模拟电子技术基础

Part 1 元器件基础

知识点一：半导体基础

半导体分为两类：本征半导体和杂质半导体。

本征半导体

本征半导体：化学成分纯净的半导体，它在物理结构上有多晶体和单晶体两种形态，制造半导体器件必须使用单晶体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。
典型的本征半导体：硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)等。
本征激发：当有能量大于禁带宽度的光子照射到半导体表面时,满带中的电子吸收这个能量,跃迁到导带产生一个自由电子和自由空穴,这一过程称为本征激发。
载流子：普通的金属内部载流子为自由电子。半导体内部载流子为自由电子和空穴。
导体导电原理：本征激发产生的自由电子和空穴的复合运动形成了半导体内部的电流。

杂质半导体

实际半导体不能绝对地纯净，此类半导体称为杂质半导体。
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价(P型)或五价（N型）元素。

N型半导体（N：nagative负的）

N型号半导体：参与导电的主要是自由电子，这种半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。

在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子，占据晶格上的某些位置。磷原子最外层的5个价电子，4个与硅原子形成共价键结构，其余1个价电子只受到磷原子对它微弱的束缚，在室温下获得挣脱束缚而成为自由电子，游离于晶格之间。失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子。磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子，又称施主杂质。
每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子，而本征激发产生的空穴的数目不变。自由电子为多数载流子（多子），空穴则为少数载流子（少子）。

P型半导体（P：positive正向的）

P型半导体：参与导电的主要是空穴，这种半导体称为空穴型半导体，简称P型半导体。

在本征半导体硅（或锗）中，若掺入微量的3价元素，如硼，这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子，占据晶格上的某些位置。硼原子的3个价电子分别与其邻近的3个硅原子中的3个价电子组成完整的共价键，而与其相邻的另1个硅原子的共价键中则缺少1个电子，出现了1个空穴。这个空穴被附近硅原子中的价电子来填充后，使3价的硼原子获得了1个电子而变成负离子。同时，邻近共价键上出现1个空穴。由于硼原子起着接受电子的作用，故称为