版图设计知识总结

提示：本篇总结了版图设计课程所学内容，对应“版图设计实例练习”。

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一、半导体基础

  导线粗细取决于电流大小，半导体器件本质上是电流控制器。
  掺杂的方式有高温扩散和离子注入两种。
  绘制版图讲究对称，在衬底上绘制多个接触孔有助于提高良率。
  N型半导体：在本征半导体中加入无价（磷）元素之后，加入的元素原子与周围的四价原子形成共价键之后会多出来一个自由电子，这种半导体称为N型半导体，掺入的五价杂质叫做施主杂质。
  P型半导体：在本征半导体中加入三价（硼）元素之后，加入的元素原子与周围的四价原子形成共价键之后会多出来一个空穴，这种半导体称为P型半导体，掺入的三价杂质叫做受主杂质。
  晶圆：晶圆是指半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故而称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元器件结构，而成为有特定电性功能IC产品。晶圆的原始材料是硅，晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。
  光刻胶分为正胶和负胶，可被特殊光线照射，照射后会发生质变。正胶：光照质变，特殊溶液A清洗质变部分，特殊溶液B清洗未变质部分。负胶：光照质变，特殊溶液A清洗未质变部分，特殊溶液B清洗变质部分。生产时，有时需要先清洗质变部分，有时需要先清洗非质变部分，而往往先A后B，所以正胶和负胶都会用到。
  版图（layout）、掩膜版（mask）及晶圆（wafer）之间的关系是，首先画出版图，然后将其转换成GDS数据交给代工厂，然后代工厂根据数据来制备掩膜版，最后在晶圆上进行其他的操作。
  关于PN结，首先p区和n区的多子因浓度差发生扩散运动，进而形成内电场，即空间电荷区，也称耗尽层，n区为正，p区为负。在内电场的作用下，p区与n区多子的扩散运动受到抑制，少子的漂移运动加强。一段时间后扩散与漂移达到动态平衡。若添加正向偏压，即p区接正极，n区接负极，则p区少子向外部电源正极运动，外部电源负极电子向n区移动，内建电场减弱，扩散作用增强，产生较大正向电流。反之，添加反向偏压，即p区接正极，n区接负极，则p区多子向外部电源负极移动，n区多子向电源正极移动，内建电场增强，漂移运动增强，产生反向电流。
二极管具有正向导通，反向截止的特性，反向截止更为常用。二极管在正向偏置时呈现出不同的特性。
  源漏共用不只是指源极和漏极合并在一起，而包含的是源极和源极、源极和漏极以及漏极和漏极。它是指把具有相同连接属性的源极和源极、源极和漏极以及漏极和漏极合并在一起。
  MOS管参数：沟道长度（gate length）（L）、沟道宽度（gate witdth）（W）。
  N阱CMOS工艺采用轻掺杂P型硅，晶圆片作为衬底，在衬底上做出N阱，用于制作PMOS晶体管，而在P型硅衬底上制作NMOS晶体管。
  使用Cadence绘图时的常用层次：diff（有源区），Poly（栅），Nwell（n阱），NIMP（n注入），PIMP（p注入），Cont（接触孔），Metal（金属）。diff有源区（薄氧），确定S、G、D、sub的具体位置。

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二、Linux指令

  通过vnc登录服务器，查看自己的用户名（whoami）。在home文件夹下有很多的用户文件夹，找到属于自己的用户目录。每个用户只能修改自己用户目录下的文件或文件夹，对其他用户的文件或文件夹无修改权限，根目录（“/”）为Linux目录的最高级。
  打开终端（Terminal），在桌面右键”Open Terminal”，若是在文件夹中进入终端，查看当前地址，就是此文件夹的绝对地址。

指令	含义
whoami	查看用户
“cd”回车	返回用户目录
“cd”空格+文件绝对路径	进入该文件，只能访问该文件
ls	List Directory Contents，列出当前路径下所有文件和文件夹，不包含隐藏文件及文件夹
pwd	Print Working Directory，查看当前路径

