前言
这段时间在工作中接触到了基于三极管、稳压二极管实现降压稳压的电路。在熟悉电路和阅读文章的时候,发现不少文章对于三极管线性稳压电路的原理介绍得不太详细、不太正确的问题。
本文首先介绍了三极管的输入/输出特性曲线,并在此基础之上利用Multisim搭建了三极管稳压电路,最后对所搭建的稳压电路进行了原理解析。
一、三极管输入/输出特性曲线
1. 输入特性曲线
当三极管共射极连接,集电极与发射极之间的电压
U
C
E
U_{CE}
UCE维持在不同的电压时,反映
U
B
E
U_{BE}
UBE与
i
B
i_B
iB之间关系的一簇曲线,称为三极管的共射极输入特性曲线。
一般情况下,当 U C E ≥ 1 V U_{CE} ≥ 1V UCE≥1V时,集电结处于反向偏置状态,此时 U C E U_{CE} UCE的增大对 i B i_B iB的影响很小,因此 U C E ≥ 1 V U_{CE} ≥ 1V UCE≥1V以后的共射极输入特性曲线与 U C E = 1 V U_{CE} = 1V UCE=1V的特性曲线基本重合。
所以,三极管的器件手册中通常只给出一条
U
C
E
≥
1
V
U_{CE} ≥ 1V
UCE≥1V时的输入特性曲线,如上图所示。
输入特性曲线的数学表达式为:
i
B
=
f
(
U
B
E
∣
U
C
E
=
常
数
)
i_B = f(U_{BE} |_{U_{CE} = 常数})
iB=f(UBE∣UCE=常数)
三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似,也存在一段死区;硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.2V。导通后,硅管的
U
B
E
U_{BE}
UBE约为0.5V,锗管的
U
B
E
U_{BE}
UBE约为0.3V。
2. 输出特性曲线
1)截止区
截止区为
i
B
=
0
i_B = 0
iB=0的那条特性曲线以下的区域。在截止区,三极管的发射结与集电结均处于反向偏置状态,集电极只有十分微弱的电流
I
C
E
O
I_{CEO}
ICEO通过,此时三极管失去了放大作用。
2)饱和区
当加在三极管发射结的电压大于
P
N
PN
PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不再变化,这时三极管失去对电流的放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
在饱和区内,对应不同的 i B i_B iB值的特性曲线几乎重合在一起。此时, U C E U_{CE} UCE较小, i C i_C iC虽然增加,但 i C i_C iC增加不大, i B i_B iB失去对 i C i_C iC的控制能力。饱和时,三极管的发射结和集电结均处于正向偏置状态。三极管集电极和发射极之间的电压称为集-射饱和压降,记为 U C E S U_{CES} UCES。在中小功率硅管中,通常 U C E S < 0.5 V U_{CES} < 0.5V UCES<0.5V。
3)放大区
当加在三极管发射结的电压大于
P
N
PN
PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用。
在放大区内,特性曲线近似于一簇平行等距的平行线, i C i_C iC的变化量与 i B i_B iB的变化量基本保持线性关系,此时 Δ i C = β Δ i B Δi_C = βΔi_B ΔiC=βΔiB,且 Δ i C > > Δ i B Δi_C >>Δi_B ΔiC>>ΔiB, β β β为三极管的电流放大倍数。
同时,在此区域内集电极电压对集电极电流的控制作用很弱,当 U C E ≥ 1 V U_{CE} ≥ 1V UCE≥1V, U C E U_{CE} UCE的增加很难引起 i C i_C iC的增加。此时,若 i B i_B iB不变,则三极管可以看作一个恒流源。
二、三极管稳压电路及原理解析
1. 三极管串联稳压电路
本文基于Multisim搭建了由三极管、稳压二极管、电阻、电容等分立元件构成的三极管串联线性稳压电路,实现将12V直流电压通过三极管、稳压二极管等元件降压至5V,为负载供电。为便于观察,选用LED灯(红)作为电路负载,其工作电压为1.66V,电流5mA。其基本电路拓扑如下图所示:
电阻R1和稳压二极管D1组成基本稳压电路,通过稳压二极管将电压稳定在5.6V;稳压二极管与三极管基极连接,发射极输出,形成一个简单的三极管射极跟随器;此时,发射极电压跟随着基极电压变化,即 U E = U B − U B E U_E = U_B - U_{BE} UE=UB−UBE,其中 U B E U_{BE} UBE为基极与发射极之间的管压降。根据跟随器原理我们就可以产生需要的电压,图中仿真电路的输出电压理论上为5V。
