基于集成非互易磁光的超高耐久性光存内计算技术

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总述

光子计算利用光而非电子来进行数据处理的特性有望解决人工智能和机器学习领域对硬件能在超低功耗下实现超高计算吞吐量的需求，然而当前的光子存内计算架构面临存储阵列更新速度慢、能耗高以及耐久性不足等挑战。美国加州大学圣巴巴拉分校的研究团队近日提出的基于集成非互易磁光的超高耐久性光存内计算技术成功解决了这些瓶颈，为光子存内计算技术带来了新的方案。本文将从需求背景出发，逐一讲述该项研究的工作原理、实验验证以及未来展望等内容。

存内计算与光子计算的需求背景

（一）存内计算的重要性

传统的冯诺依曼架构中，存储单元和计算单元分离，依靠总线获取数据，示意图如图1（a）所示。存内计算是一种新型计算架构，直接利用存储器本身进行数据处理，从根本上消除数据搬运从而实现存储与计算融合一体化，如图1（b）所示，其有望突破冯诺依曼架构存储墙与功耗墙瓶颈，成为AI时代集成电路领域的重点研究方向之一。

图1 计算结构示意图

（二）光子计算的优势和瓶颈

光子计算的速度优势显著。光传播速度极快，基于光信号的光子计算数据传输和运算延迟极低，不受电子计算中电阻、电容等因素的限制。同时，光子计算并行性强，可多信号同时处理，远超传统电子计算顺序处理数据的速度。在能效方面，光子计算能耗低，光信号传播和处理不像电子传输因电阻产生大量热损耗，避免了传统电子计算设备中的散热耗能问题。存内计算旨在减少存储与计算单元间的数据传输延迟和能量损耗，光子计算的速度优势能进一步加快数据从存储到计算的过程，接近光速的光子传输使数据快速到达计算单元。在能效上，光子计算能耗低的特性可降低存内计算系统整体功耗。然而当前的许多光子存储系统只能存储所需参数的少部分，从而限制了其在实际应用中的表现。此外，现有的光子处理架构还面临存储阵列更新速率迟缓、能耗过高以及耐久性不足等问题。

本文介绍的内容

（一）研究团队

美国加州大学圣巴巴拉分校的研究团队发表了一项创新研究，宣布他们成功研发出了一种集成非互易磁光技术的新型光子存内计算器件。这种器件通过利用非互易的相移现象，实现了高速、高能效和超高耐久性的光子计算。这项研究以“Integrated non-reciprocal magneto-optics with ultra-high endurance for photonic in-memory computing”为题，发表在《Nature Photonics》上。

（二）文章的中心思想

为了解决上述光子计算面临的瓶颈，研究团队提出了一种基于非互易磁光技术的创新方案。该方案通过将掺铈钇铁石榴石（Ce：YIG）与硅微环谐振器（Si micro-ring resonators）集成，利用二者的协同效应，成功克服了现有技术中的多个缺陷。通过这种新型材料的应用，研究团队实现了光子内存单元编程速度的极大提升，仅需 1 ns即可完成一次编程操作。此外，每比特的能耗仅为 143 fJ，相较传统电子存储技术大幅度降低了能耗，这为大规模光子计算系统的能效提供了重要保障。最令人惊叹的是，该技术的耐久性极为出色，能够承受 24 亿次的循环编程，确保了光子内存单元在长时间使用中的稳定性与可靠性。

非互易磁光存内计算的原理

（一）非互易磁光材料特性

Ce:YIG是铈（Ce）掺杂的钇铁石榴石非互易磁光材料，在磁场的作用下，其会表现出显著的非互易相移特性。具体来说，当光通过Ce:YIG时，由于材料内部电子结构与磁场的相互作用因此光的相位会发生变化，且对于顺时针（CW）和逆时针（CCW）传播的光而言是不同的，具体表现为共振波长的分裂和位移，且位移方向相反，由此呈现出非互易性。

图2 通过切换磁化方向和幅值来编码正负权重

在集成有Ce:YIG的微环谐振器（MRR）中，通过施加外部磁场来控制光的非互易相移。如图2所示，当磁场方向使得CW模式光的共振波长发生红移（或蓝移）时，CCW模式光的共振波长会发生蓝移（或红移）。假设光学探针的波长初始设置在MRR共振波长的红失谐位置，当磁场使 CW 模式红移时，其透射率会增加，CCW 模式蓝移则透射率减小，两者透射率之差就可以编码为一个负权重；反之，若磁场使 CW 模式蓝移而 CCW 模式红移，就可编码为正权重。通过精确调节磁场强度，能够实现多电平的正负权重编码，从而在光子内存计算中实现对信息的有效处理和存储，为后续的矩阵向量乘法等操作提供基础。

（二）基于微环谐振器的架构设计

图3 非互易光子存内计算架构

MRR在文章提出的架构中起着核心作用，它为光信号提供了一个受限的传播路径，使得光能够在其中形成谐振模式从而增强了光与物质的相互作用。特定的光学输入方式能够同时激发MRR的CW和CCW模式，且当光在这两个模式下传播时MRR会与具有非互易相移特性的Ce:YIG层相互作用。由于Ce:YIG在磁场作用下对CW和CCW模式产生不同方向的相移，导致这两个模式的共振特性发生改变，从而影响光信号在MRR中的透射和反射特性。

