模电基础与ARM

*处理器划分：存储结构划分（冯诺依曼，哈佛）指令类型划分（RISC即ARM，CISC即八二原则）

*ARM是处理器：包含几种体系架构：从V1到V8（随着历史有些不用了）

其中Cortex系列处理器主要是V7架构（Cortex系列：Cortex-M,Cortex-A,Cortex-R，运用于不同对象）

*【针对Cortex-M0：

包括4个模式：线程（芯片复位后），处理（处理器发生异常、中断，完成后返回线程模式），Thumb（正常运行时的处理器），调试（调试程序时的处理器）

包含寄存器（普通和特殊）

有异常和中断】

*ARM处理器支持ARM，Thumb两种指令集（Thumb比ARM体积小，性能低）

【模拟电路】

1.电阻器：阻碍电流通过+消耗电能，用R标表示 单位是Ω

电容器：存储电荷+电能的元件，用C表示 单位是F 防止电压突变

2.直流电：电流的方向和大小不随时间改变

交流电：都变，方向是周期性变化，适合长距离运输电

3.电压：电路两端有电位差，推动电荷定向移动成电流，欧姆定律：V=I*R

4.集成电路：把元器件（电阻，电容，二极管，晶体管.......）组合到pcb电路板上

在电路板上有编写代码的部分，该部分有不同架构供选择（比如ARM架构）

5.电流通过导线，导线周围产生磁场：磁场方向用右手定律（一种元器件：电感器 防止电流突变 自感现象：电流通过电感器，产生与电流方向相反的电动势：抵抗电流发生的变化）

电磁感应现象：磁场通过线圈，产生 电动势，影响电流（法拉第定律）

6.LRC振荡电路（电容器+电感器）

7.电位器：阻值有规律的变化

8.毫瓦时：和J转换   1毫瓦时=3.6J

毫安时：J=V*（毫安时/1000）*3600

9.继电器：电流通过导线，产生磁，吸引磁铁，进行开/闭

10.三极管：纯硅导电性差，添加其他电子构成半导体，n个半导体就是n极管

三极管放大特性：（类似水阀）电压小时电流速度慢，但通过三极管提高三极管之后的电流速 应用：测电笔，经过几个npn三极管

npn三极管：电压高导通 

pnp三极管：电压低导通

区分箭头方向

mos管：高耐压值（即collector电压高） base经过管时不消耗电流

11.ne555集成电路：嵌入式编程即对各种元器件的引脚进行控制、

      

ne555中的元器件：

比较器：运算放大器（运放器 ）音响 上高，输出高电频，上低，输出低电频

相反器（非门）：输入高电压输出低电压，输入低电压输出高电压

或非门：有一个高，就输出低电平；所有输入都是低，才会开门->输出高

双稳态触发器：S->一直保持状态，R->才会变