随机存取存储器+半导体+存储器和cpu

目录

一、随机存取存储器（RAM）

（一）静态RAM（SRAM）

1. 静态RAM基本电路

2. 静态RAM基本电路的读操作

3. 静态RAM基本电路的写操作

（二）静态RAM芯片（SRAM）

1. Intel 2114 外特性

2. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读

3. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写

（三）动态RAM芯片（DRAM）

1. 三管 MOS 动态 RAM 基本单元电路

2. 单管 MOS 动态 RAM基本单元电路

二、半导体存储芯片简介

（一）半导体存储芯片的基本结构

1. 存储芯片选线的作用

（二）半导体存储芯片的译码驱动方式

1. 线选法

2. 重合法

三、存储器和CPU

（一）存储器容量的扩展

1. 位扩展（增加存储字长）

2. 字扩展（增加存储器字的数量）

3. 字、位扩展（指既增加存储字的数量，又增加存储字长）

---

 

一、随机存取存储器（RAM）

（一）静态RAM（SRAM）

1. 静态RAM基本电路

2. 静态RAM基本电路的读操作

3. 静态RAM基本电路的写操作

（二）静态RAM芯片（SRAM）

1. Intel 2114 外特性

 

2. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读

3. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写

 

 

（三）动态RAM芯片（DRAM）

1. 三管 MOS 动态 RAM 基本单元电路

 

2. 单管 MOS 动态 RAM基本单元电路

 

二、半导体存储芯片简介

（一）半导体存储芯片的基本结构

 

1. 存储芯片选线的作用

32个位的存储芯片可组成一个位的存储器

（二）半导体存储芯片的译码驱动方式

1. 线选法

• 特点是用一根字选择线（字线），直接选中一个存储单元的各位（如一个字节）。这种方式结构较简单，但只适于容量不大的存储芯片。
• 如当地址线 A3A2A1A。为 1111 时，则第 15 根字线被选中，对应图中的最后一行位代码便可直接读出或写入。

2. 重合法

只要用 64 根选择线 (X 两个方向32 根），便可选择 32X32 矩阵中的任一位

三、存储器和CPU

（一）存储器容量的扩展

1. 位扩展（增加存储字长）

• 2片1Kx4 位的芯片可组成 1Kx8 位（10根地址线和8根数据线）的存储器

2. 字扩展（增加存储器字的数量）

•  用 2片 1Kx8 位的存储芯片可组成一个2Kx8位（11根地址线和8根数据线）的存储器

3. 字、位扩展（指既增加存储字的数量，又增加存储字长）

• 用 8 片 1Kx4 位的芯片组成 4Kx8位（12根地址线、8根数据线）的存储器