半导体器件是否导电,取决于其内部载流子的多少,而半导体器件内部载流子有2类,分别为电子(自由电子)和空穴(离子)。自由电子的运动方向与电场方向相反,空穴的运动方向与电场方向相同。电子数量远多于空穴数量的半导体,因电子带负电,称为N型半导体(Negative)。空穴数量远多于电子数量的半导体,因空穴带正电,称为P型半导体(Positive)。
三极管导通的条件是基极相对发射极加正电压(发射结正偏)。集电极相对基极加正电压(集电结反偏)。
接通电源后,由于基极相对发射极加正电压,发射区的多数载流子(电子)通过外部偏置电源E1和导线流入基区,而基区的多数载流子(空穴)通过外部电源和导线流入发射区。由于发射区电子的的浓度远大于基区空穴的浓度,所以在基区和发射区,空穴和电子复合(带负电的电子和带正电的离子结合成不带电的分子,称为复合)后,还剩余很多自由电子,在基区集结了大量自由电子后,由于集电结反偏(集电极相对基极加正电压),只要基区内有靠近集电结的自由电子,都会被反向集电结的强电场作用,扫入到集区。
NMOS全称为N型金属-氧化物-半导体。其结构如下:在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底(提供大量可以动空穴)上,制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有