STM32-FLASH

本内容基于江协科技STM32视频学习之后整理而得。

1. FLASH

1.1 简介

• STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程。（系统存储器是原厂写入的Bootloader程序，不允许我们修改的，）
• 读写FLASH的用途：
  • 利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据
  • 通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新
• 在线编程（In-Circuit Programming – ICP）用于更新程序存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序（Bootloader）下载程序
• 在程序中编程（In-Application Programming – IAP）可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序

类型	起始地址	存储器	用途
ROM	0x0800 0000	程序存储器Flash	存储C语言编译后的程序代码和常量·
	0x1FFF F000	系统存储器	存储BootLoader，用于串口下载
	0x1FFF F800	选项字节	存储一些独立于程序代码的配置参数
RAM	0x2000 0000	运行内存SRAM	存储运行过程中的临时变量
	0x4000 0000	外设寄存器	存储各个外设的配置参数
	0xE000 0000	内核外设寄存器	存储内核各个外设的配置参数

1.2 闪存模块组织

• 闪存存储器接口寄存器并不属于闪存，就是一个普通的外设，存储介质也都是RAM。闪存存储器接口寄存器是上面的（主存储器和信息块）的管理员，擦除和编程就是通过读写这些寄存器完成的。
• 主存储器和信息块是真正的闪存。主存储器就是程序存储器，启动程序代码就是系统存储器。用户选择字节就是选项字节，系统存储器和选项字节又可合称为信息块。
• 擦除和写保护都是以页为单位的。
• 写入前必须擦除，擦除必须以最小单位进行，擦除后数据位全变为1，数据只能1写0，不能0写1。擦除和写入之后都需要等待忙。
• 地址只要以000、400、800、C00结尾的，都一定是页的起始地址。
• 系统存储器容量是2K。
• 选项字节容量是16K。

1.3 FLASH基本结构

选项字节里面有很大一部分配置位，其实是配置主程序存储器的读写保护的。

1.4 FLASH解锁

• FPEC（闪存编程和擦除控制器）共有三个键值：

  RDPRT键 = 0x000000A5（解除读保护的密钥）
  KEY1 = 0x45670123
  KEY2 = 0xCDEF89AB

• 解锁：

  复位后，FPEC被保护，不能写入FLASH_CR
  在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，解锁
  错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR

• 加锁：

  设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR
  

1.5 使用指针访问存储器

• 使用指针读指定地址下的存储器：（不需要解锁）

  uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));
  首先使用指针读指定地址0x08000000下的存储器，要读取该地址下的数据就把这个地址写在这。在该地址前加上强制类型转换(__IO uint16_t *)，转换成了uint16_t的指针类型，__IO 是宏定义，对应C语言的关键字volatile（易变的数据），加上该关键字是防止编译器优化。

• 使用指针写指定地址下的存储器：（需要提前解锁，还需要加上程序存储器编程的流程，但如果是写入SRAM的，可以直接写入，因为SRAM是可读可写的。）

  *((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;

• 其中：

  #define __IO volatile

1.6 程序存储器编程–写入

• 字：32位；半字：16位；字节：8位
• 擦除之后，就可以执行写入的流程了。STM32的闪存在写入之前会检查指定地址有没有擦除，如果没有擦除就写入，STM32则不执行写入操作，除非写入的全是0，这一个数据是例外，因为不擦除就写入，可能会写入错误，但全写入0的话，写入肯定是没问题的，
• 第一步也是解锁，第二步要置控制寄存器的PG位=1，表示要写入数据。然后就是在指定的地址写入半字，这时需要用到“使用指针写指定地址下的存储器*((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;“。写入操作只能以半字的形式写入，写入半字之后，芯片会处于忙状态，等待一下BSY清0，这样写入数据的过程就完成了。

1.7 程序存储器页擦除

PER=1是页擦除，
STRT=1是触发条件，存储器开始干活，PER=1表明接下来要的活是页擦除，由于闪存不止一页，页擦除，芯片就要知道具体要擦哪一页，所以它要继续看AR寄存器的数据，AR寄存器要提前写入一个页起始地址，这样芯片就会把我们指定的一页给擦除掉。擦除开始之后，也要等待BSY位。

1.8 程序存储器全擦除

解锁过程：在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，解锁。解锁后，首先置控制寄存器里的MER(Mass Erase)位为1，然后再置STRT(Start)位为1，STRT=1是触发条件，存储器开始干活，MER=1表明接下来要的活是全擦除，这样内部电路就会自动执行全擦除的过程。擦除也是需要花一段时间的，所以擦除过程开始后，程序要执行等待，判断状态寄存器的BSY位是否为1，BSY位表示芯片是否处于忙状态，BSY位=1表示忙。如果BSY为1，就跳转回来，继续循环判断，直到BSY=0，跳出循环。最后读出并验证所有页的数据是测试程序才要做的。正常情况下，全擦除完成了，默认就是成功了。

1.9 选项字节

• RDP：写入RDPRT键（0x000000A5）后解除读保护
• USER：配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位
• Data0/1：用户可自定义使用
• WRP0/1/2/3：配置写保护，每一个位对应保护4个存储页（中容量）。4个字节总共32位，一位保护4页，总共保护32*4=128页

带n的是写入反码。意思是当你在写入RDP数据时，要同时在nRDP写入数据的反码。

1.10 选项字节编程

• 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作
• 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
• 设置FLASH_CR的OPTPG位为1（即将写入选项字节）
• 写入要编程的半字到指定的地址（指针写入操作）
• 等待BSY位变为0
• 读出写入的地址并验证数据

1.11 选项字节擦除

• 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作（第一步也是解锁，这一步相当于事前等待）
• 解锁FLASH_CR的OPTWRE位（选项字节的解锁）（解锁闪存后还要再解锁选项字节，之后才能操作选项字节）（解锁选项字节，时再OPTKEYR里先写入KEY1，再写入KEY2）
• 设置FLASH_CR的OPTER位为1（即将擦除选项字节）
• 设置FLASH_CR的STRT位为1（触发芯片，开始干活，这样芯片就会启动擦除选项字节的工作）
• 等待BSY位变为0
• 读出被擦除的选择字节并做验证

1.12 器件电子签名（ID号）

• 电子签名存放在闪存存储器模块的系统存储区域，包含的芯片识别信息在出厂时编写，不可更改，使用指针读指定地址下的存储器可获取电子签名（STM32的ID号）

• 闪存容量寄存器：

  基地址：0x1FFF F7E0
  大小：16位

• 产品唯一身份标识寄存器：

  基地址： 0x1FFF F7E8
  大小：96位

1.13 FLASH库函数

// 解锁
void FLASH_Unlock(void);
// 加锁
void FLASH_Lock(void);
// 擦除某一页
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
// 全擦除
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
// 擦除选项字节
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
// 指定地址写入字
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
// 指定地址写入半字
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
// 选项字节的写入，自定义的Data0和Data1
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
// 选项字节写保护
FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);
// 选项字节读保护
FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);
// 选项字节用户选项的三个配置位
FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);
// 获取选项字节当前的状态，获取用户选项的状态位
uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);
// 获取写保护状态
uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
// 获取读保护状态
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);
// 获取预取缓冲区状态
FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);
// 中断使能
void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);
// 获取标志位
FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);
// 清除标志位
void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);
// 获取状态
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
// 等待上一次操作，等待忙，等待BSY为0
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);