【电路】①从微小晶片到宏大创新

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前言:半导体(semiconductor)：从晶体管诞生到人工智能崛起，一场跨越世纪的伟大旅程。

关键词:半导体、PN结 、硅材料、BJT & MOSFET

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一、PN结

​ PN结是一个简单的概念，你可以想象它就像是一道“电子门”，一道门通过控制会有很多程度的开度，而非只能打开一半。所以半导体就会有“全开”、“全闭”、“介于它们之间的半开”。

​ 半导体材料（如 硅 (Si) 和 锗 (Ge)）是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它们的导电性能可以通过人为掺杂杂质元素进行调节。掺杂是指在纯净半导体材料中加入少量其他元素，以改变其电子结构，从而改变其导电性能。

• N型半导体： 在硅或锗中掺杂五价元素，例如 磷 § 或 砷 (As)，这些杂质会贡献自由电子，使得半导体内部电子的数量多于空穴（即缺乏电子的位置），因此主要依靠自由电子导电。

• P型半导体： 若在硅或锗中掺杂三价元素，例如 硼 (B) 或 镓 (Ga)，这些杂质会在半导体晶格中创造额外的空穴，使得空穴数量多于自由电子，此时半导体主要依靠空穴导电。

​ PN结： 当一片N型半导体与一片P型半导体紧邻放置并紧密结合时，就会在它们交界处形成一个区域，即PN结。在这个交界区域，N型半导体中的自由电子会扩散到P型半导体区域，而P型半导体的空穴也会扩散到N型区域。扩散过程中，电子和空穴相遇并重组，从而在两者的交界处形成一个没有多余载流子（即没有净电子也没有净空穴）的区域，称为“耗尽区”或“空间电荷区”。

​ 在其交界处，由于两种半导体材料中载流子（电子和空穴）的浓度差异，会产生一种特殊的物理现象：

1. 扩散效应：由于N型半导体中的电子浓度较高，P型半导体中的空穴浓度较高，所以在无外加电压时，电子会从N型区扩散到P型区，空穴则从P型区扩散到N型区。扩散的结果在两者交界处形成了一个缺少载流子的薄层，即空间电荷区，又称耗尽区。

2. 内建电场：由于空间电荷区中负电荷（电子）聚集在一边，正电荷（空穴）聚集在另一边，自然形成了一个从P型指向N型的内建电场。

3. 单向导电性：顺应N区 -> P区，导通；阻止N区 -> P区，不导通。

   • 正向偏置（P+连接电源正极，N-连接电源负极）时，顺应 N区 -> P区，外部电压削弱了内建电场，允许更多的电子和空穴穿越PN结，结区电阻降低，电流可以顺利通过。

   • 反向偏置（P+连接电源负极，N-连接电源正极）时，阻止 N区 -> P区，外部电压加强了内建电场，阻止大多数载流子穿越PN结，结区电阻极高，几乎无电流流过。

因此，PN结具有单向导电性，这是半导体器件如二极管、晶体管等的核心原理。

二、PN结改变世界：大规模集成电路

晶体管

​ 基于PN结的晶体管主要有两种类型：双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

1. 双极型晶体管（BJT）：
   • NPN型晶体管：由两个N型半导体中间夹一层P型半导体组成。

• PNP型晶体管：与NPN型相反，由两个P型半导体中间夹一层N型半导体构成。

  优点：

  • 较高的电流增益（β或hfe），非常适合放大电路。

• 在电流驱动模式下具有良好的线性和高速切换性能。

  缺点：

  • 功耗相对较大，因为它们的工作基于载流子（电子和空穴）的运动，需要较大的基极电流来控制集电极电流。

• 易受温度影响，导致工作点漂移。

2. 场效应晶体管（FET）：

   • 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） 包括NMOS和PMOS，是集成电路中最常用的FET类型。
     • NMOS：在P型半导体衬底上形成两个N型区和一个绝缘层上的金属栅极。
     • PMOS：与NMOS相反，衬底是N型，源漏极是P型。

   优点：

   • 电压驱动型，只需要很小的栅极电压就能控制很大的漏极电流，因此静态功耗小。
   • 温度稳定性好，阈值电压受温度影响较小，利于电路稳定工作。
   • 制造工艺较先进，易于集成，可实现高密度的大规模集成电路（LSI和VLSI）。

   缺点：

   • 电流驱动能力相比于BJT较弱，不适合高压大电流应用。
   • 输入阻抗非常高，但同时也容易受到静电放电损坏。

大规模集成电路（LSI和VLSI）的发展正是基于这两种晶体管的优越特性。通过不断改进的半导体工艺，可以在同一硅片上集成成千上万甚至数十亿个晶体管。随着平面工艺、光刻技术和薄膜沉积技术的进步，可以将晶体管做得越来越小，间距越来越密集，从而大大提高了集成度。

在集成电路发展中，最初的BJT技术推动了中小规模集成电路的发展，但由于其功耗和面积占用等问题，后来逐渐被MOSFET取代。MOSFET具有更低的功耗、更小的体积以及更佳的可控性，成为现代数字逻辑电路和微处理器设计的基石。随着CMOS（互补金属氧化物半导体）技术的成熟，实现了N沟道和P沟道MOSFET在同一芯片上的互补配置，极大地降低了静态功耗，促进了大规模集成电路产业的快速发展。

二极管

​ 二极管不属于BJT（双极结型晶体管）也不属于FET（场效应晶体管）。二极管是一种具有两个电极（阳极和阴极）的半导体器件，其工作原理仅基于PN结的单向导电性。结构属性决定它不具备BJT或FET的三极或多极结构和工作方式。二极管主要用于整流、钳位、稳压、开关和检波等各种电路功能中，与BJT和FET在电路中起到的作用不同，是电子技术中另外一类基础的半导体元件。

