因为最近刚刚学习了MOS反向放大器小信号频率特性,我就想用Multisim测试验证一下。
下图是我要仿真的电路图,一个PMOS和NMOS组成的共源放大器。
然后,从Multisim里找MOS_P_4T和MOS_N_4T两个MOS管,两个MOS的参数如下:
跨导参数等于2e-5,阈值电压为零,沟道长度调制一项为0,即不考虑沟道长度调制效应,那饱和区沟道电导就认为是0。因为PMOS是栅漏短接,VGS=VDS,如果Vthp=0,那么PMOS就处于临界饱和状态,所以我把它的阈值电压改为-1V(处于临界饱和不影响仿真结果,只是我不想让它处于临界饱和态)。然后连接电路,加直流工作点,加一个示波器测试是不是在工作在饱和区,如下图。
直流工作点测试结果如下