STM32407常用存储器介绍

01 存储器的种类

02 RAM 存储器 易失性存储器  掉电是否能保存数据的功能

RAM 存储器
RAM 是＂Random Access Memory”的缩写，被译为随机
存储器。所谓“随机存取”，指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。这个词的由来是因为早期计算机曾使用磁鼓作为存储器，磁鼓是顺序读写设备，而 RAM 可随读取其内部任意地址的数据，时间都是相同的，因此得名。
实际上现在 RAM 已经专门用于指代作为计算机内存的易失性半导体存储器。
根据 RAM 的存储机制，又分为动态随机存储器 DRAM（Dynamic RAM）以及静态随机存储器 SRAM（Static RAM）两种。

DRAM 的存储单元结构
动态随机存储器 DRAM (Dynamic RAM)。

DRAM以电容的电荷来表示数据。定期给电容充电。

SRAM 的存储单元结构
静态随机存储器 SRAM (Static RAM) 。

 SRAM以锁存器存储数据 ，稳态电路  不会因为电容而出现电荷的衰减。SRAM控制简单，集成度低。

 

03 非易失性存储器 ROM

ROM 存储器
ROM 是“Read Only Memory”的缩写，意为只能读的存储器。由于技术的发展，后来设计出了可以方便写入数据的 ROM,而这个“Read Only Memory”的名称被沿用下来了，现在一般用于指代非易失性半导体存储器，包括后面介绍的 FLASH 存储器，有些人也把它归到 ROM 类里边。

 

种类	特性
MASK ROM	出厂时固化，不可修改
OTPROM	用户可写入一次，之后不可修改
EPROM	可重复擦写，需要使用专用紫外线照射设备擦除
EEPROM	可重复擦写，电擦除，使用方便

FLASH 存储器
FLASH 存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器，部分书籍会把 FLASH 存储器称为 FLASH ROM，但它的容量一般比 EEPROM 大得多,且在擦除时,一般以多个字节为单位。最少擦除4096byte。
根据存储单元电路的不同， FLASH 存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH

 STM32里面的flash是NOR FLASH。可以基于字节进行读写。可以直接执行程序。