随机存储器，静态RAM和动态RAM

随机存取存储器：按照其存储信息的原理不同，可分为静态RAM 和动态RAM。
1.静态RAM：SRAM，利用触发器原理，一段为源端，一端为非端，一端为0，一端为1.静态RAM一个单元电路拥有6个晶体管，集成度低。静态RAM行列一起传输，芯片引脚较多，功耗较大，价格较高，速度较快，适合用作缓存。
2.动态RAM：DRAM，利用电容存储电荷的原理来寄存信息，采用充放电来保存代码，充完电为1，否则为0.动态RAM一个单元电路有一个晶体管和一个电容器，集成度较高，且行列分别传输，地址条数少一半，引脚较少。且功耗较小价格较低，需要不断刷新，速度较慢。适合作为主存。
DRAM电容上的电荷容易消失，所以必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，这个过程称为再生或者刷新。实质上就是先将原存信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入的过程，刷新是一行行进行的通常有三种刷新方式：集中刷新，分散刷新，异步刷新。
。集中刷新：在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间进行逐行刷新，此刻必须停止读写操作，例如：对128*128矩阵的存储芯片进行刷新时，若存取时间为0.5us，刷新周期为2ms,则对128行集中刷新需要64us，其余时间用来读写信息，在这64us内不能进行读写操作，称为死时间，所占比为64/2000。
。分散刷新：指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成，把机器的存取周期分为两部分，前部分用来读写信息，后半部分用来刷新，这样就不存在死时间，但存取周期变长，系统速度降低。
。异步刷新：是前两种方式的结合，既可缩短死时间，也可充分利用最大刷新时间间隔，例如上题可以采取在2ms内对128行各刷新一遍，即每隔15.6us刷新一行，而每行刷新的时间仍为0.5us，这样刷新一行只停止一个存取周期，死时间缩短为0.5us。如果将刷新安排在CPU对指令的译码阶段，这个阶段CPU不访问存储器，根本上提高了整机的工作效率。