SW3526 手机充电模块设计输出纹波大纹波调整

小高小辰

已于 2024-11-27 14:43:31 修改

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文章标签：智能手机开源嵌入式硬件

于 2024-11-26 19:20:06 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_62524451/article/details/144035872

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前言

第一次玩手机充电芯片，个人水平有限，如有不对的地方欢迎指出，也欢迎大家在评论区交流！
先上外观图，为了兼顾散热片所以把电感放在背面了，为减小体积，用的都是mlcc电容。

本文简单介绍该芯片原理，更多的是探讨其出现的问题！！！输出纹波1.554V！！！

1. SW3526简介

个人认为手机充电芯片大部分都是DC-DC变换器+协议管理，所以阅读手册后发现其内部结构应该是同步buck整流，原理就不多说，有趣的地方是其没有单独的电压反馈线，猜测其可能是用了电流检测的其中一根线检测输出电压，具体不得而知，其手册中未画出buck Module的内部框图。

其中IIC通讯未用到，官方手册也没有描述其通信寄存器。CC1\CC2\DM\DP为充电协议通讯引脚，FLED是快充指示灯，VDRV是内部工作电压，外接PWR_LED可监测芯片上电状态，实测为5V左右，PSET是输出（充电）功率编程引脚，详见手册，BST为上N管的Bootstrap引脚，其实就是自举升压到VOUT+NMOS驱动电压以驱动上管，而其没有续流二极管，则可见其是同步整流，续流二极管使用一个MOS管代替，其工作频率为125kHz，经过计算，在输入24V输出20V3A时，输出电感值选择22uH是合适的，当输入24V输出5V3A时，选择33uH较为合适，最终测试使用22uH电感，RCS是电流采样电阻，将电流信号转换为电压信号，经芯片内部的放大等处理后得到输出电流值，原理大概就这样，更多更细的部分可以自己探索。

值得注意的是在输出口为A口时CC1应该连接一个5.1k的下拉电阻，否则无输出。

2. 手机充电器对纹波的要求

国际电工委员会（IEC）和欧盟（CE）分别制定了IEC 60320和EN 60320两项标准，规定了纹波的最大值。 IEC标准要求输出电压和电流纹波最大值为输出值的2%，而EN标准则更为严格，要求纹波最大值为输出值的1%。 测试充电器纹波的方法包括准备测试设备如数字万用表、电子负载仪和示波器，进行空载测试和带载测试。

依据我国的先行规范GB/T 35590-2017中要求纹波不大于200mv。

3. 纹波

3.1 测试条件

3.1.1 说明

示波器探头去掉地夹头，使用专用的纹波测试探针测试。
使用取电器获取不同的电压输出。
使用电子负载为测试负载，恒流模式。
测试点为A口的输出引脚，非电子负载仪接口处。
输入电压统一为24V输入。
为最大程度保持结果的准确，所有条件的改变都在同一块PCB上进行。

声明：非专业测试！！！设备也不专业，更没有校准！！！

由于PCB布局，电感材质、电容材质及质量等也会影响纹波，所以结果不具任何参考价值!!!

3.1.2 原理图

为了控制PCB大小，全用的MLCC电容。

3.1.3 PCB

3.2 测试结果

3.2.1 效率

输出5V2A（左图为电源箱输出功率即SW3526输入功率，右图为电子负载功率，下同）

$\eta =9.12W/11.04W=82.61\%$

但是！！！由于线损的存在，实际效率应该还要高一些，下面的也一样！！！

输出5V3A

$\eta =13.74W/16.32W=84.19\%$

输出20V2A

$\eta =37.58W/41.52W=90.51\%$

总结：效率还是不错的，由于我装了散热片，发热也还好，虽然没有测手册中描述的最大效率点VIN=12V，VOUT=5V，IOUT=3A（效率>94%），但是总体来看，个人认为效率表现还是不错的。