根据前面提到的正负权重编码原理，通过控制磁场方向和强度，改变CW和CCW模式的透射率差值，从而实现对光信号权重的编码。如图3所示，射频、模拟或数字电子信号通过电光调制器转换到光域从而得到光输入向量，然后将该输入向量乘以行中每个MRR的波长依赖性传输，然后通过不连贯地组合每行一对输出波导的发射功率求和。接着平衡光电探测器（BPDs）将差分光信号转换回电域，再通过CMOS逻辑耦合到SRAM中进行进一步处理。

（三）与传统互易性光存内计算架构对比

图4 非互易光子存内架构的相移特性（左）；互易光子存内架构的相移特性（右）

传统基于互易光学效应的光子存内计算架构，例如基于add - drop MRR权重的架构，其权重函数对称性较差。如图4（右）所示，当光学探针位于共振中心时，drop 端口消光比在相位偏移为π时达到最大，这使得实现正负权重平衡范围需要较大相位偏移。这不仅增加了系统控制难度，还容易引发相邻谐振间的光串扰问题。因为较大相位偏移改变了光场分布，导致相邻谐振模式的能量相互影响，从而降低了系统的稳定性和信号处理精度。

图5 在距离共振的0.5，1.0和1.5 FWHM的光学探头上，编码了非互易存储单元的权重值

而在非互易磁光架构中，正负权重编码基于CW和CCW模式的差分透射。这种方式使得权重函数更具对称性，能在较小相位偏移下实现正负权重的平衡范围，如图4（左）所示。从实验模拟结果来看，非互易光学记忆的差分传输对于正负值是关于中心对称的函数。如图5所示，在不同光学探针波长下，正负权重值的变化趋势对称。相比之下，传统架构在类似波长设置下难以达到如此对称的权重编码效果。这一优势有效减少了光串扰，提高了系统性能，使得非互易磁光架构在光子内存计算中对于光信号处理的准确性和稳定性更具优势，更适合复杂的计算任务。

实验验证与性能表现

文章在稳态响应特性、高速动态响应以及非易失性与循环耐久性等方面对其所提出的架构进行了全面实验研究，与其他光子存储技术相比，该架构在编程速度、耐久性等方面展现出显著优势，使其在光子内存计算领域极具应用前景。

图6 稳态响应特性

在稳态响应特性研究中，对集成MRR施加电流，观察到磁光和热光效应对MRR共振位置产生显著影响，如图6所示。磁光效应致使 CW 和 CCW 模式的共振波长呈线性反向位移，热光效应则造成两者同向红移且与电流呈二次方关系。实验测量得到的共振位移、线宽变化等数据与理论模型计算结果高度一致，有力验证了理论模型的准确性，为后续光子内存计算研究奠定了坚实基础。

高速动态响应实验中，当施加快速电流脉冲（如10ns脉冲宽度）时，磁光效应主导光学传输变化，CW探针光透射率迅速改变，其上升/下降时间小于1ns，成功实现纳秒级高速权重更新，如图7所示。这一特性在光通信信号处理等场景中具有极大应用潜力，可有效提升系统运行效率。同时，在不同调制速度下取得了出色的低能量编程成果，500Mbps时以2ns脉冲宽度实现2.28pJ编程能量与8.3dB消光比，1Gbps时优化参数使编程能量降至298fJ。此外，利用四电平脉冲幅度调制信号在CW和CCW模式中同时获得四个明显传输电平，对应两个正和两个负的光学权重，显著提升了光信号处理的灵活性与信息承载能力。

图7 非互易光存储的动态响应

在非易失性与循环耐久性方面，通过在MRR上方集成CoFeB磁性条纹提供静态磁场，实现与MRR及Ce:YIG的相互作用，达成非易失性存储。如图8所示，电流变化时，光学传输呈现明显滞后行为，如电流从负向正增加，光学传输在电流大于0mA时上升并最终饱和；电流反向变化时，在负电流值之前保持相对恒定，充分体现存储单元的非易失性。经过长达三天的耐久性测试，以10kHz频率在写入和擦除脉冲间循环，设备在经历24亿次编程循环后仍能正常工作。

图8 非易失性磁光存储

研究成果的意义与展望

（一）对存内计算技术的推动

该研究在光子存内计算关键问题上取得了重要突破。其研发的非互易磁光存储单元具有亚纳秒级编程速度和无限的读/写耐久性，从而为非易失性存储提供了一种高效的解决方案。此外，这一成果成功解决了光存内计算中的难题，尤其是在深度学习等需要大规模计算的应用中，该技术可通过非挥发性、多比特存储的方式以大幅降低传统电学架构的计算瓶颈。

此技术不仅推动了未来计算架构向更高效、绿色的方向发展，还对后CMOS架构的发展具有重要意义。例如，研究展示的光子内存单元具有高速响应和低能耗的特点且能以极高编程速度更新权重，从而能显著减轻了系统的能耗负担，为解决光存内计算的关键问题提供了切实可行的方案。同时，该技术的应用有助于打破传统电学架构的限制，推动计算架构的变革。相关研究人员认为，未来通过自旋轨道转矩或自旋扭矩转移效应能够提高磁光存储单元的开关效率，从而有望进一步提升磁光存储单元的性能。