E/DMOS倒相器工作原理详解及分析

E/D MOS倒相器是增强型-耗尽型MOS倒相器的简称，是为了提高MOS电路性能而发展起来的新型电路。它的输入管是增强型器件（简称EMOS管），负载管是耗尽型器件（简称DMOS管）。图2-32（a）所示为N沟道E/D MOS倒相器的电路图，其中为输入管，为负载管。由于负载管的栅和源联结在一起，故负载管的栅源电压始终为。因为存在原始沟道，管子一直处于导通状态。随着负载管漏源电压的变化，它既可以工作在饱和区，又可工作在非饱和区。图2-32（b）表示E/D MOS倒相器的结构截面图。

一、E/DMOS倒相器工作原理

如果倒相器输入电压，输入管截止，因其截止电阻远大于负载管的沟道电阻，所以电源电压全部降落在输入管上，使倒相器的输出电压。如果输入电压，输入管导通，由于导通电阻比负载管小得多，电源电压几乎全部降落在负载管上，所以，输出电压近似为0V。这样，倒相器就达到了“0”、“1”电平的转换，完成了倒相功能。 和讨论E/EMOS的方法一样，我们可以在输出特性曲线上，找到开态和关态的两个工作点。首先，对应着倒相器输入“0”和“1”两个状态，可得到两根输出特性曲线。然后找到一根负载线，和输入管的两根特性曲线相交于A、B两点，即为开态工作点和关态工作点。如图2-33所示。下面叙述一下这根负载线是如何作出来的。

上面已经讲到，E/D MOS倒相器的负载管是耗尽型器件，而且，所以它有一根对应的输出特性曲线，如图2-34所示。E/DMOS倒相器工作原理，因为负载管漏极接固定电源，源极接变化的输出电压，因此，取其坐标原点为，把这很特性曲线选加在输入管的两根输出特性曲线图上，就成为E/DMOS倒相器的负载线。