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前言
:半导体(semiconductor):从晶体管诞生到人工智能崛起,一场跨越世纪的伟大旅程。关键词:半导体、PN结 、硅材料、BJT & MOSFET
一、PN结
PN结是一个简单的概念,你可以想象它就像是一道“电子门”,一道门通过控制会有很多程度的开度,而非只能打开一半。所以半导体就会有“全开”、“全闭”、“介于它们之间的半开”。
半导体材料(如 硅 (Si) 和 锗 (Ge))是一种介于导体和绝缘体之间的材料,它们的导电性能可以通过人为掺杂杂质元素进行调节。掺杂是指在纯净半导体材料中加入少量其他元素,以改变其电子结构,从而改变其导电性能。
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N型半导体: 在硅或锗中掺杂五价元素,例如 磷 § 或 砷 (As),这些杂质会贡献自由电子,使得半导体内部电子的数量多于空穴(即缺乏电子的位置),因此主要依靠自由电子导电。
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P型半导体: 若在硅或锗中掺杂三价元素,例如 硼 (B) 或 镓 (Ga),这些杂质会在半导体晶格中创造额外的空穴,使得空穴数量多于自由电子,此时半导体主要依靠空穴导电。
PN结: 当一片N型半导体与一片P型半导体紧邻放置并紧密结合时,就会在它们交界处形成一个区域,即PN结。在这个交界区域,N型半导体中的自由电子会扩散到P型半导体区域,而P型半导体的空穴也会扩散到N型区域。扩散过程中,电子和空穴相遇并重组,从而在两者的交界处形成一个没有多余载流子(即没有净电子也没有净空穴)的区域,称为“耗尽区”或“空间电荷区”。
在其交界处,由于两种半导体材料中载流子(电子和空穴)的浓度差异,会产生一种特殊的物理现象:
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扩散效应:由于N型半导体中的电子浓度较高,P型半导体中的空穴浓度较高,所以在无外加电压时,电子会从N型区扩散到P型区,空穴则从P型区扩散到N型区。扩散的结果在两者交界处形成了一个缺少载流子的薄层,即空间电荷区,又称耗尽区。
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内建电场:由于空间电荷区中负电荷(电子)聚集在一边,正电荷(空穴)聚集在另一边,自然形成了一个从P型指向N型的内建电场。
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单向导电性:顺应N区 -> P区,导通;阻止N区 -> P区,不导通。
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正向偏置(P+连接电源正极,N-连接电源负极)时,
顺应 N区 -> P区
,外部电压削弱了内建电场,允许更多的电子和空穴穿越PN结,结区电阻降低,电流可以顺利通过。 -
反向偏置(P+连接电源负极,N-连接电源正极)时,
阻止 N区 -> P区
,外部电压加强了内建电场,阻止大多数载流子穿越PN结,结区电阻极高,几乎无电流流过。
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因此,PN结具有单向导电性,这是半导体器件如二极管、晶体管等的核心原理。
二、PN结改变世界:大规模集成电路
晶体管
基于PN结的晶体管主要有两种类型:双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。
- 双极型晶体管(BJT):
- NPN型晶体管:由两个N型半导体中间夹一层P型半导体组成。
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PNP型晶体管:与NPN型相反,由两个P型半导体中间夹一层N型半导体构成。
优点:
- 较高的电流增益(β或hfe),非常适合放大电路。
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在电流驱动模式下具有良好的线性和高速切换性能。
缺点:
- 功耗相对较大,因为它们的工作基于载流子(电子和空穴)的运动,需要较大的基极电流来控制集电极电流。
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易受温度影响,导致工作点漂移。
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场效应晶体管(FET):
- 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 包括NMOS和PMOS,是集成电路中最常用的FET类型。
- NMOS:在P型半导体衬底上形成两个N型区和一个绝缘层上的金属栅极。
- PMOS:与NMOS相反,衬底是N型,源漏极是P型。
优点:
- 电压驱动型,只需要很小的栅极电压就能控制很大的漏极电流,因此静态功耗小。
- 温度稳定性好,阈值电压受温度影响较小,利于电路稳定工作。
- 制造工艺较先进,易于集成,可实现高密度的大规模集成电路(LSI和VLSI)。
缺点:
- 电流驱动能力相比于BJT较弱,不适合高压大电流应用。
- 输入阻抗非常高,但同时也容易受到静电放电损坏。
- 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 包括NMOS和PMOS,是集成电路中最常用的FET类型。
大规模集成电路(LSI和VLSI)的发展正是基于这两种晶体管的优越特性。通过不断改进的半导体工艺,可以在同一硅片上集成成千上万甚至数十亿个晶体管。随着平面工艺、光刻技术和薄膜沉积技术的进步,可以将晶体管做得越来越小,间距越来越密集,从而大大提高了集成度。
在集成电路发展中,最初的BJT技术推动了中小规模集成电路的发展,但由于其功耗和面积占用等问题,后来逐渐被MOSFET取代。MOSFET具有更低的功耗、更小的体积以及更佳的可控性,成为现代数字逻辑电路和微处理器设计的基石。随着CMOS(互补金属氧化物半导体)技术的成熟,实现了N沟道和P沟道MOSFET在同一芯片上的互补配置,极大地降低了静态功耗,促进了大规模集成电路产业的快速发展。
二极管
