Origin2024学习笔记（四）--增益Gain绘图2（保留电荷层法）-CSDN博客

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说在前面

我们采用了两种方法来模拟雪崩电压前的增益，分别为直接法与保留电荷层法。本文将详细介绍保留电荷层法。

一、本文使用的代码

1.原始代码

基于之前得出的结论，在四个光照强度下，0.0001 对应最大增益带宽积的情况。因此，我们需要在原有的光电流代码中，将光强设定为 0.0001，同时修改多晶锗的禁带宽度。以下是禁带宽度为 1.1eV 时的代码：

go atlas
mesh cyl
X.MESH LOCATION=0      SPACING=3
X.MESH LOCATION=7      SPACING=3
X.MESH LOCATION=17     SPACING=3
Y.MESH LOCATION=0      SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=0.1    SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=0.8    SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=0.89    SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=0.9    SPACING=0.0001
Y.MESH LOCATION=0.902 SPACING=0.0001
Y.MESH LOCATION=0.91   SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=1.0    SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=1.5    SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=2.5    SPACING=0.01

#region
REGION num=1 MATERIAL=Germanium x.min=7      x.max=17   y.min=0      y.max=0.1
REGION num=2 MATERIAL=Germanium x.min=7      x.max=17   y.min=0.1    y.max=0.9
REGION num=3 user.material=poly-Ge x.min=7   x.max=17   y.min=0.9    y.max=0.902
REGION num=4 MATERIAL=Silicon   x.min=7      x.max=17   y.min=0.902 y.max=1.0
REGION num=5 MATERIAL=Silicon   x.min=7      x.max=17   y.min=1.0    y.max=1.5
REGION num=6 MATERIAL=Silicon   x.min=0      x.max=17   y.min=1.5    y.max=2.5
REGION num=7 MATERIAL=Si3N4     x.min=0      x.max=7    y.min=0      y.max=1.5

#electrode
electrode  name=anode x.min=0 x.max=5 y.min=1.5 y.max=1.5
electrode  name=cathode x.min=7 x.max=17 y.min=0 y.max=0

#doping
doping uniform conc=1e19 p.type   region=1
doping uniform conc=5e15 p.type   region=2
doping uniform conc=5e15 p.type   region=3
doping uniform conc=5e15 n.type   region=4
doping uniform conc=5e15 n.type   region=5  
doping uniform conc=1e19 n.type   region=6

#对雪崩get guss有帮助
INTERFACE S.S THERMIONIC TUNNEL

#material
material material=silicon taun0=1e-7 taup0=1e-7 Eg300=1.12 affinity=4
material material=germanium taun0=1e-7 taup0=1e-7 Eg300=0.66 affinity=4 sopra=Ge.nk
material material=poly-Ge user.group=semiconductor user.default=Germanium MUN=250 MUP=80 permittivity=16 Eg300=1.1 affinity=4 taun0=1e-8 taup0=1e-8 sopra=Ge.nk
#Ge只有空穴迁移率，按照单晶电子空穴迁移率进行比值得到1415

#DEFECTS 加cont雪崩的时候会不收敛 没有加高斯会出现电流降低
defects material=poly-Ge NTA=1e20 NTD=1e20 WTA=0.015 WTD=0.015 \
NGA=1e14 NGD=1e14  WGA=0.12 WGD=0.12  EGA=0.7 EGD=0.7 \
SIGTAE=1e-17 SIGTAH=1e-15 SIGTDE=1e-15 SIGTDH=1e-17 \
SIGGAE=1e-15 SIGGAH=1e-14 SIGGDE=1e-14 SIGGDH=1e-15 afile=acceptor.dat dfile=donor.dat

#contact name carrier temperature dependence reflect 
contact name=anode 

#model 
models material=silicon fermi bgn auger fldmob consrh BBT.STD conmob optr print 
models material=germanium fermi bgn auger fldmob consrh BBT.STD conmob optr print
models material=poly-Ge fermi bgn auger fldmob consrh BBT.STD TRAP.TUNNEL TRAP.COULOMBIC TRAP.AUGER QWELL optr print
impact selb material=poly-Ge an1=1.55e7 an2=1.55e7 ap1=1e7 ap2=1e7 bn1=1.56e6 bn2=1.56e6 bp1=1.28e6 bp2=1.28e6
impact selb material=silicon

#mobility
mobility material=silicon vsatn=1.3e7 vsatp=1e7 MUN=1450 MUP=500
mobility material=germanium  vsatn=1e7 vsatp=9e6 MUN=3900 MUP=1900

#method
method newton maxtrap=15 climit=1e-4 DVMAX=1e8
beam num=1 wavelength=1.31 angle=90 x.ori=15 y.ori=-3 min.win=-8 max.win=2
solve init
solve b1=0.0001
log outfile=Ge_Si_wafer_bonding_punch_poly-Ge_2nm_b1=0.0001_1.1eV.log
solve vanode=0 vstep=0.1 vfinal=31  name=anode
output charge flowlines photogen opt.intens recomb u.auger u.srh U.BBT u.radiative HX.VELOCITY Hy.VELOCITY Hz.VELOCITY \
       e.field jx.e jy.e jx.h jy.h  con.band val.band e.velocity h.velocity e.mobility h.mobility EZ.FIELD EZ.VELOCITY \
impact J.ELECTRON J.HOLE J.TOTAL QTUNN.BBT TRAPS DEVDEG EX.FIELD EX.VELOCITY EY.FIELD EY.VELOCITY
save outfile=Ge_Si_wafer_bonding_punch_poly-Ge_2nm_b1=0.0001_1.1eV.str
tonyplot Ge_Si_wafer_bonding_punch_poly-Ge_2nm_b1=0.0001_1.1eV.log
tonyplot Ge_Si_wafer_bonding_punch_poly-Ge_2nm_b1=0.0001_1.1eV.str

2.参数修改

此处可根据实际需求对代码中的部分参数进行调整，具体修改方向及数值需依据实验或模拟目的而定。例如，如需进一步探究不同光照强度对结果的影响，可再次调整光强参数；若要研究不同材料特性，可对相应的材料参数进行变更等。由于不同的研究场景对应不同的参数调整，难以在此统一列举，使用者需根据自身情况灵活操作。

二、silvaco图像导出步骤

1.在原有的光电流代码中，将光强修改为 0.0001，并调整多晶锗的禁带宽度。完成修改后，生成相应文件，建议文件名采用易于自己识别的命名方式，以便后续操作查找。打开 Tonyplot 软件，导入上述生成的文件，并执行合并 “overlay” 操作。该操作可将相关数据进行整合展示，方便后续对参数进行统一设置和分析。