【电力电子新能源面试题】

1.目前常用的全控型器件有哪些?各有什么特点?

答:目前常用的全控型器件有GTO，IGBT，MOSFET等。GTO的开关频率比较低，一般在几百到一千Hz左右﹐但其耐压比较高，因此GTO主要用于一些特大容量场合。IGBT的开关频率一般可以做到50kHz，容量到4500V/1000A。具有输入阻抗低，驱动功率小等特点，主要应用在电机控制，中频电源，开关电源等场合。MOSFET具有驱动功率小，高频特性好，热效应好，没有二次击穿，开关频率高等特点，可达2MHz，但其容量低，目前制造水平1000 V/2A和60 V/2A，不适宜大功率场合。

2.什么是电力电子器件的二次击穿，为什么MOSFET 没有二次击穿现象?

答:当电力电子器件由于电流过大而发生一次击穿时，如果没有采取措施限制电流，由于器什本身的负阻效应，使得电流进一步迅速增加，导致管子发生热击穿而损坏，称作二次击穿。MOSFET之所以没有二次击穿现象，是因为MOSFET 本身具有正阻效应，随着电流的增加其本身电阻增加，从而不至于使得电流进一步迅速上升而发生二次击穿。

 

3. 电力电子器件的保护主要有哪些？为什么电力电子器件有设置缓冲保护电路？

答:主要有短路保护，过压过流保护等。对于电力电子器件由于其本身对dt /di ,dt /du 的能力比较差，所以除了前面的过压过流保护外，还应该增设缓冲电路以限制电流以及电压的变化过快。

4.什么叫做整流，目前常用的整流电路中，电路的拓扑结构主要是什么？

答:把交流电变成直流电输出，称之为整流。