DS18B20 数字温度传感器的使用和基于RT-thread操作系统的实现

最新推荐文章于 2024-07-05 18:52:02 发布

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分类专栏：电子开发模块应用记录文章标签： RT-thread DS18B20 电子模块开发应用编程

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_37697335/article/details/96384644

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声明：此博客主要参考了原子的教程和该传感器的datasheet，其中程序主要来源于原子，在调试的过程中结合datasheet做了一部分修改。

实现读取的代码工程链接：
链接：工程示例代码
提取码：id0q

一、传感器介绍及其特点

DS18B20
DS18B20 是由 DALLAS 半导体公司推出的一种的“一线总线”接口的温度传感器。与传统的热敏电阻等测温元件相比，它是一种新型的体积小、适用电压宽、与微处理器接口简单的数字化温度传感器。一线总线结构具有简洁且经济的特点，可使用户轻松地组建传感器网络，从而为测量系统的构建引入全新概念。特点如下：

测量温度范围为-55 ~ +125℃ 。
在-10 ~ +85°C范围内, 精度为±0.5°C。
可程序设定 9~12 位的分辨率。
3.0 ~ 5.5V 的工作电压范围。
自带EEPROM，可用于存储设定分辨率及用户设定的报警温度。
转换得到一次数字输出需要750ms(Max)
数据线（DQ）也可以用来提供电源（寄生电源，实现方式见datasheet）

直接以“一线总线”的数字方式传输，大大提高了系统的抗干扰性。它能直接读出被测温度，并且可根据实际要求通过简单的编程实现 9 ~ l2 位的数字值读数方式。采用多种封装形式，从而使系统设计灵活、方便。

其ROM 中的 64 位序列号是出厂前被光记好的，它可以看作是该 DS18B20 的地址序列码，每DS18B20 的 64 位序列号均不相同。64 位 ROM 的排列是：前 8 位是产品家族码，接着 48 位是DS18B20 的序列号，最后 8 位是前面 56 位的循环冗余校验码(CRC=X8+X5+X4+1)。ROM 作用是使每一个 DS18B20 都各不相同，这样就可实现一根总线上挂接多个 DS18B20。
可以在总线上只挂载一个DS18B20时使用其的ROM指令来获取这64位的序列号。

一般的电路连接方式如下：
在这里插入图片描述

二、通信信号类型的介绍和对应代码的实现

所有的单总线器件要求采用严格的信号时序，以保证数据的完整性。
DS18B20 共有 6 种信号类型：复位脉冲、应答脉冲、写 0、写 1、读 0 和读 1。所有这些信号，除了应答脉冲以外，都由主机发出同步信号。并且发送所有的命令和数据都是字节的低位在前。

2.1、复位脉冲（单片机发送）

单总线上的所有通信都是以初始化序列开始，这里的初始化序列为复位脉冲。
主机输出低电平，保持低电平时间480 ~ 960us，以产生复位脉冲。接着主机释放总线，4.7K的上拉电阻将单总线拉高，并进入接收模式(Rx)。
代码实现
使用的是RT-thread的BSP开发，使用PIN设备框架来实现对IO的控制。

///* 引脚编号，通过查看设备驱动文件drv_gpio.c确定 */
#define DS18B20_DQ       11  /* PA11 */
//复位DS18B20
void DS18B20_Rst(void)	   
{       
    rt_pin_mode(DS18B20_DQ, PIN_MODE_OUTPUT);// 引脚为输出模式
    rt_pin_write(DS18B20_DQ, PIN_LOW);       //拉低DQ
    rt_hw_us_delay(750);                     //拉低750us（480 ~ 960us)
    rt_pin_mode(DS18B20_DQ, PIN_MODE_INPUT); //设置为输入，即可释放总线的占用
    //进入接收模式，等待应答信号。
}

RT-thread实现微秒延时的方法：微秒延时。

2.2、应答信号(DS18B20发送)

在接收到单片机发出的复位脉冲后（其实是检测到上升沿），等待15～60 us后，DS18B20拉低总线60~240 us，以产生应答脉冲。接收到此信号说明该通信线挂载有DS18B20。
代码实现

//等待DS18B20的回应
//返回1:未检测到DS18B20的存在    返回0:存在
//等待了30us,  从机回应为108us,正常。

uint8_t DS18B20_Check(void) 	   
{   
    uint8_t retry=0;
	//------------------等待时间----------------------------------
	rt_hw_us_delay(15);   						 //15 ~60us 等待
    while (rt_pin_read(DS18B20_DQ)&&retry<100)  //最多还等待100us
    {
           retry++;
           rt_hw_us_delay(1);
     };	 
    if(retry>=100)  return 1;                 //100us未响应，则判断未检测到
    else retry=0;
	 
