感光干膜紫外线光刻设计_感光干膜生产工艺-CSDN博客

基础研究是科技创新的源头，是建设世界科技强国的基石。当前，新一轮科技革命和产业革命加速变革，世界各主要科技强国都重点布局基础科学研究，将科技创新链条的布局前移到基础研究。在科技创新领域，我国基础科学研究相对薄弱的短板日益突出。光刻技术是微电子与集成电路制备的关键工艺技术，同样也存在缺乏自主掌握的核心技术、严重依赖国外技术的短板，已经成为制约我国高端芯片等相关制造业发展的瓶颈，掌握包括光刻技术等关键核心技术对于我国建设创新型国家和世界科技强国至关重要。

随着科技的快速发展， 5G 通信设备、智能辅助设备和新能源汽车等产业为人们的生产生活带来了诸多便利，同时也带来了新一轮的技术革新。我国对印制电路板（printed circuit board，PCB）的需求不断扩大，作为 PCB 生产的重要原材料，感光干膜的生产需求量也在不断增长。根据 Prismark的市场分析报告，2026 年全球 PCB 产值可达 1 015亿美元，中国市场产值将超过 540 亿美元，产业规模庞大，市场需求旺盛。感光干膜是光刻胶的一种，广泛应用于 PCB 生产等领域。

感光干膜又称光致抗蚀干膜，是一种固态负性光刻胶，作为生产印制电路板（printed circuit board，PCB）的重要原材料之一，市场规模巨大。随着电子产品精密和微型化需求的日益增长，传统的PCB生产技术，图形转移技术无法满足生产需求；激光直接成像（laser direct imaging， LDI）技术具有高精度特点，被广泛应用于感光干膜生产中。感光干膜的应用领域逐步扩展，现已包括印制电路板、图案制造、微电子机械系统的微纳模具以及微流体通道等领域。

1.2 项目概述

利用紫外线光刻工艺在衬底表面制备感光胶掩膜,为下一步通过电化学沉积法制造电感线圈做准备

2设计要求

2.1 所需物料

衬底：敷铜PCB板7cm x 10 cm（敷铜层用作电化学沉积所需的种子层）
感光胶：感光干膜（国产，38μm厚度，负性感光胶，线宽最小可达50μm）

通常用于制造精密PCB，价格低廉，易于实施

光刻版：光绘菲林，厚度180μm，最小线宽可达10μm

成本相较电子束光刻制造的玻璃光刻版更为低廉，统一提供

2.2 功能需求

明确感光干膜紫外线光刻系统的功能需求，包括自动对位、曝光时间控制、光源稳定性等。在功能需求部分，明确感光干膜紫外线光刻系统所需的各种功能。这可能包括自动对位功能、曝光时间控制、光源稳定性等。确保列举所有与系统功能相关的要求。

3. 光刻流程

1.前处理：磨刷研磨铜面

（1）目的：去除铜表面的氧化、油污，清洁、粗化铜面，以增大干膜在铜面上的附着力。

（2）流程：除油——水洗——磨板——水洗——微蚀——水洗——酸洗——水洗——烘干

（3）基本工艺要求：

a.刷轮目数:500～800

b.刷轮数量:上下两对刷轮（共４支）

c.磨刷电流:+１~2Ａ

d.转速:1800转/分钟

e.摇摆:300次/分钟

f.磨痕宽度:10~15mm

g.微蚀量：0.8~1.2um（一般采用SPS+硫酸或硫酸+双氧水溶液，生产板要求较高时则采用超粗化表面处理）

h.酸洗浓度：3~5%硫酸溶液

i.水洗:多过3个缸(循环水)喷淋压力：1-3Kgf/cm2

j.吸干:通常用2支海绵吸水辘

k.烘干:热风吹风量为4.0～9.0m3/min,热风温度为70～90℃

l.其它控制项目:水裂点：>15s,粗糙度1.5<Rz<3.0

2.贴膜

贴膜机将干膜通过热压辘和铜面附着，同时撕掉PE膜。

（1）目的：将干膜贴在粗化的铜面上。

（2）基本工艺要求:

a.预热段温度：80～100℃

b.贴膜前板面温度：40～60℃

c.压辘设定温度：110～120℃

d.压膜时压辘温度：100～115℃

e.贴膜压力：3.0~5.0kgf/cm2（或60~80PSI）

f.贴膜速度：1.5~2.5m/min

g.板出温度内层板：60-70℃；外层板：45-55℃（镀铜/锡）；50-65℃（镀金）

h.贴膜后静置时间：15min～24H(一般为30min)(静置一段时间后才能进行下一步)。

（3）注意事项:

