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2.3MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
一.晶体管的类型
晶体管大致分为三种类型：双极型、场效应型和绝缘栅双极型。
- 双极晶体管属于电流驱动器件；
- 场效应晶体管（FET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）属于电压驱动器件；
1.1双极晶体管（BJT）
双极晶体管有两种类型：NPN型和PNP型。
- NPN型产品涵盖低耐受电压到高耐受电压产品。耐受电压为400V或以下的PNP型产品，特别是耐受电压为200V或以下的PNP型产品是主流产品。
- 它们有放大功能，可以将小信号转换成大信号。集电极电流IC与基极电流IB（IC／IB）之比称为直流电流增益，用hFE表示。当小电流（IB）从基极流向发射极时，IB×hFE的电流IC从集电极流向发射极。
图3-1（a）NPN晶体管的符号与结构
图3-1（b）PNP晶体管的符号与结构
BJT是由基极电流驱动的电流驱动器件。
NPN晶体管的操作
基极电流：从基极到发射极的电流
集电极电流：从集电极到发射极的电流
PNP晶体管的操作
基极电流：从发射极到基极的电流
集电极电流：从发射极到集电极的电流
1.2内置偏置电阻型晶体管（BRT）
BRT是指偏置电阻内置型晶体管。BJT通常配合电子设备中的电阻器使用。使用BRT（集成了晶体管和电阻器）可以减少安装面积。
图3-2（a）BJT的应用示例 图3-2（b）BRT的等效电路
图3-2（c）BJT的基本电路为什么需要电阻
1.3结型场效应晶体管（JFET）
＜JFET的操作＞
（1）在N沟道结型场效应晶体管（图3-3（a））中，当在漏极和源极之间施加电压时，电子从源极流向漏极。
（2）当在栅极和源极之间施加反向偏压时，耗尽层扩大并抑制（1）中的电子流动。（使电子流动的路径变窄）
（3）如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加，耗尽层就会阻塞通道，电子流动停止。
如上所示，施加在栅极和源极之间的电压控制着漏极和源极之间的状态。所以场效应晶体管是电压驱动的器件。
图3-3（a）N沟道JFET的符号和操作
图3-3（b）P沟道JFET的符号和操作
注：电流方向与电子流动方向相反。耗尽层的拓宽机理与二极管相同。
1.4金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最受关注的晶体管。
MOSFET有两种类型：
- N沟道（参见下图3-4（a）N沟道）；
- P沟道（参见下图3-4（b）P沟道）；
N沟道广泛用于AC/DC电源、DC/DC转换器、逆变器设备等，而P沟道则用于负载开关、高边开关等。
双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。
图3-4（a）N沟道MOSFET的符号和操作
图3-4（b）P沟道MOSFET的符号和操作
1.5晶体管的结构比较
| 晶体管的结构 | 双极晶体管（BJT） | MOSFET | IGBT |
| 栅极（基极）驱动方法 | 电流驱动（低输入阻抗） | 电压驱动（高输入阻抗） | 电压驱动（高输入阻抗） |
| 栅极（基极）驱动电路 | 复杂(元件数量多) | 简单 | 简单 |
| 正向特性 | 低VCE(sat) | 高导通电压（大电流区）无阀值电压 | 低VCE(sat)有阀值电压 |
| 开关速度 | 低速（具有载流子积累效应） | 超高速（单极操作） | 高速（MOSFET和BJT的中间） |
| FWD（包括体二极管） | 无 | 有 （体二极管） | 无（在RC结构中有） |
| 安全工作区 | 窄 | 宽 | 中等 |
1.6BJT和MOSFET的差异
关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。
（1）基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。为了使集电极电流流动，需要提供基极电流，并且需要连续的驱动功率。（需要低驱动电压、连续驱动功率）
（2）由于MOSFET根据栅极-源极电压形成一个沟道，这个电压必须是一定的或更高的电压。一旦沟道形成，导通状态继续，漏极电流继续流动，因此所需的驱动功率很小。通过释放积聚在栅极中的电荷并移除沟道，它将转变为关闭状态。（驱动电压高于BJT，驱动功率小）
图3-5（a）BJT的开关操作
图3-5（b）MOSFET的开关操作
| BJT（电流驱动器件） | MOSFET（电压驱动器件） |
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二.MOSFET的结构和工作原理
MOSFET的结构和工作原理
我们将参照图3-6（a）来解释MOSFET的工作原理。
（1）在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS）
