Linux设备驱动学习打卡4

#2.2 存储器
存储器主要可分类为只读存储器(ROM)、闪存（Flash）、随机存取存储器（RAM）、光/磁介质存储器。
ROM还可再分为不可编程ROM、可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）、电可擦除可编程ROM（EEPROM）。
NOR（或非）和NAND（与非）是市场上两种主要的Flash闪存技术。两种技术各有优点，对于NOR Flash可芯片内执行，程序可以直接在存储器里运行；NAND Flash以块方式进行访问，容量大，价格低，擦除，编程速度都远超NOR Flash。两种Flash与CPU的接口方式也各有不同，NOR Flash与CPU的接口方式是类SRAM接口（包括：数据总线、地址总线、读信号、写信号、片选、字节使能、就绪/忙、中断）；NAND Flash接口包括：I/O总线（地址、指令和数据通过这组总线传输，一般为8位或16位）、芯片启动（CE）、写使能、读使能、指令锁存使能、地址锁存使能、就绪/忙（Ready/Busy，R/B#：如果NAND器件忙，R/B#信号将变为低电平。该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻）。
IDE接口可连接硬盘控制器或光驱，IDE接口信号与SRAM类似。
以上所述的各种ROM、Flash和磁介质存储器都属于非易失性存储器（NVM）的范畴，掉电时信息不会丢失，而RAM与之相反。
RAM分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM），DRAM以电荷形式进行存储，数据存储在电容器中。由于电容器会因漏电而出现电荷丢失，所以DRAM器件需要定期刷新，DRAM的存储单元是1个晶体管和1个电容器组成的。SRAM是静态的，只要供电就保持一个值，没有刷新周期，SRAM的存储单元有6个晶体管组成。RAM其实除了上述的DRAM和SRAM还有许多特殊类型的RAM，如DPRAM（双端口RAM）他可以使两个处理器之间进行数据交互；CAM（内容寻址RAM）判别输入数据与CAM中存储的数据项是否匹配，并输出该数据项对应的匹配信息；FIFO（先进先出队列）与DPRAM类似，但是某一时刻只能设置一边为输入，一边为输出。