  用source cadence启动cadence。这里的环境不要关闭，不然cadence会随之关闭。可以通过pwd确认当前路径，通过ls看到当前文件夹的目录中有cadence，通过source cadence启动cadence。若该文件下没有cadence，则需要从他人文件夹进行复制。
  “what’s new Overview”对话框可直接关闭，保留virtuoso。点击Tools -> Library manager->选择Library、cell及view->右键open打开文件。此处是有提前好的文件。
  可能页面没有直接弹出，点击下方任务栏就可以显示了。此时，左侧层次栏、右侧画图区是可以操作的。若左侧层次栏没有层次，或右侧画图区不可编辑，请删除该cadence文件，重新复制cadence相关文件。
  rm 是unix系统下文件删除指令，可以删除一个目录中的一个或多个文件或目录，也可以将某个目录及其下属的所有文件及其子目录均删除掉。对于链接文件，只是删除整个链接文件，而原有文件保持不变。
  -rf -r递归地处理文件，即处理该目录及其所有子目录下符合条件的文件；-f无提示强制删除。

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三、Virtuoso操作

操作	效果
选中	鼠标左键点击或左键框选，通过select后面值来判断。
ctrl+a	全选
ctrl+d	全不选
f	最佳试图
esc	退出当前指令。注意不要打开大写标识符。
i	引用元器件nmos。Shift+F可查看详细版图。
shift+z键或滚轮向后	缩小
按ctrl+z键或滚轮向前	放大
按住右键框选	精准放大
滚轮或右击Rotate	旋转。调用元器件时下方的Rotate，Sideways，Upside Down，可以对元器件的方向进行操作。
f2（Fan+f2）或者菜单里“保存”	保存
o	Create Via，金属到其他层的通孔，常用M1到多晶硅。
q	查看、设置元器件属性，器件nch、pch的l和w、通孔的长和宽、器件左右cont是否保留、改变注入类型等。
r	画矩形
m	移动。注意参考点。
k	打标尺。单位um。注意参考点Shift+f清除所有标尺。
s	拉伸。注意参考点。选择拉伸对象时，用按住左键框选，直接单击可能选择了整个边框。
l	打标签。可以设置字体格式以及字体大小。lable 名称1 名称2 名称3…可以循环地打多个标签，标签状态下按下鼠标滚轮可实现旋转。

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四、版图设计规则及验证

1.设计规则

  设计规则是由几何限制条件的和电学限制条件共同确定的版图设计的几何规定，这些规定是以掩膜版各层几何图形的宽度、间距及重叠等最小容许值的形式出现的。
  虽然不同特征尺寸，不同的芯片制造商的版图设计规则是不一样的，但设计规则一般包括：最小宽度w，最小间距l，最小延伸e。
  宽度：封闭几何图形的内边之间的距离，由工艺（光刻）决定。间距：各几何图形外边界之间的距离，需要避免短路。延伸：一几何图形外边界到另一图形内边界的长度。

2.验证

  DRC验证：启动DRC图形界面 ->选择DRC文件 ->选择DRC存放路径（更改所跑结果存放路径） ->点击Run DRC ->查看DRC结果 ->修改版图以满足DRC检查。
  DRC flow: calibre用DRC rule及由layout得到的GDS数据得到DRC report。
  LVS验证：菜单栏点击Calibre的Run LVS ->lvs文件路径 ->更改所跑结果存放路径 ->点击inputs->Netlist，选择合适的网表文件，设置好文件路径 ->选择Top Cell。

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五、 网表书写

.SUBCKT 电路图名称 电路引脚
管子名称1 漏 栅 源 衬 管子类型 l=沟道长度 w=沟道宽度 m=管子个数
管子名称2 漏 栅 源 衬 管子类型 l=沟道长度 w=沟道宽度 m=管子个数
······.
.ENDS