半导体术语表

发光强度（Luminous Intensity）
测量光的单位。单位：cd（坎德拉）

光通量（Luminous Flux）
测量光的单位。单位：lm（流明）

发光效率（Luminance Efficiency）
每单位功率（1W）释放的光通量。

硅（Silicon）
具有半导体特性的元素，也是硅晶圆的主要成分。

纳米（Nano）
测量半导体电路宽度的单位。1纳米等于十亿分之一米。

NAND闪存（NAND Flash Memory）
一种半导体单元串联排列的闪存。

NAND闪存的数据存储方式
存储卡、USB闪存盘和SSD等存储设备使用NAND闪存来存储数据。NAND闪存根据数据存储方式分为SLC、MLC、TLC和QLC。

步进曝光（Stepper Exposure）
光透过掩模投射到晶圆上，绘制电路的一种工艺。

NOR闪存（NOR Flash Memory）
半导体单元并联排列的一种闪存。

二极管（Diode）
由锗或硅制成的一种具有整流和发光特性的半导体元件。

导光板（LGP）
调节背光源（BLU）亮度并保持均匀照明的组件。

导体（Conductor）
易于传导电流或热的材料。例如，金（AU）、银（Ag）、铜（Cu）和铝（Al）。

随机存取存储器（RAM）
可以读取或修改记录数据的存储器。

只读存储器（ROM）
只能读取数据不能修改记录数据的存储器。

引线框架（Lead Frame）
一种金属矩阵，用于连接半导体芯片与外部电路的引线，并将半导体封装固定到电路板上的框架。

光罩（Mask）
一种绘有微型电子电路，用于半导体集成电路制造光刻步骤的玻璃薄片。

机器学习（Machine Learning）
机器收集并分析经验数据，籍以提高自身性能的一种技术。

存储半导体（Memory Semiconductor）
用于存储数据的半导体。

移动应用处理器（Mobile AP）
一种安装在智能手机、平板电脑等电子设备中的系统半导体，如同“大脑”一般，可执行命令解读、计算和控制等功能。

移动内存（Mobile DRAM）
用于操作移动设备的存储半导体。

中·大功率LED封装（Mid·High-Power LED Package）
大功率LED封装的功耗一般超过1W（瓦特）；功耗小于1W的LED封装被称为中功率LED封装。

