LORA-STM32开发系列教程一FLASH读写

这篇博客详细介绍了STM32大容量产品中的FLASH结构,包括主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器。内容涵盖编程与擦除流程,强调在编程时的读写限制,并解析了STM32的FPEC模块和相关寄存器。同时,提到了新大陆提供的库函数,简化了开发过程。
摘要由CSDN通过智能技术生成

STM32 FLASH

不同型号的 STM32,其 FLASH 容量也有所不同,最小的只有 16K 字节,最大的则达到了1024K 字节。本次实验选用的STM32 开发板是F103ZET6,其 FLASH 容量为 512K 字节,属于大容量产品(另外还有中容量和小容量产品)大容量产品的闪存模块组织如图所示:

STM32 的闪存模块由:主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。

  • 主存储器:该部分用来存放代码和数据常数(如 const 类型的数据)。对于大容量产品,其被划分为 256 页,每页 2K 字节。注意,小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000,B0、B1 都接 GN
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