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RSS订阅翻译 模拟管级电路设计经验
作为电流镜的晶体管，要尽可能地减八沟道长度调制效应的影响，晶体管L比较大(同时减小失配)，但宽长比W儿一般不大，过驱动电压Vgs-Vth适中，晶体管工作在强反型区，Vdsat取150mV-200mV左右。做为运放的输入对管，对增益gm和电路失配的要求比较高，晶体管尺寸W和L比较大(减小失配)，同时宽长比W八比较大(增力gm)，因此过驱动电压Vgs-Vth一般很小，晶体管工作在弱反型区，Vdsat取150mV左右，很难做到更大，一般来说vdsat
2023-08-14 09:59:22
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空空如也
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