计算机组成原理精讲

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计算机组成原理精讲解析（考察的是对硬件的特性）

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计算机组成原理----存储器

你好！ 这是计算机组成原理的基本知识

存储系统（二进制信息如何在内存中存储）

存储器概述

我们从上方图片中可以看出：
内存：8GB就是主存； 机身存储：128GB就是辅存
不同：主存和辅存的容量截然不同
那我们除了主存和辅存，还有没有其他存储器呢？

我们来看一下这些存储器：

• 存储器的层次结构：

越靠近上层速度越快容量小价格高

解析一下：辅存里面读写速度很慢，而CPU读写速度很快，辅存里面的数据跟不上CPU的执行速度，因此，我们需要把辅存里面的数据调入到主存里面。
（就好比搬砖砌墙：你搬砖的速度跟不上我砌墙的速度，一定会影响进度的）
我们生活中用的微信：
1、刚开始打开有2~3秒的停留时间（把辅存里面的数据读入到主存里面）
2、CPU就可以和主存中的数据进行访问

• 在介绍一点：
  

主存到辅存层：通过加上一个操作系统（实现页面置换）；即为找到哪些需要从主存换输到辅存中【解决了主存容量不够的问题】

cache到主存：硬件自动完成的

• cache:

1、【cache作用】：缓解CPU和主存之间的速度差
2、【解说一下】：虽然我们把数据放在了主存，CPU可以访问了，但是速度还是跟不上CPU的速度，这时候我们就出现了 cache,我们可以将经常使用的数据放入cache 中，然后CPU从cache里面读数据，也可以写数据，然后把在cache中修改的数据返回主存
3、【举例说明】：
1、微信数据在主存中，假如和家里人视频聊天，
2、那么就把视频聊天的代码放在cache中，这样我们的速度就快了。

• 寄存器：计算机中可能就有几十个寄存器
• 案例：

1、虽然cache容量很小（为了节约成本），但是运行速度很高
2、都可以被CPU直接访问

我们在过去：机器硬盘
我们在现在：SSD硬盘m.2接口（他让我们读写的速度更快）

• 存储器的分类----层次分：
  解说 一下：
  1、主存和高速缓冲存储器都可以直接被cpu读写
  2、辅存里面的数据需要读入主存中才可以被读写

• 存储器的分类----介质分：

解说一下：
我们都知道，存储器的作用就是存放二进制01这些数据信息的，根据制作的材料不同，我们可以分为三类：
1、以半导体：主存，cache
2、磁性材料：磁盘，磁带（辅存）
3、光介质：光存储器

• 存储器的分类----存取方式：
  
  

所有存储器都分为存储的一个个存储单元
1、随机存取存储器（RAM)：（例如内存条）
读取任何我一个地址的地质单元读写时间速度都是相同，不会改变
2、顺序存取存储器 (SAM)：（复读机，磁带）
读取所需要的时间取决于物理位置
（录音机有个磁头，轴转动的时候，磁条划过磁头，转到磁头下方读取数据）
3、直接存取存储器 (DAM)：（磁盘）
比随机存储器慢，比顺序存储器快

【总结】：
1、随机存取存储器（时间相同，与位置无关），顺序存储器（时间与位置相关），直接存取存储器（两大存储器特性）：根据一个固定的地址去读写
2、相联存储器：根据内容检索到位置

• 存储器的分类----信息可更改性：
  【总结】：
  RAM：可读可写
  ROM：只读不写

• 存储器的分类----信息的可保存性：
  

• 存储器的性能指标：

• 
  存取时间：一个操作的时间
  存取周期：一个流程的时间

总结回顾：

主存储器

主存储器的基本组成

使用半导体元件来存储二进制原理
半导体元器件组合成了存储芯片
存储芯片中有好多不同的字的数据，存储芯片必须提供寻址的功能

• 基本的半导体元件原理

1、 存储体是用来存放二进制数据0和1的
2、 存储体由多个存储单元组成
3、 每个存储单元对应一个地址
4、每个存储单元里面 有一个存储元

解说一下：
1、每个存储元对应两个元器件（MOS管
2、MOS管可以看成一个用电控制的机关：
【假如mos管左端输入高电压5V，输入就可以导电，如果达不到5V，就无法导电，相当于一个绝缘体（不导电） 】
3、为什么叫做绝缘体呢？-----因为既不是导体也不是绝缘体，给了一个电压，达到高电压，那我们就可以导电，达不到高电压，就不导电
4、（读入）
----1、假如电容上面保存了一些电荷
如何读取二进制？----在MOS管的一端输入一个高电压信号（输入1），达到预值，MOS管接通，电荷顺着往外流，就是1

