芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第六版）课后习题

最新推荐文章于 2024-09-07 15:07:25 发布

Chervin Liu

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芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第六版）

提示：部分问题未整理，同时文章中标注的页码均对应《芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第六版）》。

文章目录

芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第六版）
一、半导体产业
二、半导体材料和化学品的特性
三、晶体生长与硅晶圆制备
四、晶圆制造和封装概述
五、污染控制
六、生产能力和工艺良品率
七、氧化
八、十步图形化工艺流程-从表面制备到曝光
九、PS

一、半导体产业

1.分立器件与集成电路之间的差异

分立器件：指由二极管、三极管、电阻电容等独立元器件组成的具有一定功能的器件。
集成电路：采用一定工艺，把一个电路中所需的元件及布线互连在一起，制作在一块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性买进。

2.定义固体、平面工艺及N型和P型半导体材料

固体是物质的一种凝聚状态。与液体和气体相比，固体有比较固定的体积和和形状，质地也比较坚硬。
平面工艺：在硅半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程，制作出晶体管和集成电路；器件和电路都是在芯片表面一层附近处，整个芯片基本上保持平坦。
N型：以电子导电为主导的半岛体；P型：以空穴导电为主的半岛体。

3.列出半导体工艺的四个重要阶段

Mm、um、次纳米、nm

4.解释集成度和至少3个不同层次的集成处理电路的影响

集成度：单块芯片上所容纳的元件数目。
SSI、MSI、LSI、VLSI、USLI
同样复杂程度的芯片，芯片面积减少，制造成本降低；同样的芯片可以提供双倍的计算能力，卖出两倍的价格；带来更低的功耗；时钟频率增加。

5.列出半导体工艺中的主要工艺和器件趋势

主要工艺：切片、磨片、抛光、外延、氧化、光刻、扩散、蒸发、压焊、封装
器件趋势：摩尔定律；特征图形的减少；芯片和晶圆尺寸的增大；缺陷密度的减小；内部连线水平的提高；半导体产业协议发展蓝图；芯片成本。
//后摩尔时代，集成电路设计方法的提高

二、半导体材料和化学品的特性

1.确定原子的组成

质子、中子、电子
//一个原子由带正电的原子核与带负电的核外电子组成。

2.命名掺杂半导体的两个独特的特性

（1）通过掺杂精确控制电阻率；（2）电子和空穴导电。

3.列出至少3中半导体材料

硅、锗、砷化镓、锗化硅、

4.与硅相比，解释砷化镓的优点和缺点

优点：
（1）载流子的高迁移率，使得在通信系统中砷化镓器件比硅器件更快地响应高频微波并有效地把它们转变成电流。
（2）砷化镓本身对辐射造成的漏电具有抵抗性。
（3）砷化镓本身是半绝缘的。使临近器件的漏电最小化，允许更高的封装密度，进而由于空穴和电子移动的距离更短，电路的速度更快了。
缺点：
在性能方面，砷化镓同锗一样，没有天然的氧化物。为了补偿，必须在砷化镓上淀积多层绝缘体。这样就会导致更长的工艺和更低的产量。而且在砷化镓中半数的原子是砷，对人类危险。在正常的工艺温度下，砷会蒸发，这需要抑制层或者加压的工艺反应式室。

5.说明N和P型半导体材料的组成和电特性的差异

N型半导体，将P掺入Si中，电子导电，极性为负；
P型半导体，将B掺入Si中，空穴导电，极性为正。

6.描述电阻率和电阻的特性

与电阻率（和电导率）相关的电因子就是特定体积材料的电阻。电阻是材料电阻率和尺寸的因子。
//电阻率越低，该材料的导电性能越好。

7.确定酸、碱和溶剂之间的不同

酸和碱的不同在于液体中离子的不同。酸中含有氢离子，而碱中含有氢氧离子。溶剂不带电，PH值为中性。

8.列出自然界的4种状态

固态、液态、气态、等离子体

9.给出原子、分子和离子的定义

原子是自然界的基本构造单元；分子是非元素材料的基本单位；离子是材料中任何电荷不平衡的原子或分子。

10.解释4种以上基本化学处理的安全规则

（1）酸和碱都会与皮肤和其它化学品发生反应，必须按规定的安全规程来存储和操作；
（2）晶圆工艺中的大多数溶剂是易挥发易燃的，要在通风良好的地方使用，要按照规定、规程来存储和使用；
（3）化学品必须满足非常高的质量要求；
（4）对于带入生产工厂的任何化学品，供应商必须提供一份材料安全数据表（MSDS），MSDS表必须填写并且员工可以获取。

