性

深圳芯能始终致力于产品品质的建设，产品采用第七代Trench + FS技术，通过了多项国际标准验证和测试。产品具有优秀的Esw, Vf, Eon, Eoff, Vce_sat等综合指标，受到国内外客户各种严格测试和认可。

结论

XNG1500AL33BE-J11，是一款高性价比，高效率、高可靠性的IGBT模块。它不仅能满足苛刻的应用需求，还能在提高系统性能的同时降低总体成本。

深圳芯能半导体技术有限公司致力于为客户提供最优质的半导体解决方案，助力您的项目取得成功。

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