----2、假如电容里面没有保存电荷（表示0）
检测不到由有电荷的流出，就是0

5、（写入）


存储器读或者写的单位：存储字

• 存储器芯片的基本原理
  
  如何根据地址来决定读或者写存储字呢？
  1、
  
  2、
  
  3、
  
  4、归总：

金属真脚：

金属引脚包括：多根地址线、多根数据线、一根片选线，至少一根读/写控制线

总结：

寻址

SRAM与DRAM

总览

• 随机存储器：
  速度不会因为地址改变而改变
  为什么会出现不同呢？

栅极电容VS双稳态触发器（可以呈现出两种稳定的状态）：

双稳态触发器写入：
若写入0，则给左边BL加上低电平；
若写入1，则给右边BLX加上低电平

两者区别：

两者的存储元器件不同：SDAM（双稳态触发器）DRAM（栅极电容）
1、双稳态触发器：哪边出现零那边出现一（都是低电平）
2、栅极电容：里面电容 是否有电荷
1、栅极电容：

重写（再次重新充电）

2、双稳态触发器（呈现两种稳定的状态）：

【总结】：
栅极电容会有破坏性读出，需要重写，因此读写速度慢；
双稳态触发器没有破坏性读出，不需要重写，因此读写速度快；

其他不同点：

2补充：假如一个芯片的面积不变，体积小，更密集集成在芯片上

DRAM制造的成本低，速度相对较慢------制造主存
SRAM制造成本高，对速度有要求-------制造cache

易失性存储器：

不断的供电：给这个VDD触发器不断地供电

DRAM的刷新（自己独立完成，不用CPU控制）

1、多久刷新一次？------2ms
2、每次刷新多上存储单元？-----一行存储单元
3、为什么用行列地址？-------可以减少选通线的数量
（把一个地址拆分成一半，一半是行地址译码之后的选通线，另一半是列地址译码之后的选通线）

刷新多少存储单元：只要我们给一个行地址，行地址译码器就会读出一整行的

1、如何刷新：会有一个刷新电路来支持，直接读出一整行的存储信息，然后再重新写入 （给电容充电），读出一行信息本质上就是进行了一个存储周期
2、假设DRAM内部的排列128*128的形式（一共128行）读出一行用时0.5um,2ms内可以4000个周期
3、刷新的时候不能对存储器进行读和写
4、分散刷新：读完一行，刷新一行 （系统的就是1us)
5、集中刷新：在2ms内，集中在一个时间内专门刷新
6、异步刷新：每行刷新一次就行，读写，一段时间后刷新（CPU不访问的时候刷新）

同时送：我把这一个地址分成了两部分（行地址+列地址），把他们同时给译码器
缺点：地址有多少位，我们就要有多少跟地址线

地址线复用技术：
分两次来：
1、第一次我把n/2根地址线送到行地址缓冲器里面，
2、第二次我把n/2根地址线放在列地址缓冲器里面，
3、在控制电路的控制下，分别送到行地址译码器与列地址译码器里面，
4、我先让行译码器解析出来，再从解析出来的行信息里面把列的信息输进去，减少了不必要的时间
优点：地址线更少，芯片引脚更少

【总结一下送行列地址】：

SRAM（同时送）：集成度较低，需要的地址线本来就少
DRAM（分开送）：集成度较高，需要的地址线多，分开送减少一点地址线

只读存储器ROM

我们知道放在RAM当中断电后会消失，那我们不想让数据消失，那么我们就得保证把这个不想消失的数据放在另一个芯片中，因此我们想到了ROM

ROM：read only memary
演变过程：

比如说：我想把这个镶进去，谁都不可以改了，我就跟厂家说，这一批货在你们制作芯片的时候就给我放进去，我不想有人破坏它，因为是专门定制的，所以他制作的周期也长，做的都是一批一批的，他固定就是这样的，所以它的可靠性很高，不过灵活性就很差了

为了提高只读存储器的灵活性：

可以由用户自己来个性化的定制写入的数据数据，但是机会只有一次，也是只读存储器
就好比：我知道你们怎么做的了，我自己动手操作一下，但是技术不娴熟，我只能有一次机会

写：先擦后写
读：直接读

密度高：存储元更小，集成度高，保存更多的二进制位

就像我们的手机，利用flash芯片可以，他比电脑的集成度更高，也就意味着体积更小，功率低，意味着耗电小，价格贵，辅存越高的越贵

为什么会有FLASH呢？位密度更高有什么用呢？
1、数据存储密度高:Flash存储器具有较高的存储容量和密度,能够满足大容量数据存储的需求。
2、功耗低:Flash存储器的功耗相对较低,有利于节能减排和延长设备使用寿命

