目录
2. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读
3. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写
一、随机存取存储器(RAM)
(一)静态RAM(SRAM)
1. 静态RAM基本电路
2. 静态RAM基本电路的读操作
3. 静态RAM基本电路的写操作
(二)静态RAM芯片(SRAM)
1. Intel 2114 外特性
2. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读
3. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写
(三)动态RAM芯片(DRAM)
1. 三管 MOS 动态 RAM 基本单元电路
2. 单管 MOS 动态 RAM基本单元电路
二、半导体存储芯片简介
(一)半导体存储芯片的基本结构
1. 存储芯片选线的作用
32个位的存储芯片可组成一个
位的存储器
(二)半导体存储芯片的译码驱动方式
1. 线选法
- 特点是用一根字选择线(字线),直接选中一个存储单元的各位(如一个字节)。这种方式结构较简单,但只适于容量不大的存储芯片。
- 如当地址线 A3A2A1A。为 1111 时,则第 15 根字线被选中,对应图中的最后一行位代码便可直接读出或写入。
2. 重合法
只要用 64 根选择线 (X 两个方向32 根),便可选择 32X32 矩阵中的任一位
三、存储器和CPU
(一)存储器容量的扩展
1. 位扩展(增加存储字长)
- 2片1Kx4 位的芯片可组成 1Kx8 位(10根地址线和8根数据线)的存储器
2. 字扩展(增加存储器字的数量)
- 用 2片 1Kx8 位的存储芯片可组成一个2Kx8位(11根地址线和8根数据线)的存储器
3. 字、位扩展(指既增加存储字的数量,又增加存储字长)
- 用 8 片 1Kx4 位的芯片组成 4Kx8位(12根地址线、8根数据线)的存储器