Multisim

fan'yuan'yuan

于 2022-10-26 17:33:37 发布

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分类专栏：笔记文章标签： cascadeur

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_62303024/article/details/127536959

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本文详细介绍了如何在Multisim环境中利用IV分析仪测试二极管的伏安特性，包括选择元件、设置仪器参数和获取特性曲线。通过这种方法，也可以扩展到测试晶体三极管和其他场效应管的特性。此外，文章还探讨了二极管对直流量和交流量的不同响应，揭示了二极管的直流管压降和交流等效电阻随电流变化的规律。

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1.半导体器件特性曲线测试方法的研究
一、题目
利用IⅣ分析仪测量二极管的伏安特性
二、测量方法及步骤
1.选择元件：在Multisim主界面的左侧元器件栏中选择某种型号的二极管(Diode)，如
1N4148，并将某拖至电路图窗口。
2.选择仪器：在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪（IV-Analysis)，也将其拖至电路图窗口；
打开IⅣ分析仪，在仪器的Conponents栏选择 Diode,IV分析仪的右下角将显示出二极管管脚所
接端子。
3.完成测试：单击Sim_Param,设置仪器参数；闭合仿真开关，即可得到伏安特性曲线。移动光标，可以读出管压降及其对应的电流值。

三、举一反三
利用IV分析仪测试二极管的伏安特性简单易行，而且可以推而广之，采用同样方法测出晶
体三极管和各种场效应管的特性曲线。
按上述步骤可测出晶体管的输出特性曲线。值得提醒的是，测试时需对两个参数基极电流L_b和管压降V_ce分别进行设置。

3.1.6.2半导体二极管特性的研究
一、题目
研究二极管对直流量和交流量表现的不同特点。
二、仿真电路
仿真电路如图1.6.3所示。因为只有在低