nandflash

闪存是一种电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable ProgrammableRead Only Memory，EEPROM），具有非易失、读写速度快、抗震、低功耗、体积小等特性，目前己广泛应用于嵌入式系统、航空航天、消费电子等领域。[1]

闪存存储器主要分为NOR型和NAND型两种，NOR型闪存有独立的地址线和数据线，它支持按位进行访问，具有高可靠性且随机读取速度较快，但NOR闪存的擦除和写操作速度较慢、容量小、价格昂贵，主要用于存储程序代码并在内存中直接运行。NOR闪存在手机上得到了广泛的应用。NAND闪存相对于NOR型闪存拥有更大的容量，适合进行数据存储。

此外，它类似于传统的机械硬盘，对于小数据块的操作较慢，对于大数据块操作较快。NAND闪存根据其芯片单元所能存储的比特位数又可分为单级晶胞(SLC)和多级晶胞(MLC)两类。MLC技术具有显著的存储密度优越性，相对于SLC每个单元仅能存储1位比特，MLC可以存储多位比特，但MLC在速度和可靠性方面还有一定的提升空间。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。