三、用途决定结构

​ 二极管和晶体管，不同的用途决定它们被设计成什么样的结构，它们的主要区别在于结构、工作原理以及在电路中的功能。

1. 结构区别： 了

   • 二极管：具有两个终端，分别是阳极（Anode）和阴极（Cathode），结构上由P型和N型半导体材料形成的PN结构成。

• 晶体管：通常有三个终端，分别是基极（Base）、集电极（Collector）和发射极（Emitter），晶体管可以是双极结型晶体管（BJT）或场效应晶体管（FET）。BJT由两个背靠背的PN结组成，而FET则是由一个通道区域和至少一个控制电极组成。

2. 工作原理区别：

   • 二极管：主要特点是单向导电性，即在正向偏置（阳极接正电压，阴极接负电压）时，二极管导通，允许电流通过；在反向偏置时，二极管截止，几乎不导通电流（除非电压超过其击穿电压）。
   • 晶体管：
     • BJT：工作原理基于少数载流子的注入和复合，通过控制基极电流来改变集电极和发射极之间的电流，实现电流放大和开关功能。
     • FET：分为结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它们利用电场控制半导体通道中的电流，而不是像BJT那样通过注入载流子。MOSFET通过改变栅极（相当于基极）与通道间的电势差来控制源极（相当于发射极）到漏极（相当于集电极）的电流。

3. 功能区别：

   • 二极管：主要用于整流、钳位、稳压、开关和防止反向电压破坏电路元件等。

   • 晶体管：

     • BJT：广泛应用于电流放大、电压放大和功率放大电路，以及作为电子开关元件。
     • FET：因其高输入阻抗和低噪声特性，适用于高频放大、信号处理电路以及大规模集成电路中的逻辑门和存储器单元等。同时，FET也有很好的开关性能，被大量用于电源开关和电机驱动等领域。

   简单总结就是 二极管是完全的不可控制单向导通实现单向通过，晶体管是可控制的完全或不完全的单向导通可以实现双向通过。这里的单向导通性仍然是指载流子(电子)从N区 ->P区。二极管和晶体管都是半导体技术中的关键部件，但晶体管不仅可以实现电流的单向导通（在开关模式下），更重要的是它具有放大信号的功能，即控制极（基极或栅极）上的小电流变化可以引起集电极或漏极电流大的变化，而二极管则主要是实现单向导电控制。

四、生活中的半导体

1. 二极管的常见用途实例：

   • 电源适配器和充电器：在电源适配器和手机充电器内部，都使用了整流二极管，将交流电转化为直流电。例如，桥式整流电路中的四个二极管，负责将交流电的正负半周全部转换为单向脉动直流电。
   • LED照明：发光二极管（LED）实质上是一种特殊的二极管，当正向偏置时会发出可见光。许多LED灯泡、指示灯和显示屏都是由大量的LED二极管组成的。
   • 电视遥控器：红外发射头内部就包含了一种特殊的发光二极管，用于发送编码的红外信号。
   • 保护电路：在许多电子设备中，如电脑主板、电视等，都装有瞬态电压抑制（TVS）二极管，用于防止过电压对电路造成损害。

2. 晶体管的常见用途实例：

   • 开关电源：开关电源中的开关器件通常是MOSFET或IGBT等类型的晶体管，利用它们的开关特性，通过高频开关动作实现电能的转换和调节，如笔记本电脑的电源适配器和智能家居设备的电源模块。
   • 音频放大器：无论是家用音响系统还是耳中，都大量使用了晶体管（如BJT或MOSFET），它们可以放大微弱的音频信号，使之足以驱动扬声器或耳机。
   • 处理器：几乎所有现代电子设备的核心——处理器/微控制器，其内部包含了大量的晶体管，用于逻辑运算和存储信息，比如智能手机、计算机CPU与GPU。
   • 电机驱动：在电动工具、电动汽车和工业自动化设备中，常常使用晶体管（如MOSFET或IGBT）构成的逆变器电路来驱动电机，实现对电机转速和方向的精确控制。

   二极管和晶体管在日常生活和工业应用中广泛而隐蔽的存在，尽管我们可能看不见它们的实体，但它们在电子产品中发挥着至关重要的作用。

五、MOS管简单用

在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的导通条件是不同的：

• N沟道MOSFET（N-type MOSFET）： 当栅极（G）相对于源极（S）有足够的正电压时（即栅极相对于源极为高电平），在栅极与衬底之间的绝缘层下面会形成导电沟道，使得源极和漏极（D）之间能够导通电流。在很多应用中，N沟道MOSFET的源极常常接地（GND），因此可以说N沟道MOSFET在“高电平”时导通。
• P沟道MOSFET（P-type MOSFET）： P沟道MOSFET的导通条件恰恰相反，当栅极（G）相对于源极（S）有足够的负电压时（即栅极为低电平，相对于源极为负电压），会在栅极与衬底之间形成导电沟道，允许源极和漏极之间的电流通过。在某些应用中，P沟道MOSFET的源极也可以接地，这时它将在“接地”（低电平）时导通。

总结来说，N沟道MOSFET在栅极相对于源极为高电平时导通，而P沟道MOSFET在栅极相对于源极为低电平时导通。在实际电路设计中，根据电路需求和电源极性，会选择合适的MOSFET类型，并且通常会有一个参考地平面，以便定义和控制所谓的“高电平”和“低电平”。在常见的CMOS逻辑门电路或者开关电路中，NMOS和PMOS常组合使用，利用它们各自的导通特性实现对信号的切换，从而实现低功耗、高速度的逻辑功能。在实际应用中，NMOS通常用于拉高负载（即作为“高位”开关），而PMOS则用于拉低负载（即作为“低位”开关）。