三、晶体生长与硅晶圆制备

1.结晶和非结晶材料之间的差异

力学性能不同；光学性能不同；热学性能不同；耐渗透特性不同；熔点不同；排列不同。

2.解释多晶和单晶材料之间的差异

多晶晶胞之间不是规则排列的。
单晶材料比多晶材料具有更一致性和更可预测性。单晶结构允许在半导体里一致和可预测的电子流动。

3.画出两个主要用于将半导体晶片的晶体取向

<100> <111> P32图

4.说明直拉、浮区和液晶封装直拉法生长晶体

P33 P34 P35

5.画一个晶片制备工艺流程图

P37 截断-直径滚磨=晶体定向、电导率和电阻率检查-滚磨定向指示。

6.解释晶圆上定位边或定位缺口的意义和用法

意义：在制造工艺中，参考面对晶向起可见的参考作用。它用来放置第一步的光刻图案掩膜版，所以芯片的晶向总是沿着一个重要的晶面。
用法：对于更大的晶圆，在晶圆上磨出一个槽用来标识晶圆的晶向。在有些情况下，在晶体上磨出一个简单的凹槽作为生产晶向定位物。

7.描述在晶圆制造过程中晶圆倒角的益处

边缘倒角是使晶圆边缘圆滑的机器工艺。应用化学技术进一步加工边缘尽可能减少制造过程总的边缘蹦边和损伤，边缘崩边和损伤能导致碎片或成为位错线的核心，它传播到晶圆的边缘附近的芯片中。

8.描述在晶圆制造过程中平坦和无表面损伤晶圆的益处

平整度是小尺寸图案绝对必要的条件。先进的光刻工艺把所需的图案投影到晶圆表面，如果表面不平，投影将会扭曲。

四、晶圆制造和封装概述

1.确定和解释晶圆的四种基本操作

（1）薄膜工艺：在晶圆表面形成薄膜的加工工艺。这些薄膜可以使绝缘体、半导体或导体，由不同的材料，并使用多种工艺生长或淀积而成。
（2）图形化工艺：通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的待定部分出去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去部分的可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。
（3）掺杂：将特定量的杂质通过薄膜开口引入晶圆表层的工艺过程。有热扩散和离子注入两种方法。
（4）热处理：简单地将晶圆加热和冷却来达到特定结果的制程。在热处理的过程中，在晶圆上没有增加或减去任何物质。然而，工艺过程可能会在晶圆中或晶圆上面产生污染。

2.说出晶片的每一个部分

（1）芯片、器件、电路、微芯片或条码，所有这些名词指的是在晶圆表面占大部分面积的微芯片图形。
（2）划片线或街区，这些区域在晶圆上用来分隔不同芯片之间的间隔区。划片线通产是在空白的，但有些公司在间隔区内放置对准标记或测试的结构。
（3）工程试验芯片和测试芯片，这些芯片与正式器件芯片或电路芯片不同。它包括特殊的器件和电路模块用于对晶圆生产工艺的电性测试。
（4）边缘芯片，在晶圆的边缘上的一些掩膜残缺不全的芯片，而产生的面积损耗。由于单个芯片尺寸增大而造成的更多边缘浪费会由采用更大直径晶圆所弥补。推动半导体产业向更大直径晶圆发展的动力之一是为了减少边缘芯片所占的面积。
（5）晶圆的晶面。
（6）晶圆定位边。

3.画出电路设计过程流程图

P47

4.解释复合绘图和掩膜套版的定义、使用和操作

复合绘图：线路图设计开始于使用CAD将每一个电路元转化为具体的图形和尺寸。通过CAD系统构造成电路，接下来将是把最后的设计完全复制。得出的结果是一张展示所有子层的复合叠加图。此图成为复合图。
掩膜版是在玻璃底板表层镀铬。在加工完成后，在掩膜版表面会覆盖许多电路图的副本。掩膜版用于在整个晶圆表面形成图形。

