半导体随机存储器

SRAM和DROM存储器

• SRAM的存储元是用双稳态触发器来记忆信息的，因此即使信息被读出后，仍保持原状态而不需要再生（非破坏性读出）。但只要电源被切断，保存的信息便会丢失，故它属于易失性半导体存储器。                  
• DRAM的存储元是用存储元电路中栅极电容来记忆信息的，因此即使不断电，信息也会自动消失，故每隔一定时间必须刷新。常用刷新方式有集中刷新、分散刷新、异步刷新。DRAM采用地址复用技术，地址线原来的1/2，且地址信号分行、列两次传送。

• SRAM的存取速度快，但集成度低，功耗较大，一般用来组成高速缓冲存储。
• DRAM具有容易集成、位价低、容量大和功耗低等优点，但是DRAM的存取速度比SRAM慢，一般用来组成大容量主存系统。

DRAM三种刷新方式

①集中刷新：指在一个刷新周期内，利用一段固定的时间，依次对存储器的所有行进行逐一再生，在此期间停止对存储器的读写操作，称为“死时间”，又称为访存“死区”。

集中刷新的优点是读写操作时不受刷新工作的影响，故系统的存取速度比较高；缺点是在集中刷新期间(死区)不能访问存储器。

②分散刷新：把对每一行的刷新分散到各个工作周期中去。这样，一个存储器的系统工作周期分为两部分：前半部分用于正常读、写或保持；后半部分用于刷新某一行。这种刷新方式增 前加了系统的存取周期，如存储芯片的存取周期为0.5us，则系统的存取周期应为lμs。

分散刷新的优点是没有死区；缺点是加长了系统的存取周期，降低了整机的速度。

③异步刷新：异步刷新是前两种方法的结合，它既可缩短“死时间”，又充分利用最大刷新间隔为2ms的特点。具体做法是将刷新周期除以行数，得到两次刷新操作之间的时间间隔t，利用逻辑电路每隔时间t产生一次刷新请求。这样可以避免使CPU连续等待过长的时间，而且减少了刷新次数，从根本上提高了整机的工作效率。

DRAM的刷新需注意以下问题：

• 刷新对CPU是透明的，即刷新不依赖于外部的访问；
• 动态RAM的刷新单位是行，故刷新操作时仅需要行地址；
• 刷新操作类似于读操作，但又有所不同。刷新操作仅是给栅极电容补充电荷，不需要信息输出。另外，刷新时不需要选片，即整个存储器中的所有芯片同时被刷新。

注意易失性存储器和刷新的区别，易失性存储器是指断电后数据丢失，SRAM和DRAM都满足断电内容消失，但需要刷新的只有DRAM，而SRAM不需要刷新。

只读存储器

ROM和RAM都是支持随机存取的存储器，其中SRAM和DRAM均为易失性存储器。而ROM中一旦有了信息，就不能轻易改变，即使掉电也不会丢失，它在计算机系统中是只供读出的存储器。因此ROM为非易失性存储器。

ROM器件有两个显著的优点：

1. 结构简单，所以位密度比可读写存储器高。
2. 具有非易失性，所以可靠性高。

根据制造工艺的不同，ROM可分为

• 掩膜式只读存储器(MROM)
• 一次可编程只读存储(PROM)
• 可擦除可编程只读存储器(EPROM)
• 闪速存储器(Flash Memory)
• 固态硬盘(Solid State Drives)。