一、并行存储结构
用于提高访问内存速度,包括以下两类:
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双口RAM
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多模块存储器;单体多字 、多体并行
二、双口RAM:
概念:
- 在一个存储器中提供两组独立的读写控制电路和两个读写端口,可以同时提供两个数据的并行读写。
用途:
- 通用寄存器组 ;
- 指令预取部件,相当于队列,将指令提前放入队列;
- CPU和其他处理器的连接部分
三、多模块存储器
单体多字系统
- 即一个存储体,增加存储器字长W—>4*W;每个存取周期,CPU从内存中取一个字W,增加了字长后,一个存取周期可取一个字4W,相当于增加了访问速度。
缺点:
- 取指冲突,主要为转移指令;连续取出4*W,即四条指令,如果执行第一条时为跳转,且为跳转到下一次取指中的指令,会造成此次取指的三条指令浪费。
- 读操作数冲突,需要的操作数不在一次取指的存储字中
- 写数据冲突,需要凑齐4W才能写入一次,如果需要改写其中一个W的数据,需要将连续的4W一并读出并修改再写入。
多体并行系统
概念:存储器由多个存储体构成,各存储体有相同的容量和速度。
每个存储体可独立工作,有单独的数据地址寄存器、地址译码、驱动电路、读写电路。
根据编址顺序的不同:
a.高位交叉,顺序编址;
先编一个体,再编下一个体;
访问地址组成:体号+体内地址;
b.低位交叉
先编每个体0号地址,再1号,依次往下;
访问地址组成:体内地址+体号
增加存储器的带宽,即多个存储体同时工作