Smiti圆图

1. Smith圆图的由来

  • 最初人们在表示阻抗的时候,是在直角坐标系中表示的,如图A。但是由于R>0,所以只能使用右半平面的范围,且阻抗数值如果太大,则不容易表示在图中。
  • 为了扩大表示范围,人们首先进行归一化,那么就可以把很大的阻抗缩小在较小的空间,如图B。
  • 为了进一步扩大坐标系范围,如下图C,使 r = ?的竖直轴向水平轴弯曲,弯曲成一个闭合圆,即形成了Smith圆图。这也可以解释开路点和短路点的位置。
    图1

2. 串并联C、L时的圆图走向

串联器件看阻抗圆:
  (1)串联电感顺时针移(增加感性)
  (2)串联电容逆时针移(增加容性)
并联器件看导纳圆:
  (1)并联电感逆时针移(增加感性)
  (2)并联电容顺时针移(增加容性)
小技巧:沿着相应的圆,加电感元件,向上走;加电容元件,向下走。

3. 圆图中的任一曲线顺时针走,频率增大

  • 在你的Smith阻抗曲线上,沿着顺时针方向的频率在增大。
  • Γ(z’) = ΓL· e^(-j2βz’),且z’由负载处为0点出发指向电源,当z’增大时,负向角度(-2jβz’)在增加,指向电源,z’减小,负向角度减小,指向负载。
  • 所以当顺时针旋转的时候,指向电源,负向角度增加,即电长度 θ = L/λ = βz’ 在增加,波长减小,频率增加。
    图2

4. Smith计算S11、ΓL

  • Smith圆图上的点是ZL的实部和虚部,通过ZL计算ΓL,图中右侧的公式(归一化时)。
  • |S11| = |ΓL|,再取dB,S11= 20lg|ΓL|,在这里插入图片描述

5. 一些特点

  • 实轴上的点为纯电阻点,左半轴上的点为电压波节点,其上的刻度既代表 Rmin,又代表行波系数 K=1/ρ ;右半轴上的点为电压波腹点,其上的刻度既代表 Rmax,又代表驻波比 ρ;
    在这里插入图片描述
  • 圆图的上半平面 X> 0,呈感性,下半平面X < 0,呈容性
  • (-1,0)为短路点,R=0 X=0;(1,0)为开路点,R=∞ X=∞;圆心为匹配点,R=50 X=0
  • 在传输线上,沿着等反射系数圆逆时针旋转时,是向负载方向移动;反之,顺时针旋转,则是向电源方向移动。具体解释见第3节。
  • 圆图旋转一周对应的是1/2波长, Γ(z’) = ΓL· e^(-j2βz’),2βz’=2π时,z’=1/2λ。
  • |Γ| = 1的圆周上的点代表纯电抗点。

顺逆时针旋转匹配时电感电容大小

  • 阻抗圆,串电感,顺时针转,电抗线变陡,感性增强,XL=jwL,所以电感值要增大。
    阻抗圆,串电容,逆时针转,电抗线变陡,容性增强,Xc=-j/wc,因为阻抗虚部在往负方向增加。所以电容值在变小。注:想要走的远,那就要串联更大的电感或者更小的电容
  • 导纳圆,并电感,逆时针转,电纳线变陡,感性增强,BL=-j/wL。所以电感值要减小
  • 导纳圆,并电容,顺时针转,电纳线变陡,容性增强,Bc=jwC。所以电容值要大
    注:想要走的远,那就要串联更小的电感或者更大的电容
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