（2）在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS）
（3）其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区（p型层中的n型区称为“反转层（沟道）”）。
（4）当这个反转层完成时，MOSFET漏极到源极将形成n层路径。（n＋⇔n－⇔ 反转层（n）⇔ n＋）
（5）因此MOSFET在低电阻下工作，漏极电流由外加VDS和负载流决定。
图3-6（a）平面栅极MOSFET的结构和工作原理 图3-6（b）沟槽栅极MOSFET的结构和工作原理
2.1MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
（1）MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻RDS(ON)的因素如图3-7和方程式3-（1）所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。
（2）例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。
图3-7（a）D-MOS的导通电阻决定因素
RDS(ON）＝Rsub＋Rdrift＋RJ-FET＋Rch＋RN＋
图3-7（b）沟槽MOS的导通电阻决定因素
RDS(ON)＝Rsub＋Rdrift＋Rch＋RN＋・・・方程式3-（1）
如果是VDSS＝600V，顺序为Rdrift >> Rch > RJ-FET，RN+，Rsub和RDS(ON)取决于Rdrift
如果是VDSS＝30V，顺序为Rch >> Rdrift > RN+，Rsub。沟槽MOS结构的精细图形化可以最大限度降低RDS(ON)对Rch的依赖性
2.2MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”
（1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。
（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。
图3-8影响MOSFET导通电阻的因素
2.3MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））
（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。
（3）如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，如果是SJ-MOS的情况，电场强度在N层中是均匀的。
（4）所以，SJ-MOS可采用具有较低电阻的N层设计，以实现低导通电阻产品。
采用与DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以实现更低的导通电阻。
图3-9（a）D-MOS（π-MOS）的结构和电场
图3-9（b）SJ-MOS（DTMOS）的结构和电场
2.4按结构分类的MOSFET特性摘要
按结构分类的MOSFET特性摘要
基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。
- 耐受电压：选择目标耐受电压的最佳结构。
- 低导通电阻：U-MOS适用于250V及以下产品，SJ-MOS（或DTMOS）适用于大于250V的产品。
- 高电流：与低导通电阻的趋势相同。
- 高速：U-MOS由于栅极电容（Ciss）大，不利于高速开关。
根据产品的不同，利用低导通电阻特性，具有较小“Ron×Ciss”设计的高速开关也实现了商业化。
| 东芝名称 | U-MOS | π-MOS | DTMOS | |
| 通用名称 | 沟槽栅极MOS | D-MOS 平面栅极MOS | SJ-MOS | |
| 耐受电压 | 较好 高达250V | 优异 高达900V | 优异 600V以上 | |
| 低导通电压 | 优异 | 一般 | 优异 | |
| 高电流 | 优异 | Fair | 优异 | |
| 高速 | 良好／优异 | 良好 | 优异 | |
| 应用 | 领域 | 电池应用 | 中小容量转换器 | 中高容量转换器 |
| 设备 | PCM、NBPC、DC/DC转换器、车载电机设备 | 充电器、中小型电视适配器、LED照明 | 基站和服务器电源、中大型电视、电源调节器 | |
2.5MOSFET的性能：漏极电流和功耗
允许损耗和漏极电流是MOSFET的典型最大额定值，计算如下。
（有些产品采用了不同的电流表达式。）
通过热阻和结温来计算功耗。漏极电流将采用欧姆定律，由计算得出的功耗和导通电阻进行计算。
PD：功耗
⇒ 器件指定温度条件下允许的功耗
ID：漏极电流
⇒直流额定值：正向流动的直流电流。（在室温下定义）
IDp：脉冲漏极电流
⇒指定脉宽下的最大漏极电流。一般是直流电流的4倍。
2.6MOSFET的性能：雪崩能力
