【无标题】1.6Multisim应用举例

1.6.1半导体器件特性曲线测试方法的研究

 

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实验目的：

 

利用IV分析仪测量二极管的伏安特性

 

安装步骤：

 

寻找资源，按照提示操作流程安装完成。

 

测量方法及步骤：

 

1.选择元件:在Mulisim主界面的左侧元器件栏中选择某种型号的二极管(Diode),1N4148，并将某拖至电路图窗口。

 

2.选择仪器:在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪(IV - Analysis)，也将其拖至电路图窗口；打开IV分析仪,在仪器的Conponents栏选择Diode,IV分析仪的右下角将显示出二极管管脚接端子。

 

3.完成测试:单击Sim_Param，设置仪器参数:闭合仿真开关，即可得到伏安特性曲线。移动光标，可以读出管压降及其对应的电流值。

 利用IV分析仪测试二极管的的伏安特性简单

易行。而且可以推而广之，采用同样方法测出晶体三极管和各种场效应管的特性曲线。

按上述步骤可测出晶体管的输出特性曲线，值得提醒的是，测试时需对两个参数基极电流1_b和管压降V_ ce分别进行设置。

 1.6.2半导体二极管特性的研究

一、题目：

研究二极管对直流量和交流量表现的不同特点。

二、仿真电路：

因为只有在低频小信号下二极管才能等效成一 个电阻，所以图中交流信号的频率为1kHz，数值为10mV(有效值)。由于交流信号很小，输出电压不失真,故可以认为直流电压表(测平均值)的读数是电阻上直流电压值。

三、仿真内容：

1.在直流电流不同时二极管管压降的变化。利用直流电压表测电阻上电压,从而得二极管管压降。

2.在直流电流不同时二极管交流等效电阻的变化。利用示波器测得电阻上交流电压的峰值，从而得二极管交流电压的峰值。

四、仿真结果：

仿真结果如表1.6.1

 

五、结论：

1.比较直流电源在1V和4V两种情况下二极管的直流管压降可知，二极管的直流电流越大，管压降越大，直流管压降不是常量。

2. 比较直流电源在1 V和4V两种情况下二极管的交流管压降可知，二极管的直流电流越大,其交流管压降大，直流管压降不是常量。

2. 比较直流电源在1 V和4V两种情况下二极管的交流管压降可知，二极管的直流电流越大,其交流管压降越小，说明随着静态电流的增大,动态电阻将减小:两种情况下电阻的交流压降均接近输人交流电压值，说明二极管的动态电阻很小。

 

                      直流电源为1V

                     直流电源为4V

视频链接：

 

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