	 //----------------------从机拉低时间开始----------------------
     
    while (!rt_pin_read(DS18B20_DQ)&&retry<240)  
    {
            retry++;
            rt_hw_us_delay(1);
    };
    if(retry>=240)  return 1;	 //最长拉低240us    
    return 0;
}

复位与应答的时间序列

在这里插入图片描述

2.3、写时序（单片机发送数据）

写时序包括写0时序和写1时序。所有写时序至少需要60us，且在2次独立的写时序之间至少需要1us的恢复时间，两种写时序均起始于主机拉低总线。利用输出低电平的时间长短来实现写1或0。

写1时序：主机输出低电平，延时2us，然后释放总线，延时60us。
写0时序：主机输出低电平，延时60us，然后释放总线，延时2us。
代码实现

//写一个字节到DS18B20
//dat：要写入的字节
void DS18B20_Write_Byte(uint8_t dat)     
 {             
    uint8_t j;  
    uint8_t testb;
    rt_pin_mode(DS18B20_DQ, PIN_MODE_OUTPUT); // DQ引脚为输出模式
    for (j=1;j<=8;j++) 
    {
        testb=dat&0x01;  
        dat=dat>>1;
        if (testb) //输出高
        {
            rt_pin_write(DS18B20_DQ, PIN_LOW);       //拉低DQ，主机输出低电平
            rt_hw_us_delay(2);                       //延时2us
			rt_pin_write(DS18B20_DQ, PIN_HIGH);       //主机输出高电平
            rt_hw_us_delay(60);                      //延时60us            
        }
        else       //输出低
        {
            rt_pin_write(DS18B20_DQ, PIN_LOW);       //拉低DQ，主机输出低电平
            rt_hw_us_delay(60);                      //延时60us

			rt_pin_write(DS18B20_DQ, PIN_HIGH);       //主机输出高电平
            rt_hw_us_delay(2);                        //延时2us        
        }  
    }
	rt_pin_mode(DS18B20_DQ, PIN_MODE_INPUT);         //设置为输入，释放总线
}

2.4、读时序（单片机读取数据）

单总线器件仅在主机发出读时序时，才向主机传输数据，所以，在主机发出读数据命令后，必须马上产生读时序，以便从机能够传输数据。
所有读时序至少需要60us，且在2次独立的读时序之间至少需要1us的恢复时间。每个读时序都由主机发起，至少拉低总线1us。主机在读时序期间必须释放总线，并且在时序起始后的15us之内采样总线状态。

典型的读时序过程为：

主机输出低电平，延时2us
然后主机转入输入模式，延时12us
然后读取单总线当前的电平，然后延时50us

代码实现

//从DS18B20读取一个位
//返回值：1/0
uint8_t  DS18B20_Read_Bit(void) 			 // read one bit
{
    uint8_t data;
    rt_pin_mode(DS18B20_DQ, PIN_MODE_OUTPUT); // DQ引脚为输出模式
    rt_pin_write(DS18B20_DQ, PIN_LOW);       //拉低DQ，主机输出低电平
    rt_hw_us_delay(2);                       //延时2us
    rt_pin_mode(DS18B20_DQ, PIN_MODE_INPUT); //设置为输入，释放总线
    rt_hw_us_delay(1);//延时1us
    
    if(rt_pin_read(DS18B20_DQ))
        data=1;//读取总线数据
    else 
        data=0;	 
    rt_hw_us_delay(60);  //延时60us（读一位至少60us）         
    return data;
}

//从DS18B20读取一个字节
//返回值：读到的数据
uint8_t DS18B20_Read_Byte(void)    // read one byte
{        
    uint8_t i,j,dat;
    dat=0;
    
    for (i=1;i<=8;i++) 
   {
      j=DS18B20_Read_Bit();
      dat=(j<<7)|(dat>>1);
   }						    
    return dat;
}

读写时间序列（读写一个位作为一个周期，至少60us）

在这里插入图片描述

三、温度获取的代码实现

DS18B20的各个ROM命令：datasheet上有说明，或者DS18B20的ROM指令中文

DS18B20的典型温度读取过程为：

MCU发送复位信号，发SKIP ROM命令（0XCC，匹配指令）。// 每次对设备发指令都需要这两步。
注：该匹配命令只适合挂载一个设备的情况下，即不需要匹配DS18B20的64位的地址编码。
发开始转换命令（0X44），温度一次转换指令，DS18B20内部实现温度转换成数字量。
延时一段时间（12bit分辨率时需要750ms）。
MCU发送复位信号，发送SKIP ROM命令（0XCC）。
发读存储器命令（0XBE），读取暂存器内容。
注：读取将从第1个字节开始，一直进行下去，直到第9（CRC）字节读完。如果不想读完所有字节，控制器可以在任何时间发出复位命令来中止读取。其中第0、1个字节分别为温度值的低位、高位。
连续读出两个字节数据(即温度)。
对得到的温度值进行转换。

