DDR3与DDR4的区别

最新推荐文章于 2025-02-20 15:43:19 发布

wenyuan7

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分类专栏： DDR 文章标签：芯片

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博客主要对比了DDR3和DDR4芯片的特性。涉及端口复用、IO电压、寄存器数量、颗粒信息读取、读训练MPR、功能支持、速率、容量、bank数量、tccd参数、preamble设置等方面，还提到DDR4支持延迟设置以节省功耗。

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1、DDR4的RAS/CAS/WE与A16/A15/A4复用端口，通过ACTN区分
2、DDR3的IO电压1.5V，DDR4的IO电压1.2V
3、DDR3只有3个MR寄存器，DDR4有6个MR 寄存器，
4、DDR3不可读颗粒信息，DDR4可读出MR的基本信息
5、DDR3的读训练MPR只有一种pattern，且不可写； DDR4读训练MPR有4种pattern，分三种输出形式，可写。
6、DDR4支持DM与DBI复用功能
7、DDR4支持CRC校验，用于检测当前比干扰出错，ALERT_n 拉低反馈
8、DDR4支持CA 奇偶校验，ALERT_n 拉低反馈
9、DDR4支持Vref 调整和trainig
10、DDR3最高速率2133， DDR4最高速率2400
11、DDR3 最大容量1GB，DDR4最大容量2GB
12、DDR3最多8 个bank，DDR4最多16个bank，分成2个bg
13、DDR3只有一种tccd，最小是4。DDR4分为同bg tccd_l，最小6，不同bg 的tccd_s，最小4。
14、DDR3的preamble 固定一周期，读和写的形状不一样。DDR4的preamble 可配置成1tCK或2tCK，读和写的形状一样。
15、DDR4支持CS和CMD/ADDR之间相差tCAL延迟，用于关闭接收电路，节省功耗。