计算机内部一个很重要的芯片-----ROM

解说：
1、主存里面放：指令和数据
2、CPU从主存中拿指令和数据的
3、CPU任务：到主存中取指令------执行指令
4、RAM的一个特性：断电后RAM里面的数据全部丢失（也就是说，当我们的计算机关机之后，里面的数据信息全部都没有了）
5、计算机开机之后，意味着：把操作系统和应用程序相关的指令数据再一次调入主存

6、操作系统安装在辅存中
7、CPU作为计算机的指挥中心，也是要取指令的（傻：只能根据指令一步一步地执行）
8、但是此时主存里面是没有数据的

9、CPU从主板（BIOS芯片）上ROM芯片中读取一些指令

统一编制：
假如1KB：1024B，我们把0~1023给ROM，从1024往后给RAM

回顾：

双端口RAM和多模块存储器

引入：存取时间：意味着CPU从内存中读取一个字的数据实际上只需要t2-t1这一段的时间，但是即使CPU读的存取时间的速度非常快，但是必须要等待回复时间。
问题一：面对多核CPU进行访问：一个CPU访问一次之后，下一个CPU也要进行访问，那么要等恢复时间恢复之后才能再进行访问，那我的时间就很长呀，我这个问题怎么解决 ？
问题二：即使是一个cpu：由于CPU的读写速度比主存快很多怎么办（因为主存的恢复时间太长了）？

• 双端口 RAM：

【目的：优化多核CPU访问一根内存条问题】

优点：可以解决多核CPU访问一根内存条的速度问题
注意：不能同时写，不能同时一读一写

• 双端口 RAM：
  多模块存储器：
  【目的】：解决单核cpu，cpu读写速度比内存的 速度要快的多，CPU想要连续读取一段数据的时候，必须要等待恢复时间问题

高位交叉编制的多存储器：

低位交叉编制的多存储器：

高位和低位访问连续地址所用时间：

说白了就是：CPU访问一个存储体需要等待存取时间+等待时间
高位存储体：用高两位进行区分不同的存储体
（这五个地址位于一个存储体，就要等待【等待时间】过后再进行下一个地址的访问，因此总耗时nT）
低位存储体：用低两位进行区分不同的存储体
（这五个地址有四个位于不同的存储体，当访问完一个地址之后，不用等时间，另个存储体已经准备好了，经过四个之后，正好一个T时间结束了，因此第五个地址可以接着访问，最后一个要留出等待时间，因此总耗时为：地址+等待时间=T+（n-1)r

发现：低位存储体用的时间比高位时间短

思考：为什么要探讨“连续访问的”情况？------因为几乎都是连着的

问题 ：既然低位的存储块，那么应该取几个 “体"呢？

为什么是保证m>=T/r--------假如

总结：

CPU可以自己独立的选择 要哪个存储体读出哪个字

多体并行与单体并行

• 多体并行：存储器并行独立
  单体并行：存储器 串行相连，对于不是从头开始的存储单元进行读取，会有很多没用的信息，但是速度上要比多体并行的快

[回顾]:

主存储器与CPU的链接

知识总览：

单块芯片与CPU连接

对外暴露出一些接口
绿色：传送数据，数据总线和CPU连接
红色：传送访问地址，地址总线和CPU连接
黄色：CPU通过控制总线来进行控制

• 目前这个芯片只能存储8个字节的数据 如果想扩展主存储字数怎么办？----字扩展（连接多个存储芯片）
  如果想要存取更多的位数怎么办？------位扩展
  补充：
  现在的计算机通常将MDR和MAR放在CPU中（因此芯片里面的都只是普通的寄存器而已）

现在的计算机：

MAR中的地址数据是通过地址总线传给主存
MDR中的数据是通过数据总线进行交换的
CPU通过控制总线进行读写信息

存储器芯片的输入输出信号（为了后面看着方便）：

地址线：
数据线：
片选线：
读/写控制信线：

• 增加位扩展：

增加主存的存储字长—位扩展

优点：可以同时读两位的信息

同理，想要八位一起读

增加字扩展：

因此字扩展：

增加一个新的一模一样的芯片
缺点：
1、给两个芯片的片选线都加上1(高电平）【都工作】
2、将会导致两个芯片的 数据信息都会通过数据总线传给cpu,导致数据总线的冲突
因此，接下来改进：

