计算机组成原理：MOS管原理入门

半导体器件是否导电，取决于其内部载流子的多少，而半导体器件内部载流子有2类，分别为电子（自由电子）和空穴（离子）。自由电子的运动方向与电场方向相反，空穴的运动方向与电场方向相同。电子数量远多于空穴数量的半导体，因电子带负电，称为N型半导体（Negative）。空穴数量远多于电子数量的半导体，因空穴带正电，称为P型半导体（Positive）。

三极管导通的条件是基极相对发射极加正电压（发射结正偏）。集电极相对基极加正电压（集电结反偏）。

接通电源后，由于基极相对发射极加正电压，发射区的多数载流子（电子）通过外部偏置电源E1和导线流入基区，而基区的多数载流子（空穴）通过外部电源和导线流入发射区。由于发射区电子的的浓度远大于基区空穴的浓度，所以在基区和发射区，空穴和电子复合（带负电的电子和带正电的离子结合成不带电的分子，称为复合）后，还剩余很多自由电子，在基区集结了大量自由电子后，由于集电结反偏（集电极相对基极加正电压），只要基区内有靠近集电结的自由电子，都会被反向集电结的强电场作用，扫入到集区。