计算机组成原理-存储器

前往我的主页以获取更好的阅读体验计算机组成原理-存储器 - DearXuan的主页https://blog.dearxuan.com/2022/06/16/%E8%AE%A1%E7%AE%97%E6%9C%BA%E7%BB%84%E6%88%90%E5%8E%9F%E7%90%86-%E5%AD%98%E5%82%A8%E5%99%A8/

存储器

RAM(Random Access Memory)

随机存储器，通过逻辑电路读写，读写任意存储单元所需的时间与存储单元位置无关。如：内存条

SAM(Sequential Access Memory)

顺序存储器，读写一个存储单元所需时间与所在位置有关。如：磁带

DAM(Direct Access Memory)

直接存储器，信息所在区域是随机的，信息在其区域内部按顺序存储。如：机械硬盘

随机存储器(RAM)

DRAM(Dynamic Random Access Memory)

动态RAM，通常用于主存(内存)，内部采用栅极电容储存信息。当字选择线接通时，虚线所对应半导体元件接通，电容放电，数据线在读取电容信息后，会导致原信息被擦除，因此读取完需要重写操作，读取速度比DRAM更慢，但集成度更高

SRAM(Static Random Access Memory)

静态RAM，常用于Cache。使用双稳态触发器存储信息，读取数据不会修改原数据内容，因此读取速度比DRAM更快，但集成度更低

DRAM与SRAM的比较

只读存储器(ROM)

MROM(Mask Read-Only Memory)

掩模式只读存储器，仅由厂家在出场时直接写入数据，之后再也无法修改

PROM(Programmable Read-Only Memory)

可编程只读存储器，用户可以通过PROM写入器写入信息，但是写入一次之后就再也无法修改

EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)

可擦除可编程只读存储器，可以进行多次读写，但是写入前必须擦除原数据

UVEPROM通过紫外光擦除信息，每次会擦除全部信息

EEPROM通过电信号擦除指定区域的数据

Flash Memory

闪速存储器，由EEPROM发展而来，可以进行多次快速擦除和重写，但是写入速度比读取更慢。如U盘，SD卡

SSD(Solid State Drives)

固态硬盘，由控制单元和存储单元(Flash芯片)组成，它与Flash Memory的区别在于控制单元不同