【无标题】模电实验024

本文介绍了如何使用Multisim的IV分析仪测量二极管的伏安特性,详细阐述了从选择元件、设置仪器到进行仿真的步骤。通过实验发现,二极管的直流管压降随电流增大而增加,而交流管压降则随电流增大而减小,揭示了二极管在不同电流下的工作特性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

一.题目

利用IV分析仪测量二极管的伏安特性

二.测量方法及其步骤

1.选择元件:在 Multisim 主界面的左侧元器件栏中选择某种型号的二极管(Diode),如1N4148,将至电路图窗口。                                                2.选择仪器:在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪(IV-Analysis),也将其至电路图窗口;打开IV分析仪,在仪器的Conponents栏选择 Diode,IV分析仪的右下角将显示出二极管管脚所接端子。                                                              3.完成测试:单击Sim_Param,设置仪器参数;闭合仿真开关,即可得到伏安特性曲线。移动光标,可以读出管压降及其对应的电流值。

以上过程如下图所示

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 三、举一反三

利用IV分析仪测试二极管的伏安特性简单易行,而且可以推而广之,采用同样方法测出晶体三极管和各种场效应管的特性曲线。           按上述步骤可测出晶体管的输出特性曲线,如下图所示。值得提醒的是,测试时需对两个参数基极电流I_b和管压降V_ce分别进行设置。

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