本文探讨了固态硬盘（SSD）基于Flash存储的特性，包括SLC和MLC类型的Cell，以及写入时的erase before overwrite问题和wear off现象。针对这些问题，SSD采取了wear leveling、TRIM指令、wiper工具和delay write等策略来提高效率和延长寿命。文章还提及了SSD与传统硬盘结合的混合存储方案，以提高性能并降低成本。
SSD（solid state drive）是一种利用flash芯片或者DRAM芯片作为数据永久存储的硬盘，这里不能再叫磁盘了，因为flash drive 不再使用磁技术存储数据。其中flash drive与DRAM的区别是DRAM其内部利用SDRAM内存条存储数据，所有在外部电源断开后，需要使用电池来维持DRAM中的数据。基于flash介质的SSD，所有的ROM和flash芯片都是使用一种叫做“浮动门场效应晶体管”的晶体管保存数据，每个这样的晶体管叫一个cell 也就是单元。有两种类型的cell Single Level cell(SLC)每个cell 保存1B数据，第二种是Multi Level cell（MLC）每个cell保存2B数据。cell是电子，也就是只能带负电荷，不能带正电荷，所有cell只有两种状态，带电表示0，不带电表示1,
flash芯片的读是以page为单位的，也就是SSD的IO最小单位是1个page。但是对flash芯片的写入有一些特殊的步骤，flash芯片要求在修改一个I饿cell中的位的时候，在修改之前必须先erase即擦出这个cell。这里的erase动作就是将一大片连续的cell一下子全部放电，全变为1，这一片连续的cell是一个block，也就是每次erase只能擦除一整个block。然后向其中写入数据，如果刚好是1则不动作，如果是0则改变其电位，这个写0 的的动作也叫program。
flash的通病：flash芯片在写入时候有诸多效率低下的地方。
（1）erase before overwrite
对于机械磁盘，磁盘可以直接用磁头将对应 区域磁化，如果之前是1，新数据是
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