【无标题】Multisim应用举例实验

一、实验原理：以Window为基础的仿真工具，适用于板级的模拟/数字电路板的设计工作。它包含了电路原理图的图形输入、电路硬件描述语言输入方式，具有丰富的仿真分析能力。
二、半导体器件特性曲线测试方法的研究
利用IV分析仪测量二极管的伏安特性的测量方法及步骤
（1）选择元件:在Multisim主界面的元器件栏中选择某种型号的二极管（Diode）1N4149，并将某拖至电路图窗口。
（2）选择仪器:在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪(IV - Analysis)，也将其拖至电路图窗口；将其导线进行连接，如图所示：

（3）打开IV分析仪，设置仪器参数;闭合仿真开关,即可得到伏安特性曲光标，可以读出管压降及其对应的电流值。如图所示：

举一反三实验
利用IV分析仪测试二极管的伏安特性简单易行,而且可以推而广之，采用同样方法测出晶体三极管和各种场效应管的特性曲线。如图所示：

三、半导体二极管特性的研究
1.研究二极管对直流量和交流量表现的不同特点。
（1）在Multisim主界面的元器件栏中选择所需的元器件并用导线将它们连接起来，如图所示：

（2）打开IV分析仪，设置仪器参数，设置好后点击运行，便会出现仿真图如图所示：

        仿真电路，因为只有在低频小信号下二极管才能等效成一个电阻，所以图中交流信号的频率为1 kHz、数值为10 mV(有效值)。由于交流信号很小，输出电压不失真,故可以认为直流电压表(测平均值)的读数是电阻上直流电压值。
        在直流电流不同时二极管管压降的变化。利用直流电压表测电阻上电压，从而得二极管管压降。
在直流电流不同时二极管交流等效电阻的变化。利用示波器测得电阻上交流电压的峰值，从而得二极管交流电压的峰值。
         比较直流电源在1 V和4 V两种情况下二极管的直流管压降可知,二极管的直流电流越大，管压降越大，直流管压降不是常量。
         比较直流电源在1 V和4 V两种情况下二极管的交流管压降可知，二极管的直流电流越大,其交流管压降越小，说明随着静态电流的增大，动态电阻将减小;两种情况下电阻的交流压降均接近输入交流电压值，说明二极管的动态电阻很小。