改进：将片选线接入A13，第二个接到A14（片选线接入高电平1后才会有效）

左边选中，右边未被选中（读的是左边芯片的数据）

改进：将片选线接入A13，第二个接到A14（片选线接入高电平1后才会有效）

右边选中，左边未被选中（读的是左边芯片的数据）

改进：将片选线接入A13，第二个接到A14（片选线接入高电平1后才会有效）

左右两边都被选中（数据冲突）
只能允许：左为1，右边为0 或者 （ 左为0 右位1）

改进：

3-8译码器：输入了3个信号，输出了8个信号
（假如给了三位的地址，共有8种可能，若输入000，则表示第0根，则他被选通，其他为0）

• 主存容量扩展：
  
  
  总结：
  

字扩展：增加控制总线的作用
位扩展：增加数据总线的作用

• 主存容量扩展—字位同时扩展
  
  
  回顾：

补充----译码器：

解说：
高电平有效：1
低电平有效：0

解说补充：等到地址信号稳定之后，发出一个读或者是写的信号，使能信号使译码器的输出端输出有效的片选信号，使得存储芯片被选通

外部存储器（磁盘存储器）

主要：磁盘存储器（对硬件的管理）

解说：
这里有一个磁带
商家在磁带上面涂上一层磁性介质

磁带划过磁头的时候，磁头可以1bit的写入数据
磁带划过此头的时候，读线圈根据接的电路1bie的读

解说：
因为磁头只能1bit的进行写入与读出
因此在读线圈的一方设计一个电路能把并行的多数据变成穿行的1bit数据

磁盘的一面（机械部分）：

解说：
step1:驱动轴让我们的磁盘转动
step2:盘片上面每一圈图上不同的材性介质
step3:移动我们的磁头
step4:读或者写数据

磁盘的另一面（磁盘的电子部分【电路板】）：

通过电子部分才可以和主机进行交换数据

解说：
1、我们的磁盘------有多个盘面
2、一个盘面-------每一圈的磁性材质不同，每一圈的材质就是一个磁道，分为多个磁道
3、一个磁道-------分为了几个扇区（为了方便主机对磁盘的读写）
【以扇区为单位进行读/写操作】
4、由于一个磁盘有多个盘面，多个盘面相对位置相同的盘面组成了柱面
【柱面号就是指明了一个磁道】
【通过一个柱面号来确定磁道的位置】

---------为了能让我们这个磁盘的轴转起来，磁头能读到不同的柱面号，那么我们就要搭配一些硬件：


即：磁盘驱动器：驱动轴，磁头移动臂这些东西

• 磁盘的性能指标

1、磁盘的容量：

• 非格式化容量：存盘在物理上来看总共可以存储的二进制比特位的上线
• 格式化容量：这个磁盘可能有些扇区损坏，防止磁盘的扇区损坏导致整个磁盘无法正常工作，因此需要格式化（留下某些备用扇区顶替使用）
• 对比来说：
  格式化之后，某些部分容量被用来作为其他用途，因此格式化容量比非格式化容量要小

2、记录密度：

道密度：沿着半径长度上的磁道数（比如：磁盘半径1cm的位置上一共有60个磁道）

位密度：磁道单位长度上能记录的二进制比特位的位数（比如：1cm的磁道上面有60bit位的信息）

面密度：位密度*道密度

3、平均存取时间（都或者写是以扇区为单位的）
【小马达带着转圈圈，磁头移动臂带着磁头去私奔】
对于一个磁道上面的一块扇区，我们要读取他或者写入他如何让实现呢？让我们来看看下面这张图：

首先step1:让我们的磁头寻找要到的磁道上面
其次step2:让我们的磁盘旋转，一直到和扇区的开始部分重合
最后step3:让我们磁头划过这一片扇区进行存取
【旋转延迟时间可以按照转半圈（理想状态），传输时间要计算】

4、数据传输率

问题：主机如何向磁盘指明我读的是哪一块扇区？---------向磁盘的扇区给一个编号

磁盘阵列：

无校验：难免会有磁盘损坏的情况（如果没有存储一些冗余的信息，那么这个数据将被损坏)

PAID:某个磁盘扇区被损坏（或者发生跳变1-0），还可以在第二个磁盘里面找到数据
因此可以有冗余以及能够校验
缺点：空间浪费

改进：

通过海明校验码可以把错误的信息修正过来
通过海明校验码把跳转的信息修正过来

固态硬盘SSD

固态硬盘是以页为单位的
固态硬盘的页相当于机器磁盘的扇区
固态硬盘的块，相当于机器磁盘的磁道

固态硬盘以块为单位进行擦除：
意思就是说，我这个一块里面有数据，我想再写，我就写不进去了，我必须要擦除，然而擦除之后，我就可以写数据了，
问题：我要是想保留其他的数据，我只改动一个数据怎么办。可以把不动的数据放到另一个闪存芯片里面，然后将这个芯片的块擦除，从另一个芯片里面写入这个数据，那么，我们读取的位置不就变了么，我们的闪存翻译层可以将这个地址映射到正确的位置
因此，读的速度要大于写的速度
机器硬盘是通过磁头臂定位到一个位置，固态硬盘是通过电路迅速定位到对应的物理位置

高速缓冲存储（敬请期待）

虚拟存储器（敬请期待）