二极管不属于BJT(双极结型晶体管)也不属于FET(场效应晶体管)。二极管是一种具有两个电极(阳极和阴极)的半导体器件,其工作原理仅基于PN结的单向导电性。结构属性决定它不具备BJT或FET的三极或多极结构和工作方式。二极管主要用于整流、钳位、稳压、开关和检波等各种电路功能中,与BJT和FET在电路中起到的作用不同,是电子技术中另外一类基础的半导体元件。
三、用途决定结构
二极管和晶体管,不同的用途决定它们被设计成什么样的结构,它们的主要区别在于结构、工作原理以及在电路中的功能。
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结构区别: 了
- 二极管:具有两个终端,分别是阳极(Anode)和阴极(Cathode),结构上由P型和N型半导体材料形成的PN结构成。
- 晶体管:通常有三个终端,分别是基极(Base)、集电极(Collector)和发射极(Emitter),晶体管可以是双极结型晶体管(BJT)或场效应晶体管(FET)。BJT由两个背靠背的PN结组成,而FET则是由一个通道区域和至少一个控制电极组成。
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工作原理区别:
- 二极管:主要特点是单向导电性,即在正向偏置(阳极接正电压,阴极接负电压)时,二极管导通,允许电流通过;在反向偏置时,二极管截止,几乎不导通电流(除非电压超过其击穿电压)。
- 晶体管:
- BJT:工作原理基于少数载流子的注入和复合,通过控制基极电流来改变集电极和发射极之间的电流,实现电流放大和开关功能。
- FET:分为结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它们利用电场控制半导体通道中的电流,而不是像BJT那样通过注入载流子。MOSFET通过改变栅极(相当于基极)与通道间的电势差来控制源极(相当于发射极)到漏极(相当于集电极)的电流。
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功能区别:
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二极管:主要用于整流、钳位、稳压、开关和防止反向电压破坏电路元件等。
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晶体管:
- BJT:广泛应用于电流放大、电压放大和功率放大电路,以及作为电子开关元件。
- FET:因其高输入阻抗和低噪声特性,适用于高频放大、信号处理电路以及大规模集成电路中的逻辑门和存储器单元等。同时,FET也有很好的开关性能,被大量用于电源开关和电机驱动等领域。
简单总结就是 二极管是完全的不可控制单向导通实现单向通过,晶体管是可控制的完全或不完全的单向导通可以实现双向通过。这里的单向导通性仍然是指载流子(电子)从
N区 ->P区
。二极管和晶体管都是半导体技术中的关键部件,但晶体管不仅可以实现电流的单向导通(在开关模式下),更重要的是它具有放大信号的功能,即控制极(基极或栅极)上的小电流变化可以引起集电极或漏极电流大的变化,而二极管则主要是实现单向导电控制。 -
四、生活中的半导体
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二极管的常见用途实例:
- 电源适配器和充电器:在电源适配器和手机充电器内部,都使用了整流二极管,将交流电转化为直流电。例如,桥式整流电路中的四个二极管,负责将交流电的正负半周全部转换为单向脉动直流电。
- LED照明:发光二极管(LED)实质上是一种特殊的二极管,当正向偏置时会发出可见光。许多LED灯泡、指示灯和显示屏都是由大量的LED二极管组成的。
- 电视遥控器:红外发射头内部就包含了一种特殊的发光二极管,用于发送编码的红外信号。
- 保护电路:在许多电子设备中,如电脑主板、电视等,都装有瞬态电压抑制(TVS)二极管,用于防止过电压对电路造成损害。
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晶体管的常见用途实例:
- 开关电源:开关电源中的开关器件通常是MOSFET或IGBT等类型的晶体管,利用它们的开关特性,通过高频开关动作实现电能的转换和调节,如笔记本电脑的电源适配器和智能家居设备的电源模块。
- 音频放大器:无论是家用音响系统还是耳中,都大量使用了晶体管(如BJT或MOSFET),它们可以放大微弱的音频信号,使之足以驱动扬声器或耳机。
- 处理器:几乎所有现代电子设备的核心——处理器/微控制器,其内部包含了大量的晶体管,用于逻辑运算和存储信息,比如智能手机、计算机CPU与GPU。
- 电机驱动:在电动工具、电动汽车和工业自动化设备中,常常使用晶体管(如MOSFET或IGBT)构成的逆变器电路来驱动电机,实现对电机转速和方向的精确控制。
二极管和晶体管在日常生活和工业应用中广泛而隐蔽的存在,尽管我们可能看不见它们的实体,但它们在电子产品中发挥着至关重要的作用。
五、MOS管简单用
在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的导通条件是不同的:
- N沟道MOSFET(N-type MOSFET): 当栅极(G)相对于源极(S)有足够的正电压时(即栅极相对于源极为高电平),在栅极与衬底之间的绝缘层下面会形成导电沟道,使得源极和漏极(D)之间能够导通电流。在很多应用中,N沟道MOSFET的源极常常接地(GND),因此可以说N沟道MOSFET在“高电平”时导通。
- P沟道MOSFET(P-type MOSFET): P沟道MOSFET的导通条件恰恰相反,当栅极(G)相对于源极(S)有足够的负电压时(即栅极为低电平,相对于源极为负电压),会在栅极与衬底之间形成导电沟道,允许源极和漏极之间的电流通过。在某些应用中,P沟道MOSFET的源极也可以接地,这时它将在“接地”(低电平)时导通。
总结来说,N沟道MOSFET在栅极相对于源极为高电平时导通,而P沟道MOSFET在栅极相对于源极为低电平时导通。在实际电路设计中,根据电路需求和电源极性,会选择合适的MOSFET类型,并且通常会有一个参考地平面,以便定义和控制所谓的“高电平”和“低电平”。在常见的CMOS逻辑门电路或者开关电路中,NMOS和PMOS常组合使用,利用它们各自的导通特性实现对信号的切换,从而实现低功耗、高速度的逻辑功能。在实际应用中,NMOS通常用于拉高负载(即作为“高位”开关),而PMOS则用于拉低负载(即作为“低位”开关)。