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RSS订阅原创 如何处理MOS管小电流发热
（2）穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时，此时源端的载流子注入到耗尽层中，被耗尽层中的电场加速达到漏端，因此，穿通击穿的电流也有急剧增大点，这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同，这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流，而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流，如不作限流，雪崩击穿的电流要大。正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，电源与负载形成回路，所以S极电位就是VBAT-0.6V，而G极电位是0V，PMOS管导通，从D流向S的电流把二极管短路。
2023-04-04 21:58:40
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原创 合封氮化镓芯片商用
前言经过多年数码设备接口迭代，USB PD快速充电技术已全面普及，快充配件市场也在持续增长，在功率选择上，很多客户倾向于选择65W这个黄金功率段，上可以充笔记本、平板，下可以充手机耳机，性价比也十分突出，让65W大功率快充持续热销。近期，东科推出了一款65W 2C1A三口氮化镓充电器，采用时下热门柱状造型设计，外壳通体白色，表面磨砂抗指纹，腰身各面洁白，可方便客户进行差异化设计，整体风格简约。输出端设有2C1A三个USB接口，均为黑色胶芯，接口旁还印有区别标识方便使用。65W 2
2023-02-27 22:51:57
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原创 小功率非隔离电源芯片5-12V电压100-500MA
TM1363 非隔离5V 500mA 12V 260mATM1361 非隔离5V 300mA 12V 150mA一、功能描述：1、成本最低、元件数目最少的降压型(BUCK)转换器方案；2、支持降压(Buck)、降压－升压(Buck－Boost)、升压（Boost）；3、高功率密度-体积小，无需uF级的输入电容；4、高效率-对于12V输出，典型满载效率>70%；5、高功率因数-输入无电解电容相对于电容降压式方案其功率因数更高；6、内置有抖频功能的固定频率振荡器，可
2021-11-10 23:07:29
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原创 不知道该咋推
小功率非隔离电源芯片TM1363 非隔离5V 500mA 12V 260mATM1361 非隔离5V 300mA 12V 150mA一、功能描述：1、成本最低、元件数目最少的降压型(BUCK)转换器方案；2、支持降压(Buck)、降压－升压(Buck－Boost)、升压（Boost）；3、高功率密度-体积小，无需uF级的输入电容；4、高效率-对于12V输出，典型满载效率>70%；5、高功率因数-输入无电解电容相对于电容降压式方案其功率因数更高；6、内置有抖频功能
2021-11-10 22:56:13
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空空如也
空空如也
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