💖 前置知识
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置1:把开关打开(打上)
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DR(Data Register):数据寄存器
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AR(Address Register):地址寄存器
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RAM(Random Access Memory):随机存取存储器
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R0:R0寄存器
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控制信号
- LDxx(load):从总线 输入(加载)数据到 xx
- xx-B:从 xx 输送数据到 总线
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数据通路总框图
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运算类型
👨🏫 电路预设置
将 DR1 、DR2 和 AR 的 -MR位 置1, 时序发生器的 Step 置 1
有些电路图 DR1和DR2 的 -MR位 共用一个开关
😋 一波操作猛如虎
👨🏫 例子
例:求 3 + 5 ,存到存储器的某个位置
初始化(000001 100 00 11 01):全部关闭(低电平有效的位置 1)
① 把 3 存入DR1(000001 100 10 10 01):LDDR1(置1),SW-B(置0)
- 时序发生器:start
② 把 5 存入DR2(000001 100 01 10 01):LDDR2(置1),SW-B(置0)
- 时序发生器:start
③ DR1 + DR2 -> R0(100101 100 00 01 11):ALU-B(置0),LDR0(置1)
- 时序发生器:start
④ 存储单元地址 -> AR(000001 101 00 10 01):LADR(置1),SW-B(置0)
- 时序发生器:start
⑤ R0 -> 存储单元(000001 010 00 11 00):R0-BUS(置0),CE(置0),WE(置1)
- 时序发生器:start
👩🏫 补充
Tips:注意读取操作无需start ❗❗❗
- 读出DR1的数据到总线(LED):000001 100 00 01 01
- 读出DR2的数据到总线(LED):101011 100 00 01 01
- 读出R0的数据到总线(LED):00000 000 00 11 10
- 读出RAM6116存储器某地址到总线(LED)【
自求多福】:- 先指定存储单元地址 -> AR:000001 101 00 10 01
- 时序发生器:start
- 读取指定存储单元地址的数据:000001 000 00 11 01
👨🏫 减法
:负数转补码运算