背景简介:
射频电源是等离子体加工设备核心零部件。射频电源是产生等离子体的核心零部件,对等离子体加工设备的加工能力和加工效果影响很大。主要影响领域包括半导体中刻蚀、薄膜沉积、离子注入、清洗去胶等环节和光伏中薄膜沉积环节,射频电源的性能对形成的等离子体质量和稳定性至关重要,因此对于输出方式、输出效率、输出稳定性等都有极高要求,是半导体零部件中高技术壁垒的零部件之一。
射频电源应用1:等离子体刻蚀设备
刻蚀设备单腔通常应用2-3台射频电源,1台高频电源作为Source源,用来产生等离子体;1-2台低频电源作为Bias源,用来给予偏压电场,给离子加速。高频电源作为Source源的好处在于能够使等离子体中粒子发生更多次碰撞,从而获得高密度粒子;低频作为Bias源更易于给到粒子更高的速度和动能,使离子有更强的轰击能力。
左图射频电源在CCP上应用,右图射频电源在ICP上应用
射频电源应用2:薄膜沉积设备PECVD
PECVD通常是将待沉积物质在射频作用下形成等离子体,再通过化学反应在硅片表面完成沉积;PVD中同样需要先形成等离子体,在反向电场的作用下加等离子体轰击到腔体上方靶材上,击落靶材粒子完成沉积;PEALD中同样应用等离子体来增强沉积能力。
左图PECVD应用,右图PVD应用
我们可以看出无论是应用1,还是应用2,射频电源仅是整个机器内的一个设备,以刻蚀设备为例,机器内部除了射频电源外,还有真空阀,质量流量计,同时需要一套主控设备,通常是PLC,基本架构如下:
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我们知道通常不同厂商的PLC具备不同的工业通信协议,例如西门子PLC一般Profinet,Profibus DP协议,倍福PLC一般EtherCAT通信协议。
另外在半导体发展初期对通信协议这部分是没有标准的,西门子Profibus DP被行业内广泛使用,之后在设备的控制系统要求其信息传输具有速度快,精度高的特征,这一背景下,SEMI很早将DeviceNet作为应用标准纳入半导体设备体系中。随着半导体机器内部设备越来越多,传输数据量越大,传输速度越快,伺服越多等,2007年SEMI将EtherCAT纳入半导体通信标准。
因此就半导体设备(例如射频电源)而言可能面临多种通信协议的需求。
作为射频电源厂商我们可能面临的通信挑战如下:
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面临半导体行业需求的DeviceNet,Profibus DP,EtherCAT如何快速实现并灵活兼容?
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射频电源本身是高频,功率较高设备,可能对通信存在干扰,如何实现通信的稳定、可靠?
经过多方的对比,最终我们选择了瑞典一家专门做工业通信相关产品的公司---瑞典HMS工业网络有限公司
一套方案轻松实现多种协议
进入今天的主题,轻松实现多种通信协议,例如:DeviceNet,Profibus DP, EtherCAT中, 今天主要实现并测试了EtherCAT协议,接下来我会陆续更新其他协议的实现与测试,欢迎关注。
为了本次开发,我在淘宝上购买了一套STM32F103的开发板,照片如下:
STM32F103测试板
HMS销售人员协调了测试板+M40模块,M40模块型号为AB6610-D, 可以通过刷固件的方式切换多种协议,例如Profinet,EtherNet/IP, EtherCAT等等
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先按照HMS给的网盘资料,按照适配板指导手册,完成硬件的连接
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到这一步基本完成了硬件连接,接下来就是将HMS给的基于STM32F103的程序跑在MCU中,同样在网盘资料里面可以找到
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驱动顺利在STM32F103中运行,并驱动起M40
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面向客户我们一般需要提供ESI文件,HMS有个非常方便的小工具,能够自动生成ESI文件,无需手动修改
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接下来到倍福官网寻找Twincat主站,下载地址:Search result | 倍福 中国
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安装完Twincat之后即可测试与M40连接了,我们可以看到模块顺利与Twincat连接也并进入到了OP状态
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截止到这里,我们EtherCAT通信协议已实现,但是还有一个疑问,我该如何定义射频电源与主站交互的数据呢?HMS驱动程序中做了一个框架程序,仅仅需要按照他们的格式定义即可,例如我这边想要定义一个2个字节的电压值Voltage_test,作为PDO数据发给主站
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通过以上3个地方的修改,即可完成自己数据的定义,接下来我们使用Twincat继续测试,从下图我们可以看到,自己定义的Voltage_test已出现在PDO数据中:
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截止到这一步,我们EtherCAT整个测试已基本完成,接下来我们会根据射频电源相关的参数进行变量定义。总体来说HMS产品方案实现确实简单,我这边也并不要掌握EtherCAT协议,产品也能提供ETG相关预认证报告,保证协议的一致性,另外最大的优势是经过这次的开发,后期其他协议都可以兼容,这个我后面会慢慢更新测试情况哈。
好了,今天就更新到这边,下一期我将更新DeviceNet的实现与测试,下期见。