模拟管级电路设计经验

在经典的模拟电路中，晶体管一般要求工作在饱和区，为了减小电路失配(mismatch)和沟道长度调制效应的影响，晶体管的沟道长度L一股比较大，即为长沟道器件。作为电流镜的晶体管，要尽可能地减八沟道长度调制效应的影响，晶体管L比较大(同时减小失配)，但宽长比W儿一般不大，过驱动电压Vgs-Vth适中，晶体管工作在强反型区，Vdsat取150mV-200mV左右。做为运放的输入对管，对增益gm和电路失配的要求比较高，晶体管尺寸W和L比较大(减小失配)，同时宽长比W八比较大(增力gm)，因此过驱动电压Vgs-Vth一般很小，晶体管工作在弱反型区，Vdsat取150mV左右，很难做到更大，一般来说vdsat<50mV管子基本就工作在线性区。为了保证晶体管可靠地工作在饱和区，Vds与Vdsat的差值要足够大，一方面是担心工艺偏差导致晶体管进入线性区，另一方面晶体管工作在饱和区附近，rds比较小，晶体管的本征增益比较小。Typical 情况下，Vds-Vdsat至少要为100mV，最好为200mV左右。