一.DRAM存储器
动态RAM(DRAM)
因为该存储器必须定时刷新,才能维持其中的信息不变;
DRAM的存储元
由MOS晶体管和电容组成的记忆电路;
电容上的电量来表现存储的信息;
充电—1,放电—0。
结构形式
四管存储元,单管存储元
二.记忆原理
读操作
字线选中存储元;
若存储元中保存数据“0”,即Cs上无电荷;
则位线上无电流,读出0;
若存储元中保存数据“1”,即Cs上无电荷;
则位线上有电流,读出1;
写操作,是通过位线上的电流对Cs的充电(写1)、放电(写0)的过程;
三.逻辑结构