作为MOSFET*1的一个特性，如果它在一定的能量、漏极电流ID范围内，并且低于额定结温Tch，则即使超过了额定电压VDSS，它也不会击穿损坏。
这就是所谓的雪崩能力，允许能量被称为雪崩能量，电流被称为雪崩电流。
图3-10雪崩能力（能量、电流）测试电路、波形及计算公式
*1：图3-10雪崩能力（能量、电流）测试电路、波形及计算公式
2.7MOSFET的性能：电容的特性
Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。
Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs）
⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。
Crss：反向传输电容（Crss＝Cgd）
⇒栅极-漏极电容：Crss越大，漏极电流上升特性越差，这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。
Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）
⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。
图3-11（a）MOSFET的电容模型
图3-11（b）MOSFET的典型电容特性
2.8MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
安全工作区域（SOA）有两种模式。
（1）正向偏置SOA（F.B. SOA）：电流和电压在导通状态下的可用面积。
（2）反向偏压SOA（R.B. SOA）：电流和电压在关断操作时的可用面积。
由于用于开关操作，施加的脉宽非常窄。
每种模式的定义如图3-12（a）所示。
图3-12（a）实际运行中的SOA定义
图3-12（b）MOSFET的F.B.SOA实例
- 关于雪崩保证，通常保证MOSFET关断时的额定电压／电流操作（短时），但R.B. SOA尚未公布。
- F.B. SOA由三个限制区域（额定电流、额定电压和热阻区）和二次击穿区域组成。
- 这三个限制区域由器件额定值限制或由热阻计算。但二次击穿区域是通过测量实际器件获得。
2.9MOSFET的数据表：最大额定值
＜最大绝对额定值＞
- 漏极-源极电压（VDSS）可施加的最大漏极-源极电压
- 栅极-源极电压（VGSS）可施加的最大栅极-源极电压设计电路时不得超过这个电压，包括浪涌电压。
- 漏极电流（ID）最大漏极电流
- 漏极电流（脉冲）（IDP）最大脉冲漏极电流通常，脉宽如安全工作区域中所述。
- 功耗（PD）允许在器件中产生的功率损失Tc＝25℃时的容许热容量。
- 单脉冲和连续雪崩能量（EAS）在指定条件下的最大允许能量
- 雪崩电流（IAR）雪崩操作时的最大电流
- 结温（Tch）器件运行时的最高结温
- 存储温度（Ttsg）不使用MOSFET的存储温度范围
注1：确保结温不超过150℃。
注2：VDD＝90V，Tch＝25℃（初始），L＝4.36mH，RG＝25Ω，IAR＝3.0A
注3：重复额定值：由最大结温限制的脉宽。该晶体管是静电敏感器件；
2.10MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电气特性
＜热特性＞
用于计算结温
＜电气特性＞
- 栅极泄漏电流（IGSS）从栅极到源极的截断电流
- 漏极截止电流（IDSS）从漏极到源极的截断电流
- 漏极-源极击穿电压（V(BR)DSS）漏极-源极击穿电压栅极和源极短路，以免形成通道
- 栅极阈值电压（Vth）能够发送指定漏极电流的栅极-源极电压
- 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）它对应于双极晶体管的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）电压降用指定条件下的电阻表示。它具有正温度系数。
- 正向转移导纳（|Yfs|）输出电流的变化与栅极输入电压的变化之比。其单位是“S：西门子”，与[A]／[V]相同。
2.11MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
＜电气特性＞
- 输入电容（Ciss）等于Cgd＋Cgs栅极-漏极和栅极-源极电容
- 反向传输电容（Crss）等于Cgd栅极-漏极电容
- 输出电容（Coss）等于Cgd＋Cds栅极-漏极和漏极-源极和栅极-漏极电容
- 上升时间（tr）是漏极-源极电压从90%变为10%的时间
- 导通时间（ton）栅极-源极电压上升到10%的瞬间和漏极-源极电压下降到10%的瞬间之间的间隔时间
- 下降时间（tf）漏极-源极电压从10%变为90%的时间
- 关断时间（toff）栅极-源极电压下降到90%的瞬间和漏极-源极电压上升到90%的瞬间之间的间隔时间
2.12MOSFET的数据表：体二极管
MOSFET的数据表：体二极管
＜电气特性＞
- 连续漏极反向电流（IDR）直流漏极-源极二极管的正向电流
