ARM体系结构

内存管理

（多进程） 

栈：局部变量 函数参数 函数返回地址

堆：程序员自己管理的内存区域，使用时需要动态申请， ---- 释放

bss ： 初始化为 0 和未初始化的全局及静态变量

        bss段（未手动初始化的数据）并不给该段的数据分配空间，只是记录数据所需空间的大小；

data ：初始化不为 0 全局及静态变量

        data段（已手动初始化的数据）则为数据分配空间，数据保存在目标文件中；

（全局变量初始化不为0会增加代码所占空间）

bss和data段整个区段被称为数据区

ARM处理器

 

 RAM 

 RAM: （random access memory）随机存储器
                --快  掉电数据丢失

SRAM	DRAM	SDRAM	DDR(n)
静态	动态（电容+晶体管  需要刷新）	（时钟）同步	SDRAM 2及以上版本

  ROM

 ROM: (read only memory)  只读存储器

                --慢  掉电数据不丢失

PROM	EPROM	EEPROM
可编程	可擦除可编程	电子可擦除可编程
（只能写一次）	（用光擦除，擦除范围较难控制）	用电擦除

  Flash

 Flash:闪存

                --快 掉电数据不丢失

线性访问 

                        有专门的地址总线和数据总线(可以像内存一样访问)   

                          norflash : 或非门 可线性访问

                         nandflash : 与非门 不可线性访问

CPU结构 

计算机两大结构 

   计算机结构
       冯诺依曼结构：

                数据和指令一起存储

        （速度较哈佛结构慢些，同一时间只能存取一条指令或一条数据）

         哈佛结构：

                数据和指令分开存储（下图属于哈佛结构）

        （速度更快，同一时间可以同时存取一条数据和一条指令）

CPU构成

寄存器： R0~R12

PC: 程序计数器， 默认值为 0 ， 做自加运算， 实际指向正在运行的下下条指令

LR: 链接寄存器 保存函数的返回地址

SP: 栈指针寄存器， 指向栈顶

       增栈：从低地址向高地址增长

        减栈：从高地址向低地址增长

        满栈：存数据时，栈顶指针先加一再存数据，栈顶指针指向新入栈的数据

        空栈：存数据时，数据先存入栈顶指针指向的空间，再加一，此时栈顶指针指向空

使用满减栈：

        减栈：若数据入栈溢出时 不会溢出到内核区，而是堆区

        满栈：当最后一个数据出栈后，栈顶指针不会越界

CPSR: 运算结果为正、负、进借位、结果为 0 等标志， 中断的使能， 工作状态，工作模式

SPSR: CPSR 的备份

Cache： 缓存

MMU : 内存管理单元 ( 虚拟地址到物理地址的映射 )

   Soc 

                                                                    

CPU ：中央处理单元

MCU ：微控制器     51 单片机

MPU ：微处理器      intel

DSP ：数字信号处理器

FPGA ：现场可编程门阵列 -- 硬件设计语言

 总线

数据总线：

地址总线：

控制总线：读写信号等

AHB ：高速总线

APB ：低速总线

                                         

指令集

RISC ：精简指令集

CISC ：复杂指令集

ARM版本

Cortex-A 低功耗 消费类

Cortex-R 实时性

Cortex-M 高性能，偏控制

ARM9

指令集架构 ( 版本 ): armV4

汇编指令 

程序状态寄存器 

N:符号位，结果为负数则N=1,正数为0

Z:结果为0，则Z=1;(通常用来表示比较的结果为“相等”)

C:发生进位，借位置1

V:发生溢出置1

   立即数

         一个数(或其按位取反后)循环右移偶数位后所有的1能放进低8位中

#0xffff ffff 0不是立即数

#0xffff ffff 00是立即数

#0x40001000不是立即数

所以不能用mov sp,#0x40001000

使用ldr sp,=0x40001000 

add.s

main.c