5.绘制表示基本操作的掺杂序列的横截面，画一个截面图解释掺杂

掺杂是将特定量的杂质通过薄膜开口引入晶圆表层的工艺过程。有热扩散和；离子注入两种工艺方法。P53 图6 “源漏掺杂和再氧化”。

6.绘制表示基本操作的金属化序列的横截面，解释金属化的流程

第9步：薄膜工艺。在整个晶圆的表面沉积一层导电金属，该金属通常是铝的合金。
第10步：图形化工艺。通过光刻、刻蚀和去胶工艺，晶圆表面金属镀层在芯片和划片线上的部分按照电路图形除去。金属膜剩下的部分将芯片的每个元件准确无误地按照设计要求互相连接起来。
第11步：热处理工艺、紧随金属刻蚀加工后，晶圆将在氮气环境下经历加热工艺。目的是使金属与源、漏、栅进一步熔和后以获得更好的电性接触连接。
P53 图7 “接触孔光刻及金属化”。

7.绘制表示基本操作的钝化序列的横截面，解释钝化（哪一部分是钝化）

第12步：薄膜工艺。芯片器件最后一层是保护层，通常被称防刮层或钝化层。使芯片表面的元件在电测、封装、及使用时得到保护。
P53 图4.19 上层

8.确定一个集成电路芯片的部分。

P45 图4.3

五、污染控制

1.指出污染在半导体器件及其生产工艺中的三大主要影响

器件工艺良品率；器件性能；器件可靠性。

2.列出芯片生产工艺中的主要污染源

1.空气；2.厂务设备；3.净化间工作人员；4.工艺使用水；5.工艺化学溶液；6.工艺化学气体；7.静电；8.工艺设备。

3.定义净化间的洁净等级

M-1、1、10、100、1000、10000
//P60

4.列举等级分为100、10和1的芯片生产区域的微尘密度。

P60

5.描述正压环境、风淋室以及黏性地板垫在保持环境洁净度中所起的作用

洁净间的空气压力最高，更衣间次之，场区和走廊最低。当净化间的们打开时，相对的高压可防止空气灰尘的进入。
风淋间：净化间与更衣间之间。净化间工作人员进入风淋间，高速流动的空气吹掉洁净服外面的颗粒。并且风淋间有装有互锁系统，防止前后门同时打开。
黏性地板垫：放置在净化间入口处，它可以把鞋底的赃物粘住并保留下来。在有些净化间里，整片底板的表面都被处理过以收集赃物。大多数地板垫都分许多层，当上一层变脏后，可撕掉而露出下一层。

6.描述用“晶圆隔离”控制污染的两个优点。

（1）可以提供更优的温度与湿度控制。
（2）可使空气洁净度达到更高要求，因污染而损失的良品率可降低，并可降低建造和生产费用。

7.列出至少三种在芯片场中尽量减少人污染的技术方法。

（1）禁止穿用毛线和棉线编制的服装，而且洁净服要支撑制成高领长袖口。
（2）把人员完全包裹起来，而且净化间工作人员的洁净服材料因洁净度要求不同而不同。
（3）皮肤脱落物可用特制的润肤品进一步控制。

8.识别在通常所说的水中存在的3中污染物，以及在半导体生产厂中对他们的控制

1.溶解的矿物；2.颗粒；3.细菌；4.有机物；5.溶解氧；6.二氧化硅
固态物质（颗粒）通过沙石过滤器、泥土过滤器/或亚微米级薄膜从水中去除。细菌和真菌可用消毒水去除、消毒器使用紫外线杀菌，并通过水流中的过滤器滤除。有机物污染（植物与排泄物）可以通过碳类过滤器去除。溶解氧与二氧化碳可用碳酸去除剂和真空消毒剂去除。

9.描述通常所说的工业化学品和半导体级纯度的化学品之间的区别

工业化学品分不同级别，它们分一般商业纯度、化学纯度、电子级和半导体级。前两者对于半导体使用来说过脏，电子级与半导体级相对来说洁净些，但不同制造商所产生化学品的洁净度也是不同的。

10.说出两个由高静电等级引起的问题以及两种控制静电的方法。

亚微米级晶圆集成电路越密，就越容易受到静电吸附到晶圆表面的较小微粒的影响。从空气和工作服中吸附的尘埃可污染到晶圆，而且静电吸附的微粒很难用标准的刷子或是湿洗的方法去除。
对电子元器件的性能有影响。特别是MOS栅极的电介质层的影响。静电电流（ESD）会产生高大10A的电流，这种级别的ESD可损坏MOS管与电路。ESD对元件的封装区域也有特别的影响。
光刻掩膜工艺的掩膜版对ESD也非常敏感。放电可气化并损坏镀铬掩膜层。有些设备故障也与静电有关。特别是机械手、晶圆传送装器、测量仪器。
静电控制：防止静电积累，使用防静电物质制造的工作服和加工时的存储盒（在一些区域中，墙壁中使用防静电物质来防止静电的积累，在墙壁表面图上中和物质来达到此目的）。放电技术：使用电离器和使用静电接地带。

