并行存储结构

一、并行存储结构

用于提高访问内存速度，包括以下两类：

1.  双口RAM

2.  多模块存储器；单体多字 、多体并行

二、双口RAM：

概念：

• 在一个存储器中提供两组独立的读写控制电路和两个读写端口，可以同时提供两个数据的并行读写。

用途：

1. 通用寄存器组 ；
2. 指令预取部件，相当于队列，将指令提前放入队列；
3. CPU和其他处理器的连接部分

三、多模块存储器

单体多字系统

• 即一个存储体，增加存储器字长W—>4*W；每个存取周期，CPU从内存中取一个字W，增加了字长后，一个存取周期可取一个字4W，相当于增加了访问速度。

缺点：

• 取指冲突，主要为转移指令；连续取出4*W，即四条指令，如果执行第一条时为跳转，且为跳转到下一次取指中的指令，会造成此次取指的三条指令浪费。
•  读操作数冲突，需要的操作数不在一次取指的存储字中
•  写数据冲突，需要凑齐4W才能写入一次，如果需要改写其中一个W的数据，需要将连续的4W一并读出并修改再写入。

 多体并行系统

概念：存储器由多个存储体构成，各存储体有相同的容量和速度。

每个存储体可独立工作，有单独的数据地址寄存器、地址译码、驱动电路、读写电路。

根据编址顺序的不同：

    a.高位交叉，顺序编址；
先编一个体，再编下一个体；
访问地址组成：体号+体内地址；
    b.低位交叉
先编每个体0号地址，再1号，依次往下；
访问地址组成：体内地址+体号
增加存储器的带宽，即多个存储体同时工作