Interconnection

金属层

我们可以看到第一金属层通过与N+或者P+区域连接，然后M2通过通孔VIA和M1层连接，以此类推。
我们需要清楚，越高金属层厚度越大，因为较高层的电流密度较低，选择电阻较小，受电迁移影响较小的高层金属层用来处理最重要的信号。

Wire线有几个几何参数分别为：L，W，H，tox
其中L为线长，W为线宽，H为线高，tox为该线到substrate的距离。
金属线的一些寄生属性：

1. 电阻
2. 电容
3. 电感

电阻

ρ为金属的电阻率。
其实我们可以知道，在集成电路发展的开始用铝用的多，因为制造中容易被使用。最近，技术上用铜更多一些，因为电阻率低并且抗电迁移能力（electtromigration resistance）较强，但制造比较困难。

热效应 thermal effect

电阻随着温度升高而增加，这是由于电迁移导致温度上升。电阻率也随着温度变化为变化：
ρ = ρ0(1 + α(Tm − T0))

什么是电迁移 Electromigration？

与热效应相关的一种现象，带足够能量的电子决定原子的运动，并产生雪崩效应（avalanche effect）。这种雪崩效应会造成电路的开路或者短路。这是因为电流密度到达某一值之后就会造成电迁移！

而决定抗电迁移的法则叫做black‘s law，一个最重要的评估参数为MTF（平均故障时间，以年为单位）：

J为电流密度，电流密度越低寿命越长，电流密度越高。