11.列举典型的晶圆冲洗技术。

喷洒式冲洗、超声波辅助进行的清洗和浸洗、溢流式或级联式清洗

六、生产能力和工艺良品率

1.指出三个良品率的主要测量点

晶圆制造工艺完成时、晶圆中测后、封装完成时并进行中测

2.解释晶圆直径、芯片尺寸、芯片密度、边缘芯片数量和制程缺陷密度对晶圆电测良品率的影响

晶圆直接越大，芯片尺寸越小、芯片密度越高、边缘芯片数量越少、制程缺陷密度越低，晶圆电测良品率越高。

3.通过单步制程良品率来计算出积累晶圆生产良品率

P86 站良品率=离开制程站’s晶圆数/进入此站的晶圆数’s

4.解释及计算整体工艺良品率

P95 晶圆生产厂良品率·晶圆电测良品率·封装良品率

5.对影响制造良品率的四个主要方面做出解释。

1.工艺制程步骤的数量；2.晶圆破碎和弯曲；3.工艺制程变异，工艺制程缺陷；4.光刻掩膜版缺陷。

6.建立良品率相对时间的曲线来反映不同工艺和电路的成熟程度。

开始阶段，许多初始阶段的问题被之间解决，良品率上升较缓。接下来是一个良品率迅速上升的阶段，最终良品率会稳定挂在一定的水平上，它取决于工艺成熟的横渡，芯片模尺寸，电路集成程度，电路密度，和缺陷密度共同作用。如果产品的产量进入下降期，由于设备的老化和工程力量投入的减少，良品率通常开始下降。

七、氧化

1.列出硅器件中，二氧化硅膜层的三种基本用途

（1）保护器件表面及内部。在表面形成的二氧化硅密度非常高（无孔），非常硬。因此二氧化硅其污染阻挡层的作用，它可以阻挡环境中的赃物侵入敏感的晶圆表面。同时，它的硬度可防止晶圆表面在制造过程中被划伤及增强晶圆在生产流程中的耐用性。
（2）二氧化硅对器件的保护源于其化学特性。氧化过程中，硅的最上一层成为二氧化硅，污染在表面形成新的氧化层，远离电子活性表面。其他污染物被禁锢在二氧化硅膜中，在那里对器件而言伤害是很小的。

2.描述热氧化机制

P100 热氧化机制

3.概略了解和识别反应炉的基本结构组成

生产中的石英反应炉是一个由7种不同不见组成的集成系统：1.反应室；2.温度控制系统；3.反应炉；4.气体柜；5.晶圆清洗台；6.装片台；7.工艺自动化。

4.简略画出干氧化反应的系统图

P112 图“干氧”（干蒸气）水汽源

5.画出一个典型的氧化工艺流程图

P14 图氧化工艺流程

6.解释在二氧化硅膜层经过热生长形成膜层厚度里反应时间、压力及温度之间的相互关系

P102 图二氧化硅厚度与时间、温度之间的关系图。反应时间越长，温度越高，压力越低（惰性气体中，干氧氧化与蒸气氧化在结构和性能上十分相似），膜厚度越厚。

7.描述快速氧化、高压氧化、阳极氧化的反应原理及用途

快速热氧化（RTP）：RTP工艺基于热辐射原理，晶圆被自动放入一个有进气口和出气口的反应室中。在内部，加热源在晶体的上面或下面，使晶面被快速加热。RTP系统快速升温降温可以提供所需的控制能力，用于常压、低压及超高真空设计。
高氧氧化：这些系统结构很像传统的水平式反应炉，但这种炉管是密封的并且氧化剂被用10-25倍大气压的压力泵入炉管。高压氧化的外围要求用一个不透明钢套包住石英管以防止爆裂。在高氧氧化中生成的栅极比在常压时生成的栅极绝缘性强。高压氧化工艺也可以解决在局部氧化中产生的“鸟嘴”问题。