转化后得到的12位数据（采用二进制补码的方式），采用如下方法进行温度换算。

1、二进制中的前面5位是符号位，如果测得的温度大于0，这5位为0，只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度。
2、如果温度小于0，这5位为1，测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际温度。

温度代码实现

//从ds18b20得到温度值
//精度：0.5度
//返回值：温度值 （-550~1250） 
int16_t DS18B20_Get_Temp(void)
{
    uint8_t temp;         //用来判断符号
    uint8_t TL,TH;
    uint16_t tem;
	rt_base_t level;
	
	level = rt_hw_interrupt_disable();    //API：进入临界区，退出前系统不会发生任务调度
	// ds1820 start convert
    DS18B20_Rst();	
	DS18B20_Check();
    DS18B20_Write_Byte(0xcc); // skip rom
    DS18B20_Write_Byte(0x44); // convert    
	rt_hw_interrupt_enable(level);    //API：退出临界区
	
	rt_thread_mdelay(800);  //等待转换完成,至少750ms
	
	level = rt_hw_interrupt_disable();    //API：进入临界区，退出前系统不会发生任务调度
    DS18B20_Rst();        //复位
    DS18B20_Check();	 
    DS18B20_Write_Byte(0xcc);   // skip rom
    DS18B20_Write_Byte(0xbe);   // 读取命令	    
    TL=DS18B20_Read_Byte(); 
    TH=DS18B20_Read_Byte();  
	rt_hw_interrupt_enable(level);    //API：退出临界区
    if(TH>7)
    {
        TH=~TH;
        TL=~TL; 
        temp=0;//温度为负  
    }else temp=1;//温度为正	  	  
    tem=TH; //获得高八位
    tem<<=8;    
    tem+=TL;//获得底八位
    tem=(float)tem*0.625;//转换 
    
    if(temp)
        return tem; //返回温度值
    else 
        return -tem;    
}

四、RT-thread实现

其实很简单，就是创建了一个线程，然后在入口函数上调用温度获取函数，得到温度值。

/* 
说明：ds18b20温度获取线程的入口函数
*/
void ds18b20_tid_entry(void *parameter)
{
    int16_t dat;
    while(1)
    {
       rt_thread_mdelay(1000); //1s读取一次     
		dat =  DS18B20_Get_Temp();    
       rt_kprintf("temp：%d\n",dat); //读取温度数据并发送到串口。 温度扩大十倍 
    }
}
void ds18b20_init(void)
{
    ds18b20_tid = rt_thread_create("ds18b20_thread",	 //线程名字
                            ds18b20_tid_entry,	 //线程入口函数  
							RT_NULL,		     //线程入口参数
                            THREAD_STACK_SIZE,	 //堆栈大小,
                            THREAD_PRIORITY, 	 //线程优先级
							THREAD_TIMESLICE);	 //时间片长度
    /* 如果获得线程控制块，启动这个线程 */
    if (ds18b20_tid != RT_NULL)
        rt_thread_startup(ds18b20_tid);  
}

效果如下：（得到的结果是扩大了十倍，由于目的仅仅是测试一下，就懒得美化结果了）
在这里插入图片描述

五、使用DS18B20注意事项

12bit分辨率的转换时间最大为750ms（别的分辨率看手册），需延时大于此值。
The power on reset register value is +85°C
TH, TL, and CONFIG必须同时连续被写（不能只写一个），
CONFIG 控制分辨率，分辨率越高，转换时间越长（默认12bit，时间为750ms）
初始化信号：每次通信必须初始化一次，
过程，主机一个复位脉冲触发，从机用一个脉冲响应，表示线上有ds18b20存在且准备操作。
Read ROM [33h]
读序列号，要求总线上只有一个从机。
Match ROM [55h]
匹配序列号
Skip ROM [CCh]
无需序列号即可读，适用于只有一个从机的情况。
Write Scratchpad [4Eh]
写TH、TL和CONFIG寄存器，三个必须一起写。
Convert T [44h]
温度开始转换命令，发送此命令，需要转换时间（12bit 750ms）
写时序
一位至少60us，且每个写周期至少有1us恢复时间。
ds18b20在检测到DQ下降沿后15~60us内采集该线信号，若为高，则为1，若为低，则为0.
读时序
从主机将DQ线从高拉低开始，保持最低1us,然后释放改为输入模式，也是从这个下降沿开始的15us，从机输出的电平就是有效值（我们要读的高或者低）。之后从机会释放总线
the sum of T INIT , T RC(上升时间) , and T SAMPLE must be less than 15 µs（读一位的时间），尽量留给采样最多的时间。