半导体（Semiconductor）
导电率介于导体和绝缘体之间的一种材料。

绝缘体（Insulator）
阻止电流或热流动的材料。

光单位（Units of Light）
发光强度（cd）、光通量（lm）、光照度（lux）、光亮度（nit）、发光效率（lm/W）

氧化膜（Oxide Film）
保护硅表面免受加工过程中出现的杂质影响的薄膜。

色温（Color Temperature）
表达光源发出的光的方法，以K（开尔文）单位表示。

色域（Color Gamut）
表示显示器表达颜色能力的数值。

清洗（Cleaning）
通过化学处理、气体或物理方法去除晶圆表面杂质的工艺。

良率（Yield）
半导体行业中，产量指产品通过检验，无缺陷的产品百分比。

智能卡（Smart Card）
嵌入塑料卡片中，具有各种功能的半导体集成电路。

堆叠技术（Stack Method）
一种通过在半导体芯片中堆叠多层单元来增强集成度的半导体芯片。

系统半导体（System Semiconductor）
执行逻辑、计算和控制等功能的半导体。

蚀刻（Etching）
从晶圆上除去必要电路图案以外部分的工艺。

神经网络处理器（NPU）
像人脑一样学习和处理数据的处理器。

ISOCELL
一种利用CMOS图像传感器像素之间的物理屏障来减少光学损耗和干扰，突破性能局限的新技术。

量子效率（Quantum Efficiency）
材料中的光子或电子转化为不同能量光子或电子的百分比。

显色指数（Color Rendering Index）
光源的特性之一，以CRI单位表示。

晶圆（Wafer）
用于制造半导体集成电路的关键材料，由生长硅（Si）、砷化镓（GaAs）和其他材料组成的单晶锭切片制成的薄而圆的薄片。

图像传感器（Image Sensor）
读取对象数据并将其转换为电子图像信号的一种元件。

嵌入式闪存（eFlash）逻辑工艺
将闪存电路嵌入到系统半导体电路内的一种工艺。

锭（Ingot）
一种由在高温下熔化硅形成的硅柱。

电阻（Resistance）
表示电流受阻程度的一种属性。

功率集成电路（Power IC）
根据系统适当转换和控制电力的一种半导体元件。

光照度（Illuminance）
测量光通量的单位。用lux单位表示。

集成设备制造商（IDM）
一家在内部运营从半导体设计到成品制造等所有工艺的公司。

沉积（Deposition）
将薄膜覆盖到晶圆表面，赋予其电学特性的一种工艺。

集成电路（IC）
一种复杂的纳米级电子元件或系统，其中多个电子电路元件以不可分离的方式组合在一块电路板上或与电路板本体组合。

车载信息娱乐系统（IVI）
一种安装在汽车上，为用户提供关于车辆状态和导航信息以及娱乐元素的一种设备。

萃取效率（Extraction Efficiency）
进入LED的光子与向外释放的光子之间的比率。

电容器（Capacitor）
在电子电路中临时存储电力的装置，也称为冷凝器。

电容（Capacitance ）
电容器收集和存储电荷的能力。

色域（Color Bin）
“色域分类”指根据LED封装特性对其进行分类。色域分类涉及根据光颜色对封装进行分类。

等级（Class）
表示半导体洁净室洁净度的单位。

晶体管（Transistor）
由三层硅或锗半导体连接而成的一种电子电路元件。这种半导体元件起到放大和开关作用。

沟槽技术（Trench method）
一种在半导体芯片表面制作沟槽结构，并在沟槽中排列单元以增加集成的技术。

晶圆代工（Foundry）
OEM半导体制造商。

波长（Wavelength）
声波或电磁波等周期波在单个周期内移动的距离。

封装（Packaging）
一种将半导体芯片以适合其所要使用的电子器件的形式进行封装的工艺。

芯片设计公司（Fabless）
仅设计半导体，不运营生产线的半导体公司。

闪存（Flash Memory）
一种即使断电也能保存数据的半导体。

倒装芯片（Flip Chip）
用于提高LED发光效率的技术。

鳍式场效应晶体管（FinFET）
采用三维工艺技术，突破了传统二维结构的局限性。

磷光体（Phosphor）
一种用于改变LED芯片发出的光的颜色的材料。

光亮度（Luminance）
一种测量光的单位。以nit或cd/㎡单位表示。

专用集成电路（ASIC）
围绕某一特定应用领域或设备的特定功能而设计的集成电路。

背光源（BLU）
用作液晶显示器（LCD）光源的一种组件。

CCD图像传感器
一种具有电荷耦合器件（CCD）结构的图像传感器。

CMOS（互补金属氧化物半导体）
一种用于微处理器或S-RAM等系统中形成数字电路的集成电路。

CMOS图像传感器（CIS）
一种具有COMOS（互补金属氧化物半导体）结构的低功率图像传感元件。

显示驱动芯片（DDI）
一种用于驱动诸如TFT液晶显示器（薄膜晶体管液晶显示器）或等离子显示面板（PDP）等显示器的IC芯片。

数字信号处理器（DSP）
由集成电路（IC）组成的微处理器，通过数据计算处理信号。

动态随机存取存储器（DRAM）
计算机中主要使用的RAM类型，速度快、容量大。

EDS工艺
一种根据晶圆上形成的集成电路芯片是否具有电气特性而分类的工艺。

嵌入式多媒体卡（eMMC）
一种用于存储的存储半导体，集成到移动设备中以实现快速数据处理。

5G
是最高速度达20Gbps的高速移动通信技术，具有超高速、低延迟和超链接的特点。

全环绕栅极晶体管（GAA）
将GAA结构引入3nm或更小的电路中，栅极围绕电流经过通道的四个面。这可以更精细地控制电流并最大限度提高通道可控性。

硬盘驱动器（HDD）
一种大容量存储设备，其中数据存储在涂有磁性材料的圆盘状板上。

发光二极管（LED）
使用使用镓（Ga）、磷（P）和砷（As）制成的电驱动发光元件。

多芯片封装（MCP）
一种将多个芯片封装在同一个封装体内的半导体。

微控制单元（MCU）
一种操作设备或控制某些系统的集成电路（IC）。

近场通信（NFC）
一种允许在10cm范围内近距离交换数据的无限通信技术。

非易失性内存主机控制器接口规范（NVMe）
基于PCIe接口协议，可提高配备SSD的服务器和计算机的性能和设计灵活性。

N型半导体（N-type Semiconductor）
在纯净半导体中掺入特定杂质（五价元素）籍以增加电子数的半导体。

PCIe
突破传统SATA接口每秒数据传输速度性能限制的接口标准。

P型半导体（P-type Semiconductor ）
在纯净半导体中掺入特定杂质（三价元素）籍以增加空穴数的半导体。

SATA
使用串行传输方法的接口标准。

系统级芯片（SoC）
一种将整个系统集成到单个芯片中的技术密集型半导体。

固态硬盘（SSD）
使用存储器半导体作为存储介质的下一代大容量存储设备。

静态随机存取存储器（S-RAM）
只要通电，就会保存数据的RAM。

硅通孔（TSV）
一种在芯片上打出的细孔并通过电极连接上下芯片，有别于传统电线连接的封装技术。

3D V-NAND闪存
一种在三维矩阵中垂直构建一层存储单元的NAND闪存。

通用闪存存储（UFS）
采用JEDEC（电子器件工程联合委员会）发布的最新内部存储器标准“UFS 2.0”接口的下一代超快闪存。