温度达到110℃以上后开始贴膜；为减少孔破，可以适当减低压膜温度和压力；贴膜前孔内应无水分或水气；贴膜后的板冷却至室温后，再曝光；贴膜压辘各处温度均匀；定期测定贴膜压辘的温度；贴膜上下压辘要平行；贴膜压辘上无油污或膜碎等杂物；清洁压辘上异物时不可用尖锐或硬的工具；贴膜不可超出板边；干膜不可超过有效期内；若覆膜时有汽泡，则在压膜前板子要加强吹干赶走水汽。

3.曝光

曝光机的紫外线通过底片使干膜上部分图形感光，从而使图形转移到铜面上。

（1）目的：将图形转移到铜面上。

（2）基本工艺要求：

a.曝光能量：40-80mj/cm2（以21级Stoufer格数尺7～9级残膜为准）

b.曝光后静置时间：15min~24H（一般为30min）

（3）注意事项：

曝光能量均匀性≥90%；每4H测定曝光能量；抽真空时间不能太短，防止曝光不良；曝光台面温度太高会造成底片变形；板面、底片或曝光台面不能有脏点；干膜、底片小心操作，防止划伤；曝光机空气过滤芯定期清洁或更换。

4.显影

（1）目的：将未曝光部分的干膜去掉，留下感光的部分。

（2）原理：未曝光部分的感光材料没有发生聚合反应，遇弱碱Na2CO3（0.8-1.2%)或K2CO3溶解。而聚合的感光材料则留在板面上，保护下面的铜面不被蚀刻药水溶解。

（2）基本工艺要求

a.Na2CO3浓度：0.8~1.2%

b.显影液温度：28~32℃（一般为29℃）

c.显影压力：1.0~2.0kgf/cm2

d.显影点：50~60％

e.显影时间（Sec）(根据实际用板而定)

MU310 28-40 MU312 30-45 MU315 35-50 MU320 40-60

（3）注意事项

各段喷嘴不能堵塞；

显影液要定期更换，需要有自动添加，保证不

能超过药水负载量；

各段滚轮上不能有油污等杂物；

烘干后板子表面、孔内无水渍。

5.电镀

（1）目的：将我们所需要的图形处的铜层进行加厚，并且在铜面上镀上一层抗蚀刻层（即锡或锡铅）。

（2）基本工艺要求：

电镀铜＋锡或锡铅（以电镀供应商工艺要求为准）

酸性除油 38-50℃，2-6min

喷淋清洗 2min

微蚀量 0.15-0.25µm

喷淋清洗 2min

硫酸浸泡 5-10VOL%；1-2min

喷淋清洗 1-2min

6.去膜

通过强碱溶液（一般为NaOH溶液，浓度为2-3%）将覆盖在铜面上抗电镀的干膜去掉。

（1）目的：将覆盖在铜面上抗电镀的干膜去掉。

（2）原理：COOH+NaOH——>COO+H2O+Na

（3）基本工艺要求：

a.去膜液浓度：2.0~3.0%（NaOH浓度）

b.去膜液温度：45~55℃

c.去膜压力：2.0~3.0kgf/cm2

d.水洗压力：1.0~3.0kgf/cm2

e.去膜点：50~60％

（4）注意事项：

各段喷嘴不能堵塞；去膜液浓度不可超出控制范围；去膜液要定期更换，需要有自动添加，保证不能超过药水负载量；去膜段干膜过滤系统工作良好，并定期清理膜碎；去膜后水洗干净，板子表面不能有残膜；吹干段不能有大量水带入蚀刻段。

7.蚀刻

（1）目的：用蚀刻液将非线路图形部分的铜面蚀刻掉，而在锡或锡铅下的铜则不能被蚀刻。

（2）基本工艺要求：以蚀刻药水供应商工艺要求为准。

8.去锡/锡铅

（1）目的：用去锡/锡铅药液将锡/锡铅去掉，露出需要的线路。

（2）基本工艺要求：以去锡药水供应商工艺要求为准。

4. 结论

4.1 总结

光刻技术是芯片制造的核心，是集成电路中的关键工艺。因此，开展光刻技术领域的分析十分必要。光刻技术为精密的微细加工技术，是现代半导体、微电子和信息产业的基础，对于高端芯片等相关制造业必不可少。如何实现包括光刻技术等关键核心技术的科技自立自强，对于我国建设创新型国家和世界科技强国至关重要。

4.2 展望

虽然目前普通精度的商用感光干膜的市场占有率更高，但随着科技和电子行业的高速发展，高精度感光干膜的需求量必将大幅增长。而国内新型感光干膜产品不论是生产设备还是产品性能，还与龙头企业的高端产品有着较大差距。为了满足市场的需求，感光干膜生产者必须从感光性等性能方面和产量等成本方面的双重角度，继续深度开发生产技术，并在此两方面兼顾的基础上，在商业生产环节上不断迭代更新。研究者们也致力于感光干膜的应用领域拓展，在小分子分析、生物医药等领域，其应用前景十分广阔。