3.2.2 纹波表现

左图5V空载 11.71mV，右图5V3A 37.18mV

左图9V空载 11.09mV，右图9V3A 100.7mV

此时的纹波表现已经不满足EN标准了，但是还在IEC标准和国标要求范围内。

3.2.3 纹波超限

输出为12V3A时，输出纹波来到了 1.164V，非常严重！！！

左图20V1A 546.8mV，右图20V2A 1.554V

我不禁怀疑自己，是不是自己的技术太差，这玩意能给设备充电吗？

3.3 改善纹波

首先排除负载影响，因为纹波也会受负载影响，所以我找来了几个水泥电阻

测试后发现纹波几乎没什么变化，所以排除掉！

3.3.1 对于DC-DC变换器的纹波，主要影响有以下两大因数

电感峰值电流。
输出阻抗。

另外的原因就是反馈回路的不稳定，也可能造成较大的输出“纹波”。

3.3.2 电感峰值电流

对于Buck电路的电感峰值电流，其简要公式为

$\Delta I=\frac{V_{in}-V_{out}}{L}\times D\times T_{s}$

其中D为占空比，Ts为周期，定性分析：如果要降低纹波，就必须要减小电感峰值电流，观察公式可以发现可以减小纹波的情况如下

当周期减小时
当L增大时
D值减小

来讨论这三种情况

此时会发现SW3526的工作频率为固定的125kHz，无法减小Ts，除非换工作频率更高的芯片。
而22uH保证在大功率输出时电感不会饱和，若要增大L值，则必须使用更大饱和电流的电感，而在同体积下，饱和电流与电感量成反比，而饱和电流、电感量与体积成正比，若想从电感下手，则必然要更大体积的电感、更大的PCB空间、更大的成本，则此路不好走。
而D值则是由实际工作情况而定，从能量传输的角度来说，若要输出更大的功率，则占空比这个“门”必须开的更大，这样才能让更多的能量从变换器的输入传递到输出，则D值更是不好调整。因为我就是要大功率！

发现开关频率、电感量、D值无法调整。

3.3.3 输出阻抗

这里必须提到电容的ESR参数，不同类型的输出电容，寄生参数的大小不同，使用不同类型的输出电容会得到不同波形的电压纹波。

电容非理想电容，如下电容等效图，其由一个等效串联电阻ESR、等效串联电感ESL和一个等效并联电阻Rleak组成的电路。

而ESR是影响纹波的重要条件，当电流流经电容时，势必会“流过”ESR，则此时由基本的欧姆定律可知，其定会产生电压，而这个电压会叠加在输出电压波形中，就变成了我们看到的纹波。

常见电容的ESR

钽电容的ESR通常都在100毫欧以下，在低频段，其ESR比陶瓷电容高，但在中频段，其ESR相对较低，且较为稳定。
陶瓷电容包括多层陶瓷电容（MLCC）等，在标准规格频率100kHz下，由于其多层结构，ESR值最低。不过在低频段，二类MLCC电容器的ESR比其他类型的电容要高。
薄膜电容的ESR较低，其优势在于高压、高频高温性能好、寿命长、可靠性好、ESR和ESL较低等，但尺寸相对较大、单体电容的容量较小且成本高昂。
铝电解电容的ESR相对较大，并且受频率和温度的影响较明显。低频低温下，氧化铝对整体ESR的贡献最大；高频高温下，电解质对ESR的贡献最大。不过市面上的聚合物和混合电极的电解电容，ESR更低、更稳定。

而我使用的是MLCC电容，理应ESR不高，使用镊子电桥实际测量的结果如下图

左图是普通电解电容50V100uF的测量结果：96.82uF 601.3mΩ

左图是正在使用的MLCC电容50V100uF的测量结果：60.93uF 49.5mΩ

不难看出其ESR都不是一个量级的，但是标的100uF的MLCC电容值明显太低，那么到现在，似乎都没问题，难道就束手无策了吗？

对于MLCC电容值的问题，购买时商品标题如下图

商家标明了是107K，而尾缀K是误差范围，如下图

K代表±10%的误差，则理应其容值不会低于90uF,询问商家后，商家是这样回的

这我就纳闷了，第一次听所要上机测，不过我确实上机测量了，结果还真和商家说的一样，我就没有深究，有知道原因的朋友欢迎在评论区发表。

4. 电容的容值及不同电容在不同频段的ESR 精华

4.1 容值

观察下面两张图！

左图是20V2A的输出纹波1.554V

右图是20V3A的输出纹波约800mV（忘记在示波器上测量了）

纹波下来了！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

原因是我由原理图的3个100uF增加到了6个100uF，容量的加大，其容值的增加，必然会减小纹波，原因我认为可以从能量传递的角度理解，如下图对220V交流电进行整流滤波

整流滤波后的RL两端波形如下

图中的黑色线是经过整流但不滤波（不接电容C）的波形曲线，浅色线是接入电容C（容值xxxuF Cx）的波形，较深色线是接入电容C（容值yyyuF Cy）的波形，其关系是xxx > yyy，也就是Cx > Cy，即深色线的滤波电容比浅色线的大。