Multisim仿真结果,如下图所示:
从仿真结果可以看出该电路中稳压二极管将电压稳在5.602V,电路的最终输出电压为4.889V(5.602V -
U
B
E
U_{BE}
UBE,硅管0.6V~0.7V),且输出电压波形稳定,电路的功能基本实现。
2. 稳压原理解析
下面针对电源变化以及负载变化情况,详细分析三极管串联线性稳压电路的输出电压调整过程。
1)负载不变,输入电压
U
i
n
U_{in}
Uin减小
当负载不变,输入电压
U
i
n
U_{in}
Uin减小时,输出电压
U
o
u
t
U_{out}
Uout有下降趋势。由于稳压二极管的存在,三极管基极电压维持不变。此时,基极-发射极电压
U
B
E
U_{BE}
UBE增大。由输入特性曲线可知,
i
B
i_B
iB随着
U
B
E
U_{BE}
UBE的增大而增大。三极管发射结正向偏置,集电结反向偏置,处于放大区,有
Δ
i
C
=
β
Δ
i
B
Δi_C = βΔi_B
ΔiC=βΔiB,即
i
C
i_C
iC增加。又因为电路为三极管串联稳压电路,回路电流相同,
U
o
u
t
=
i
C
∗
R
l
o
a
d
U_{out} = i_C*R_{load}
Uout=iC∗Rload,
U
o
u
t
U_{out}
Uout增加。
2)负载不变,输入电压
U
i
n
U_{in}
Uin增大
当负载不变,输入电压
U
i
n
U_{in}
Uin增加时,输出电压
U
o
u
t
U_{out}
Uout有增加趋势。由于稳压二极管的存在,三极管基极电压维持不变。此时,基极-发射极电压
U
B
E
U_{BE}
UBE减小。由输入特性曲线可知,
i
B
i_B
iB随着
U
B
E
U_{BE}
UBE的减小而减小。三极管发射结正向偏置,集电结反向偏置,处于放大区,有
Δ
i
C
=
β
Δ
i
B
Δi_C = βΔi_B
ΔiC=βΔiB,即
i
C
i_C
iC减小。又因为电路为三极管串联稳压电路,回路电流相同,
U
o
u
t
=
i
C
∗
R
l
o
a
d
U_{out} = i_C*R_{load}
Uout=iC∗Rload,
U
o
u
t
U_{out}
Uout减小。
3)输入电压
U
i
n
U_{in}
Uin不变,负载减小
输入电压
U
i
n
U_{in}
Uin不变,负载减小时,输出电压
U
o
u
t
U_{out}
Uout有下降趋势。由于稳压二极管的存在,三极管基极电压维持不变。此时,基极-发射极电压
U
B
E
U_{BE}
UBE增大。由输入特性曲线可知,
i
B
i_B
iB随着
U
B
E
U_{BE}
UBE的增大而增大。三极管发射结正向偏置,集电结反向偏置,处于放大区,有
Δ
i
C
=
β
Δ
i
B
Δi_C = βΔi_B
ΔiC=βΔiB,即
i
C
i_C
iC增加。又因为电路为三极管串联稳压电路,回路电流相同,
U
o
u
t
=
i
C
∗
R
l
o
a
d
U_{out} = i_C*R_{load}
Uout=iC∗Rload,
U
o
u
t
U_{out}
Uout增加。
4)输入电压
U
i
n
U_{in}
Uin不变,负载增大
当输入电压
U
i
n
U_{in}
Uin不变,负载增大时,输出电压
U
o
u
t
U_{out}
Uout有增大趋势。由于稳压二极管的存在,三极管基极电压维持不变。此时,基极-发射极电压
U
B
E
U_{BE}
UBE减小。由输入特性曲线可知,
i
B
i_B
iB随着
U
B
E
U_{BE}
UBE的减小而减小。三极管发射结正向偏置,集电结反向偏置,处于放大区,有
Δ
i
C
=
β
Δ
i
B
Δi_C = βΔi_B
ΔiC=βΔiB,即
i
C
i_C
iC减小。又因为电路为三极管串联稳压电路,回路电流相同,
U
o
u
t
=
i
C
∗
R
l
o
a
d
U_{out} = i_C*R_{load}
Uout=iC∗Rload,
U
o
u
t
U_{out}
Uout减小。
总结
1)介绍了三极管的输入/输出特性曲线;
2)基于Multisim搭建了三极管串联线性稳压电路;
3)详细阐述了三极管串联线性稳压电路的输出电压调整过程;
以上便是本文的全部内容,希望本文能对大家理解和运用三极管串联线性稳压电路有所帮助。
当然,本文内容如有错误或不严谨之处,也恳请大家及时指出,谢谢!
参考
三极管串联稳压电路 - 稳压电源 - 电子发烧友网;
三极管稳压线性电源 - CSDN博客;
三极管的特性曲线型图解;