- 脉冲漏极反向电流（IDRP）脉冲漏极-源极二极管的正向电流
- 正向电压（二极管）（VDSF）正向电流漏极-源极二极管的电压降
- 反向恢复时间（trr）指定条件下漏极-源极二极管的反向恢复时间
- 反向恢复电荷（Qrr）指定条件下漏极-源极二极管的反向恢复电荷
三.绝缘栅双极晶体管（IGBT）
IGBT是一种适合于大电流控制的器件，它的前级有电压驱动MOSFET，后级有允许大电流流动的晶体管。
IGBT：绝缘栅双极晶体管
[等效电路和操作细节]
- IGBT的等效电路如图3-13（b）所示。设置RBE值使NPN Tr不会导通。
- 对N沟道MOSFET栅极施加导通信号，开启导通状态。
- 电流从发射极流向PNP Tr的基部。这种基极电流可以降低N沟道MOSFET。（电导率调制效应）
[与MOSFET比较]
- 栅极驱动操作与N沟道MOSFET相同。
- 在导通状态下，N沟道MOS的导通电阻降低可以实现大电流。
- 从PNP Tr发射极到基部的电压降发生在整个电流区域（加起来大约1.0V作为导通电压）。
图3-13（a）IGBT的符号
图3-13（b）IGBT的内部等效电路
3.1绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
如图3-14（a）所示连接的IGBT的操作如下所示。
（1）对栅极施加正电压，将在栅极下面的P层中形成反转层。图3-14（b）中的N沟道MOSFET导通与常规N沟道MOSFET一样。
（2）当N沟道MOSFET处于导通状态时 ，集电极的电位为正。 因此，空穴将从P＋通过N＋注入到N-，这种注入加速了发射极电子的注入。
（3）结果，载流子（电子和空穴）的增加降低了通常具有高电阻的N层电阻（电导调制效应）。
因此，如图3-14（b）所示，N沟道MOSFET的导通电阻变低。
图3-14（a）IGBT的操作 图3-14（b）IGBT等效电路与实际操作图像
3.2IGBT的性能改进：垂直设计的发展
如图3-15（a）所示，IGBT的垂直设计一直在发展。
从PT结构开始，随着薄晶片的使用，薄型PT（通常称为“场截止”）结构正在成为主流。（栅极结构与MOSFET相同。）
Fig. 3-15(a) IGBT垂直设计的转变
PT型的VCE(sat)特性是具有高温和室温条件下交叉的电流值（称为“Q点”）。
由于高温VCE(sat)在NPT型（如MOSFET）中始终很高，因此即使在并联操作时也更容易平衡集电极电流。
图3-15（b）PT型与NPT型正向特性的差异
注：VCE(sat)特性-集电极电流正向流动时的压降。
3.3什么是RC-IGBT和IEGT
反向导通IGBT：RC-IGBT
- RC-IGBT的结构如图3-16（a）所示。二极管由一部分p型层构成，p型层作为IGBT的n型集电极。该二极管具有与FWD*1相同的功能，FWD*1通常插入IGBT中。
- 随着薄晶片技术的引入，这种结构的商业化也成为了可能。由于二极管和IGBT是一个芯片，所以很容易组装。因为很难单独控制二极管和IGBT的性能，所以RC-IGBT不适合某些应用。
*1：FWD—续流二极管。一般用于输送电抗器产生的回流电流。
图3-16（a）RC-IGBT的结构
栅极注入增强型晶体管：IEGT
- 在高压IGBT中，由于发射极侧漂移层（n型层）载流子浓度较低，所以很难获得低VCE(sat)特性。
- IEGT开发用于获得高耐受电压（通常为1200V或更高）下的低VCE(sat)性能
- 图3-16（b）显示了IEGT的结构和原理。
- 它有一个沟槽栅结构。拉出栅电极将变薄。结果使得载流子聚集在薄栅电极的正下方，这就增加了发射极侧的载流子浓度
- 高的载流子密度降低了漂移层的电阻，使VCE(sat)降低
图3-16（b）IEGT的结构和载流子密度
3.4IGBT的应用
IGBT适用于驱动电路简单、电流大的应用。它们目前用于50kHz以下的软开关IH（感应加热）设备、家用电器、车辆和各种交流驱动应用。未来，它们的应用领域有望扩展到各种交流驱动应用。
表3-3. IGBT的典型应用
注：由于双极操作的原因，IGBT相比于MOSFET而言不适合高速开关。
3.5IGBT和MOSFET的正向特性比较
IGBT和MOSFET的正向特性比较
本文比较了MOSFET（D-MOS）和IGBT在500～600V电压下的正向特性，在低电流区，MOSFET压降小，这具有一定的优势。另一方面，IGBT在大电流区的正向电压特性优于MOSFET，如图3-17所示。由于MOSFET的正向特性对温度具有很强的正向依赖性，IGBT和MOSFET的性能差异随着温度的升高而增大。
图3-17 MOSFET和IGBT的正向特性比较
该图比较了中高压产品。在工作电流区域，低压MOSFET（如沟道MOSFET）的导通电阻远低于IGBT。
鉴于这些特性和开关性能：
- MOSFET应用于低电流密度和大约100kHz的开关电源工作。
- IGBT应用于高电流密度和20kHz以下的交流驱动工作。
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