开始分析前，我们要知道电容的特性是阻止其两端电压的突变，看仿真图

在开关S1断开时，C1两端通过电阻接地，此时C1两端的压差为0，在开关S1闭合时，C1左端被上拉到5V、右端被下拉到地，此时R2变成负载。

仿真得到的波形图

其中，橙色线是C1的左端波形曲线，红色线是C1的右端波形曲线

开始时，开关S1断开，C1左右两端被下拉到地，两端压差为0。
开关S1闭合瞬间，橙色线瞬间被拉到5V，而红色线也瞬间抬升到5V，原因就是保持两端压差为0。此时电流为正向，也就是从5V流过C1、R2后到地。
开关S1闭合后，C1左端电压不再变化，由于电容的通高频阻低频特性，再加上C1右端的下拉电阻（负载），其电压开始下降，直到地，压差变为5V。此时的电流，依旧从5V流过C1、R2后到地缓慢减小，C1右端下降到0V后，电流截止。（这一状态我的解释也不一定对，尽力了！）
开关S1断开后，橙色波形瞬间下降到2.5V左右，红色波形瞬间下降到-2.5V左右，可以认为压差依旧是5V，由于电容存储的能量有限，能量开始减少，压差也减小，直到0V。为什么不是瞬间下降到0V呢？我也不清楚，可能是R1的缘故，也可能是电容的其它特性，不深究，结果也依然是维持了其两端压差。

回到前面的整流滤波后的波形，可见

当整流后的电压低于电容电压时，为维持电容两端的电压差，电容开始放电，此时能量从电容中传递到负载。而由于电容容量有限，其能释放的能量有限，维持两端的压差效果微乎其微，压差开始反向增大。
当整流后的电压高于电容电压时，为维持电容两端的电压差，电容开始充电，此时能量从电源传递到电容和负载，而由于电容容量有限，其能吸收的能量有限，维持两端的压差效果微乎其微，压差开始正向增大。

然后来比较不同电容值的效果

Cy > Cx ,显然易见使用Cy电容的滤波效果比Cx电容的滤波效果更加平缓，更趋向于理想的DC电压波形，究其原因就是可以存储的能量更多，当需要电容充电时，可吸收更多的能量，进一步减小电压增大的幅度，当电容需要放电时，可以释放更多的能量，进一步减小电压下降的幅度。

所以当我将3个100uF并联增加到6个100uF时，输出的纹波出现了较为明显的下降。

但是这纹波表现依旧不符合要求！！！

最后终于还是发现了问题所在，电容在不同频段的ESR！

4.2电容在不同频段的ESR

先看图

左图是20V3A时的纹波 129.9mV 133.09kHz

右图是20V3A时的纹波约800mV 约20kHz

纹波完全符合国标要求，符合IEC标准要求，符合CE标准要求，呜呜呜呜！！！

原因是经过我的仔细观察，发现了这纹波的频率相较于开关频率太低，然后就想到了这个问题。

左图是去掉6个100uF(MLCC)电容，使用470uF电解电容代替而得到得结果，右图是6个100uF(MLCC)电容。可见纹波得频率在工作频率125kHz附近，频率较高，这就正常了。

我们常用得MLCC有X7R、X5R等材质的，这些都是二类电容，在低频段，二类MLCC电容器的ESR比电解电容等的电容要高，输出阻抗高，所以对低频的纹波滤除效果不尽人意。

现在的输出电容是470uF(电解电容)+1uF(MLCC)+100nF(MLCC)，如果我再加一个100uF(MLCC)呢？干！

结果如下

同是20V3A输出，其纹波来到了47.426mV，可喜可贺啊！！！

如下图，某音博主阿甘体验在21年测量的品牌手机充电器纹波表现

现在SW3526纹波表现也是相当不错了，不过碍于自己DIY的产品，没有成本控制等等限制，自然不能与品牌手机充电器相提并论！

5. 文章到这里就结束了

简单总结一下：输出纹波主要由电感峰值电流、输出阻抗、输出电容容值大小影响，当无法改变电感电流时，更改输出电阻，是更为直接高效的措施，应该注意，当纹波频率明显低于工作（开关）频率时，应该增加低频特性更好的电容，如电解电容，当纹波频率与工作（开关）频率相近时，应该增加高频特性更好的电容，如MLCC电容。

又要重新画一版PCB了，难受！