微机学习：十一课

今天讲了堆栈。。。汇编已经讲过了 我就不再讲了，但是，总结一下微机讲的那些指令吧。
（1）mov
（2）IN/OUT
（3）mov offset或LEA ：取偏移量
（4）push pop
（5）add/sub
（6）inc/dec
（7）and/or/xor/test
其中test 目的,源表示对两个操作数进行按位逻辑与操作，并修改标志位，但不送回结果到目的，即指令执行后，两个操作数都不变，仅影响标志位。
Pentium的几种总线状态定义
1、T1状态：等待地址和状态信号有效，ADS#也有效
2、T2状态：数据出现在数据总线上，若BRDY#有效，则当前周期为突发式总线周期，课进行数据传输
3、T12状态：系统中有两个总线周期并行进行
4、T2P状态：外设或存储器速度较慢的情况（系统中有两个总线周期并行进行）
5、TD状态：读写操作切换的过渡状态
6、TI状态（空闲状态）：BOFF#和RESET会使CPU进入T1

段页两级保护机制具体保护的内容是什么？
答案：存储器
1、存储器的段级保护
（1）段类型提供读/写保护
——数据段描述符W位控制是否允许写入信息
——代码段描述符R位控制是否可从此段读取信息
（2）特权级对操作系统提供保护
2、存储器的页级保护
（1）页的特权级U/S字段提供页保护权
（2）标志R/W提供页面写保护

存储器基本作用是存储数据和程序，除了具有记忆功能，还是计算机高速自动运行的基础。

存储器的特点和性能指标
特点：
（1）易失性：电源断开后内容丢失，如RAM
（2）只读性：计算机内存有ROM、RAM

随机存储器RAM

SRAM——静态RAM

集成度低、功耗大、存取速度快、价格贵。
用于高速数据缓冲器Cache

缺点：
（1）容量小，功耗大，用于存储量小的系统
（2）SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高。目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存一级内置的二级缓存

DRAM——动态RAM

DRAM的集成度高，运行速度比SRAM慢2~5倍，价格便宜。
用于计算机的准备内部存储器。

只读存储器ROM

优点：
（1）结构简单，位密度比可读写存储器高
（2）具有非易失性
应用场合——不需要修改和写入和场合

掩膜型ROM

特点：
（1）器件制造厂在制造时编制程序，用户不能修改
（2）用于产品批量生产
（3）可由二极管、三极管组成

可编程只读存储器PROM

可编程：允许用户编程一次
特点：
（1）出厂时里面没有信息
（2）用户根据自己需要对其进行设置（编程）
（3）只能使用一次，一旦编程不能擦除片内信息

可擦除可编程只读存储器EPROM

实际工作的新设计程序需要调试和修改，EPROM就适合这个场景，可以多次进行擦除和重写
特点：
（1）可以多次修改擦除
（2）EPROM通过紫外线光源擦除（编程后，窗口贴上不透光胶纸）

可用电擦除可编程只读存储器E^2PROM

特点：
（1）外形和EPROM相似，但是擦除过程不需要紫外线
（2）4种工作方式：读、写、字节擦除、整体擦除
（3）字节擦除方式下可以擦除指定的字节

闪烁存储器Flash Memory

特点：
（1）固有的非易失性——高稳定性
不需要备用电池来确保数据存留，也不需要磁盘作为动态RAM的后备存储器
（2）高性价比
（3）可直接执行——方便快速
（4）安全节能